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NI发表全新6款 PXI Express接口的切换器模块 (2009.07.07)
NI全新6款切换器模块，适用于高密度矩阵、多任务器、一般继电器，与RF应用。NI PXIe-2527、PXIe-2529、PXIe-2532、PXIe-2569、PXIe-2575，与PXIe-2593切换器，亦均提供PXI版本，并几乎可搭配任何PXI Express仪器，可提升系统的链接功能与弹性 |
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ADI发表全新射频IC (2009.07.07)
美商亚德诺（Analog Devices，ADI），正式发表数款最佳性能的全新RF IC，对于要求严苛的高性能通讯基础架构、工业设备与仪器以及国防等应用领域极具效益。
ADI日前在2009年6月9日至11日期间于波士顿所举办IEEE微波学会的IMS2009中展示这些产品 |
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凌力尔特推出4MHz、3A同步降压稳压器 (2009.07.07)
凌力尔特(Linear Technology)日前发表高可靠性、MP等级版本的LTC3412A，其为一款采用定频、电流模式架构的高效率、4MHz同步降压稳压器。该组件可从热加强型TSSOP-16封装于电压低如0.8V时提供3A的连续输出电流，并可工作于2.25V至5.5V的输入电压范围，使其非常适合单颗锂电池或镍氢电池应用，以及更通用性质的固定电压端系统 |
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Diodes推出新型双MOSFET组合式组件 (2009.07.07)
Diodes公司近日推出了新型的ZXMC10A816组件，它把一对互补性的100V增强式MOSFET结合于一个SO8封装，性能可以媲美体积更大的个别封装零件。ZXMC10A816适用于H桥电路，应用范围包括DC散热扇和反相器电路、D类放大器输出级，以及其他多种类型的48V应用 |
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Micrel推出超高速控制系列PWM控制器 (2009.07.06)
麦瑞半导体（Micrel,Inc.）近日推出超高速控制（Hyper Speed Control）系列PWM控制器的首批产品MIC2164、MIC2164-2及MIC2164-3。这3款集成电路的超高速控制架构可大大降低所需的输出电容，提供优秀的瞬态响应性能，同时实现高压差运行（输入电压＝28V，输出电压＝0.8V） |
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NS 3Gbps SDI系列芯片获PHABRIX选用 (2009.07.06)
美国国家半导体（National Semiconductor）宣布，英国可携式广播用视讯系统测试设备供货商PHABRIX采用5款美国国家半导体的讯号调节及数据转换芯片，成功开发业界首款符合电影及电视工程师协会（SMPTE）有关3G/高画质/标准画质眼图显示及抖动测量等规定的可携式测试及量测设备 |
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Linear推出新款以太网络供电接口控制器 (2009.07.06)
凌力尔特 (Linear)发表LTC4269-1、LTC4269-2 与 LTC4278，符合IEEE 802.3at标准的以太网络供电(PoE+)接口控制器，具备用于达25.5W以上之高功率受电装置(PD)应用的内建切换稳压器。新IEEE 802.3at之定义，同样也被称为 PoE+标准，则可同时扩充电源分配，并提升由供电装置(PSE)和受电装置(PD) 所使用的分类机制以界定彼此 |
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奥地利微电子推出结合前面板活动控制LED驱动器 (2009.07.06)
奥地利微电子公司推出可实现简易使用接口（UI）的LED驱动器AS1115，拓展其全方位的LED驱动器产品线。AS1115结合显示驱动和键盘扫描，提供了完整的前面板(front panel)解决方案，在设计时不需再增加第二个微处理器(μP)或其他逻辑及离散组件，降低物料列表(Bill of Material; BOM)的数量和成本 |
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ST推出2 x 3mm封装的512-Kbit串行EEPROM (2009.07.03)
意法半导体运用先进的非挥发性内存(NVM)技术，推出两款高密度、采用工业标准2 x 3 x 0.6mm 8-针脚微导线架封装(MLP)的512-Kbit组件。新产品拥有针脚兼容性及低密度内存，使设计人员无需重新设计电路板即可直接更换芯片，实现更快速、高效的产品升级 |
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NS新款LED驱动器 可加强闪光灯的散热能力 (2009.07.03)
美国国家半导体（National Semiconductor Corporation）宣布推出业界首款升压型High Side同步整流LED驱动器，其特点是可支持双LED的相机闪光灯，最适用于以电池供电的可携式多媒体电子产品 |
