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TI新型功率转换器突破电源设计极限 协助工程师实现更高功率密度 (2024.03.06)
德州仪器（TI）推出两款新型功率转换器产品组合，协助工程师在更小的空间内实现更大的功率，以更低的成本提供最高的功率密度。TI的新型100V整合式氮化??（GaN）功率级采用耐热增强型双面冷却封装技术，可简化散热设计并在中电压应用里实现超过1.5kW/in3的最高功率密度 |
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ROHM EcoGaN产品被台达电子45W输出AC适配器采用 (2024.02.27)
半导体制造商ROHM推出的650V GaN元件（EcoGaN），被台湾台达电子（Delta Electronics）的45W输出AC适配器「Innergie C4 Duo」 采用。该产品透过搭载可提高电源系统效率的ROHM EcoGaN「GNP1150TCA-Z」元件，在提高产品性能和可靠性的同时，更实现了小型化 |
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英飞凌2024年第一季度业绩表现强劲 营收达37亿欧元 (2024.02.17)
英飞凌 2024 会计年度第一季营收 37.02 亿欧元，部门利润达 8.31 亿欧元，利润率为 22.4%。2024会计年度第二季展??：基於1欧元兑换1.10 美元的假设汇率，预期营收约为 36 亿欧元 |
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英飞凌氮化??解决方案协助欧姆龙实现轻小车联网充电系统 (2024.02.05)
英飞凌科技与欧姆龙社会解决方案公司合作。结合英飞凌氮化??（GaN）功率解决方案与欧姆龙的电路拓朴和控制技术，赋能欧姆龙社会解决方案公司实现了一款车联网（V2X）充电系统，这是尺寸小，同时重量轻巧的系统之一 |
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意法半导体碳化矽技术为致瞻提升新能源汽车车载空调控制器效能 (2024.01.30)
意法半导体（STMicroelectronics；ST） 宣布与聚焦於碳化矽（SiC）半导体功率模组和先进电力电子变换系统的中国高科技公司致瞻科技合作，为其电动汽车车载空调中的压缩机控制器提供意法半导体第三代碳化矽（SiC）MOSFET技术 |
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英飞凌与SK Siltron CSS签订新碳化矽晶圆供应协议 (2024.01.14)
英飞凌科技宣布，与碳化矽（SiC）供应商 SK Siltron CSS 签订协议。根据协议，SK Siltron CSS 将提供高品质的 6寸 SiC 晶圆，用以支援 SiC 半导体的生产。在後续阶段，SK Siltron CSS 将在协助英飞凌过渡到 8 寸晶圆方面扮演重要角色 |
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安森美与理想汽车续签协议 供应高性能SiC解决方案 (2024.01.09)
安森美(onsemi)宣布，和理想汽车(Li Auto)续签长期供货协议。理想汽车在其增程式电动车型(EREV)中采用安森美成熟的800万像素影像感测器。此协议签订後，理想汽车将在其下一代800V高压纯电车型中采用安森美高性能EliteSiC 1200 V裸晶，并继续在其未来车型中整合安森美800万像素高性能影像感测器 |
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意法半导体碳化矽协助理想汽车加速进军高压纯电动车市场 (2024.01.05)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）与中国新能源汽车商理想汽车签立一项碳化矽（SiC）长期供货协议，而意法半导体将为理想汽车提供碳化矽MOSFET，支援理想汽车进军高压电池纯电动车市场的策略 |
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ST开启再生能源革命 携手自然迎接能源挑战 (2024.01.02)
随着全球能源需求於2030年预计将增长30%，同时碳排放量目标扩大至减少45%（控制全球暖化在摄氏1.5℃以内），再生能源正成为攸关人类未来的重要议题。回顾十年前，人们只顾担??石油、煤炭和天然气等资源何时枯竭，但现在人们转变思维，更注重人类在地球上的永续生存方式 |
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Transphorm与伟诠电子合作开发氮化??系统级封装元件 (2023.12.28)
Transphorm与Weltrend Semiconductor（伟诠电子）合作推出100瓦USB-C PD电源适配器叁考设计。该叁考设计电路采用两家公司合作开发的系统级封装（SiP）SuperGaN电源控制晶片WT7162RHUG24A，在准谐振反激式（QRF）拓扑中可实现92.2%的效率 |
