力晶去年十二月DRAM现货及合约价格持续攀高,使得当月营收达七亿四千万元,并创近半年来新高。力晶表示,因为整体市场供给秩序趋于稳定、下游需求显著提升,DRAM行情后市看好,再加上力晶○.一六五微米微缩制程顺利量产出货,未来营收将有机会继续成长。
动态随机存取内存(DRAM)厂力晶半导体七日举行新春记者会,针对二○○二年市场布局提出展望报告,力晶总经理蔡国智发下豪语表示,力晶今年产能折算一二八Mb DRAM产出颗数将达二亿颗,而一厂在三月以○.一五微米新制程量产后,DRAM颗粒产出成本可望降至一.五美元,不过原本预定八吋厂今年底代工比重达七五%目标,则因产能排挤效应而下修为四五%。
针对今年度财务预测,力晶半导体总经理蔡国智则表示,今年度财测正在编列中,但是主要的营收以及获利仍取决于DRAM价格,而力晶能做的,就是尽量增加产出,降低生产成本,估计今年约当一二八兆位SDRAM产出颗粒数将达到一亿九千万颗至二亿颗。估计若一二八兆位SDRAM今年均价维持在三美元至四美元,则力晶今年营收将达到六至八亿美元;较去年成长一○○%至一五○%。
蔡国智表示,力晶八吋厂已开始以既有的○.一八微米设备导入○.一五微米新制程,预估今年二月可以产出第一片具高良率的○.一五微米的八吋晶圆,三月可开始量产二五六Mb DDR。至于已由技术合作伙伴三菱移转的○.一三微米制程,则将应用在已完成厂房工程的十二吋厂,预估第三季末以五千片规模量产二五六Mb DRAM后,并开始进行○.一一五微米的制程微缩(Shrink)研发,至明年月产能可望提升至一万五千片规模,目标是希望在明年第二季前,力晶十二吋厂制造成本低于同业的八吋厂制造成本。
至于代工部份,蔡国智表示,力晶原本计划今年底将代工比重由现行的二○%提高至七五%以上,不过因DRAM价格持续看好,且客户预订产能超过预期,代工比重将因产能排挤而下修至四五%,由于二○○三年后不以十二吋厂生产的DRAM将不具成本竞争力,因此明年第四季力晶十二吋厂产能拉升至三万片规模后,八吋厂将不再投产标准型DRAM,全数为钰创、晶豪等IC设计公司代工利基型DRAM、闪存等产品。