掌握碳化矽（SiC）单晶晶体成长技术、同时具备6寸和8寸晶体制程能力的新创公司格棋化合物半导体股份有限公司（GCCS）宣布，近期成功完成新台币15亿元的A轮募资，并将持续投资先进晶体研发与制程优化技术。格棋化合物半导体位於桃园的6寸产线已开始小规模试量产，目前正积极寻找新厂房土地，预计明年将展开大量生产。

格棋化合物半导体成立於2022年，拥有自主先进研发团队，其独特长晶工艺与量产能力，可协助客户打造兼具高效能与高可靠性的碳化矽晶片，抢攻未来市场庞大商机。

格棋化合物半导体为专业碳化矽晶体（Ingot）与晶圆（Wafer）供应商，长期关注第三代化合物半导体的市场发展和工艺技术开发，团队成员在此领域拥有超过10年经验，特别是晶体生长和热场设计，出色的专业技术能力深获业界肯定，成立至今成功吸引投资人的目光，近期刚完成新台币15亿元的A轮募资。格棋化合物半导体目前积极与国内知名半导体材料业者联系提出合作，未来将善用技术优势，抢攻第三代半导体庞大商机。

在制程领域，格棋化合物半导体团队深耕晶体成长工艺技术，目前已具备6寸N-type晶体的量产制程能力，并已於2023年5月成功开发出8寸N-type晶体以及6寸半绝缘晶体。团队专攻以物理气相传输法（Physical Vapor Transport, PVT）长晶技术所制造出的碳化矽单晶产品，其品质更高、缺陷密度更低，运作也更稳定。

近期6寸N-type晶体产线已达良率，开始进入小规模试量产阶段。除了长晶技术之外，公司同时还具备有切磨抛光技术的开发能力，对於制程进行晶圆切片工作及提供客户对接时更完整的产品与技术服务。