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TI：扩大低功率GaN产品组合 实现AC/DC电源供应器体积缩小50% (2023.12.04)
德州仪器（TI）扩大其低功率氮化?? (GaN) 产品组合，旨在协助提升功率密度、最大化系统效率，以及缩小 AC/DC 电源供应消费电子和工业系统的尺寸。TI 具备整合式闸极驱动器的 GaN 场效应电晶体 (FET) 整体产品组合，可解决常见的散热设计挑战，让供应器维持低温，同时以更小的体积推动更大功率 |
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蔚华与南方科技合作非破坏性SiC缺陷检测系统 抢攻化合物半导体商机 (2023.11.28)
蔚华科技与旗下数位光学品牌南方科技合作，共同推出业界首创的JadeSiC-NK非破坏性缺陷检测系统，采用先进非线性光学技术对SiC基板进行全片扫描，找出基板内部的致命性晶体缺陷，用以取代现行高成本的破坏性KOH（氢氧化钾）蚀刻检测方式，可提升产量并有助於改善制程 |
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意法半导体GaN驱动器整合电流隔离功能 兼具安全性和可靠性 (2023.11.13)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）推出首款具有电流隔离功能的氮化??（GaN）电晶体闸极驱动器，新款STGAP2GS缩小了晶片尺寸，同时降低物料清单成本，能够满足应用对宽能隙晶片的效能以及安全性和电气保护的更高需求 |
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英飞凌完成收购GaN Systems 成为氮化??龙头企业 (2023.10.25)
英飞凌科技宣布完成收购 GaN Systems 公司。这家总部位於加拿大渥太华的公司，为英飞凌带来了丰富的氮化?? (GaN) 功率转换解决方案产品组合和领先的应用技术。已获得所有必要的监管部门审批，交易结束後，GaN Systems 已正式成为英飞凌的一部分 |
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罗姆集团马来西亚工厂新厂房竣工 强化类比IC产能 (2023.10.25)
半导体制造商ROHM为了加强类比IC的产能，在其马来西亚制造子公司ROHM-Wako Electronics（Malaysia）Sdn. Bhd.（以下称 RWEM）投建了新厂房，已经於近日竣工并举行了竣工仪式。
RWEM之前主要生产二极体和LED等小讯号产品，新厂房建成後则计画生产绝缘闸极驱动器（类比IC的重点产品之一） |
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格棋化合物半导体掌握碳化矽晶体成长技术 完成A轮募资新台币15亿元整 (2023.10.24)
掌握碳化矽（SiC）单晶晶体成长技术、同时具备6寸和8寸晶体制程能力的新创公司格棋化合物半导体股份有限公司（GCCS）宣布，近期成功完成新台币15亿元的A轮募资，并将持续投资先进晶体研发与制程优化技术 |
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PI以IC颠峰效率为aCentauri太阳能赛车队执行关键任务功能 (2023.10.23)
Power Integrations这家节能功率转换之高压积体电路领域的领导厂商，将为 aCentauri 车队提供先进的 PowiGaN 氮化?? (GaN) 技术、专家设计支援和财务赞助，协助他们叁加本月下旬举办的 3,000 公里普利司通世界太阳能车挑战赛 |
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英飞凌与英飞源合作 拓展新能源汽车充电市场 (2023.09.25)
基於碳化矽（SiC）的功率半导体具有高效率、高功率密度、高耐压和高可靠性等诸多优势，为实现新应用和推进充电站技术创新创造了机会。近日，英飞凌科技宣布与中国的新能源汽车充电市场相关企业英飞源 (INFY) 达成合作 |
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英飞凌扩展1200V 62mm IGBT7产品组合 推出全新电流额定值模组 (2023.09.18)
英飞凌科技推出搭载1200 V TRENCHSTOP IGBT7晶片的62mm半桥和共发射极模组产品组合。模组的最大电流规格高达 800A ，扩展了英飞凌采用成熟的62 mm 封装设计的产品组合。电流输出能力的提高为系统设计人员在设计额定电流更高方案的时候，不仅提供最大的灵活性，还提供更高的功率密度和更优秀的电气性能 |
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宜普：氮化??将取代650伏特以下MOFEST市场 市场规模约数十亿美元 (2023.09.04)
随着氮化?? （GaN）技术在各产业中扮演起重要的角色，中国政府已积极透过资助计画、研发补助以及激励政策等方式来支持氮化??技术在中国的发展。此外，中国近年来出现了许多专注於研发氮化??的公司，并且包括复旦大学、南京大学、浙江大学及中国科学院等大学或研究机构也积极地投入氮化??相关领域的研究及发展 |
