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循环低碳制程技术创新 筑波分享WBG半导体材料测试方案 (2022.09.23)
现今节能减碳理念及落实相关措施已成为众多产业的重要经营方针，由经济部工业局委托工业技术研究院，依行政院循环经济推动方案，建构循环技术暨材料创新研发专区，以延揽国际专家培育研发人才为目的 |
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安森美在捷克共和国扩建碳化矽工厂 (2022.09.22)
安森美(onsemi)，厌祝其在捷克共和国Roznov扩建的碳化矽「SiC」工厂的落成。以工业和贸易部科长Zbyn?k Pokorny、兹林州州长Radim Holi?和市长Ji?i Pavlica以及其他当地政要为首的多位嘉宾出席了剪彩仪式，突显此事件和半导体制造在捷克共和国的重要性 |
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碳化矽SiC良率提升不易 恐牵连电动车与绿能发展进度 (2022.09.15)
基於其耐高温与耐高压的特色，使得碳化矽（SiC）的功率元件，成为电动车与绿能相关应用的首选电源解决方案。但由於本身材料的特性难以驾驭，使得其晶圆与元件的产能和良率偏低，短期间内将难以满足持续高涨的市场需求，甚至有可能因此限制了相关应用的发展进度 |
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TI：氮化??电源管理设计将被加速采用 (2022.09.15)
随着全球技术不断升级，电源设计人员对功率密度和系统级效率的关注也随之提高，从而带动更高效的宽能隙功率半导体应用由以往的资料中心扩展至测试和测量、储能系统 (ESS) 及消费性电子等应用领域 |
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??基半导体获力智、中美矽晶、罗姆和台达电共新台币4.56 亿元投资 (2022.09.14)
台达子公司??基半导体，持续专注於第三代半导体氮化??（GaN）技术用於开发功率半导体。该公司宣布已完成新一轮4.56亿新台币的增资合约签订，且在这次增资的同时，获得了与力智电子（uPI）、中美矽晶（SAS）、日商罗姆半导体（Rohm），以及母公司台达等夥伴建立策略合作关系，共同加速GaN功率半导体技术的发展 |
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Transphorm获得美国能源部合约 提供新型四象限氮化??开关管 (2022.09.05)
Transphorm宣布赢得一份美国能源部先进能源研究计画署(ARPA-E)的合约。该专案是ARPA-E CIRCUITS计画的一部分，透过与伊利诺理工学院的转包合约展开，包括提供采用氮化??的四象限双向开关管(FQS) |
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SiC牵引逆变器降低功率损耗和热散逸 (2022.08.25)
本文说明如何在EV牵引逆变器中驱动碳化矽（SiC）MOSFET，透过降低电阻和开关损耗来提高效率，同时增加功率和电流密度。 |
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EPC推出ePower功率级积体电路 实现更高功率密度和简化设计 (2022.08.11)
宜普电源转换公司（EPC）推出ePower功率级积体电路，它整合了整个半桥功率级，可在1 MHz工作时实现高达35 A的输出电流，为高功率密度应用提供更高的性能和更小型化的解决方案，包括DC/DC转换、马达控制和D类音频放大器等应用 |
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TI 30A闸极驱动器 减少SiC MOSFET功率损耗和热散逸 (2022.08.11)
随着电动车（EV）制造商之间为了开发成本更低、续航里程更长的车型所进行的竞争日益激烈，电力系统工程师必须设法藉由降低功率损耗和提高牵引逆变器系统效率，来提升续航里程并增加竞争优势 |
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EPC推出高功率密度100V抗辐射电晶体 满足严格航太应用 (2022.07.05)
EPC推出100V、7mΩ、160 APulsed的抗辐射GaN FET EPC7004。尺寸小至6.56 mm2，其总剂量等级大於1 Mrad，线性能量转移的单一事件效应抗扰度为85 MeV/(mg/cm2)。EPC7004与EPC7014、EPC7007、EPC7019和EPC7018元件都是采用晶片级封装，这与其他商用的氮化??场效应电晶体（eGaN FET）和IC相同 |