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英飞凌新功率MOSFET 适合节能型电源转换应用 (2009.07.03)
英飞凌科技宣布推出OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列产品。这项新装置的导通电阻[RDS(on)]和优值系数（FOM）可降低功率损耗，并在所有负载条件之下，提升切换模式电源供应器（SMPS）以及马达控制和快速切换D类放大器等功率应用的整体效率 |
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飞思卡尔新LED驱动器 具高速脉冲宽度调变功能 (2009.07.03)
为了让轻薄的笔电拥有更明亮的屏幕，并延长电池使用时间，发光二极管（LED）正迅速取代冷阴极荧光灯泡（CCFL），成为笔电及工业与医疗器材上液晶屏幕（LCD）最主要的背光技术来源 |
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Avago推出业界最小型3W微型化高亮度LED产品 (2009.07.03)
Avago Technologies(安华高科技)宣布，推出业界最小型高亮度3W LED产品之一，适合各种广泛的固态照明应用。尺寸大小为5mm x 4mm x 1.85mm高，Avago的新精简型3W LED产品ASMT-Jx3x采用小尺寸SOP包装，能够以高达700mA的电流驱动带来高亮度输出，这款精简的LED提供有宽广的视角、符合MSL-1湿度敏感度等级并且相当可靠 |
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IDT推出全新VERSACLOCK系列频率组件 (2009.07.03)
IDT（Integrated Device Technology, Inc.）宣布推出全新VersaClock系列频率组件。VersaClock III组件是一可程序化的频率产生器，专为高效能消费性产品、通讯、网络及数据通讯应用产品而设计，并取代振荡晶体与振荡器，提供更具成本效益的选择 |
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从节能省碳谈3D IC (2009.07.03)
CPU节能功率已面临瓶颈，气冷式散热功能也面临极限，SoC散热和漏电流问题亦迫在眉睫，资料中心更是节能省碳的重点。 3D IC降低功耗设计可有效降低RF功耗、明显提升记忆体效能，有助建构绿色资料中心，用3D Stack技术大幅降低伺服器记忆体功耗，3D IC符合节能省碳环保潮流 |
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又一新芯片材料将问世 (2009.07.02)
又一新物质可能改写芯片运算效能，并生产出超快的计算机芯片。美国SLAC国家加速器实验室与史丹佛大学的物理学家，已确认一种特殊材料的存在，这种物质允许电子在其表面传导，而不会在室温下丧失能量，而且还可利用现有的半导体技术组装 |
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Yole公布08年全球前20大MEMS代工厂 (2009.07.02)
法国市场研究公司Yole Development，日前公布了2008年全球前20大MEMS代工排名报告，其中意法半导体名列第一，遥遥领先排名第二的德州仪器。此外，相较于07年，08年专用的MEMS代工厂出现衰减，而采开放式的MEMS代工厂已开始出现获利 |
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Altera发布新的Cyclone III LS FPGA (2009.07.02)
Altera公司近日发布了具有安全特性的低功率消耗新系列FPGA。新的Altera Cyclone III LS FPGA在单位面积电路板上具有密度最大的逻辑、内存和DSP资源。这些组件是功率消耗最低的FPGA，200K逻辑单元（LE）的静态功率消耗小于0.25W |
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慧荣领先同业支持美光34奈米MLC闪存 (2009.07.02)
慧荣科技本周三（7/1）宣布，多款最新的闪存控制芯片已通过美光（Micron Technology Inc.）的认证，领先同业支持美光一系列34奈米MLC闪存，包括美光稍早刚发表的16Gb及32Gb闪存 |
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TI推出具备PFC最新Piccolo MCU马达控制套件 (2009.07.02)
随着针对防止电网电流脉冲问题之法规标准的执行持续增加，功率因子校正(PFC)便成马达控制应用领域的关键需求。有鉴于此，德州仪器(TI)宣布推出两款全新Piccolo马达控制套件，可透过单颗低成本微控制器(MCU)实现高达两颗马达的PFC及无传感器磁场定向控制(sensorless field-oriented control) |
USB2.0是一种目前在PC及接口设备被广为应用的通用串行总线标准，摆脱了过去局限于PC的相关应用领域，而更深入地应用在数字电子消费产品当中。
