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台积、联电研发制程追上美日
制程迈入0.1微米,追求奈米研究

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2002年01月03日 星期四

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国内晶圆厂制程竞赛分为两部份:一为由0.13微米跨入0.1微米;另为12吋晶圆厂进入商业量产阶段,除动态随机存取内存 (DRAM)技术仍仰赖技转外,台积电、联电自行研发的制程技术正式追上美、日大厂。

国际大厂今年也纷纷投入奈米研究。超威(AMD)去年底成功开发速度最快的CMOS晶体管,闸长仅15奈米,未来将运用此技术开发新世代处理器,速度将提升十倍。英特尔才宣布成功开发Tera Hertz(兆赫)晶体管,晶体管每秒开关可达1兆次以上,闸门为15奈米,其芯片密度在2005年至2010年间,将达到10亿个晶体管水平。

由于景气复苏在望,台积电已于晶圆四厂展开0.1微米制程验证,预计今年第二季投产,并导入12吋晶圆厂。联电则加快0.1微米的布局,新任技术长温清章衔命于今年第一季,完成新制程的验证。

至于华邦、茂德、力晶及南亚科技等DRAM厂,今年也将逐步解决技转来源问题,华邦、茂德可望源自德国亿恒,至于南科则与与IBM合作,力晶则扩大与日本三菱的技转领域,从DRAM、闪存到逻辑代工。

關鍵字: 奈米  台湾集成电路  联华电子  动态随机存取内存 
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