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ST与MACOM射频矽基氮化??原型晶片达成技术和性能里程碑 (2022.06.14)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）和MACOM已成功制造出射频矽基氮化??（RF GaN-on-Si）原型晶片。意法半导体与MACOM将继续合作，并加强双方的合作关系。
射频矽基氮化??为5G和6G基础建设之应用带来巨大的发展潜力 |
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Wolfspeed首座8寸SiC晶圆厂投入量产 (2022.05.03)
Wolfspeed宣布其位於美国纽约州莫霍克谷（Mohawk Valley）的SiC制造工厂正式营业。这座 200mm(8英寸)晶圆厂将助力推进诸多产业从 Si 基产品向 SiC 基半导体的转型。
纽约州州长 Kathy Hochul 莅临现场并预祝 Wolfspeed 在莫霍克谷（Mohawk Valley）大展宏图 |
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罗姆集团旗下SiCrystal纪念成立25周年 (2022.04.28)
半导体制造商罗姆集团旗下的 SiCrystal GmbH（以下简称SiCrystal）迎来了成立25周年纪念日。SiCrystal是一家总部位於德国纽伦堡的SiC（碳化矽）晶圆制造商，经过了25年的发展，目前已将业务范围扩展到全世界，并拥有200多名员工 |
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Wolfspeed SiC功率半导体助力Lucid Air提高性能与效能 (2022.04.28)
Wolfspeed於近日宣布与Lucid Motors达成重要合作。Lucid Motors将在其高性能、纯电动车型Lucid Air中采用Wolfspeed SiC功率元件解决方案。同时，Wolfspeed和Lucid Motors签订多年协议，将由Wolfspeed生产和供应SiC装置 |
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EPC新350V氮化??功率电晶体 比等效矽元件小20倍且成本更低 (2022.04.08)
宜普电源转换公司（EPC）推出 EPC2050，这是一款 350 V GaN 电晶体，最大 RDS(on) 为 80 mΩ，?冲输出电流? 26 A。 EPC2050 的尺寸仅为 1.95 mm x 1.95 mm。与采用等效矽元件的解决方案相比，基於EPC2050的解决方案的占板面积小十倍 |
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ROHM建立8V闸极耐压150V GaN HEMT量产体制 (2022.03.29)
半导体制造商ROHM已建立150V耐压GaN HEMT?GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量产体制，该系列产品的闸极耐压（闸极-源极间额定电压）高达8V，非常适用於基地台、资料中心等工控设备和各类型IoT通讯装置的电源电路 |
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ST：发展碳化矽技术 关键在掌控整套产业链 (2022.03.14)
电源与能源管理对人类社会未来的永续发展至关重要。意法半导体汽车和离散元件产品部（ADG）执行??总裁暨功率电晶体事业部总经理Edoardo MERLI指出，由於全球能源需求正在不断成长，我们必须控制碳排放，并将气温上升控制在1 |
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ST第三代碳化矽技术问世 瞄准汽车与工业市场应用 (2022.03.14)
电源与能源管理对人类社会未来的永续发展至关重要，由於全球能源需求正在不断成长，因此必须控制碳排放，并将气温上升控制在1.5度以下，减排对此非常重要，但要实现这些要有科技的支援，包括可再生能源的利用，ST对此也有制定一些具体的目标 |
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下半年8寸基板将量产 第三类功率半导体2025年CAGR达48% (2022.03.10)
据TrendForce研究推估，第三类功率半导体产值将从2021年的9.8亿美元，至2025年将成长至47.1亿美元，年复合成长率达48%。
SiC适合高功率应用，如储能、风电、太阳能、电动车、新能源车等对电池系统具高度要求的产业 |
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Ampleon发布增强效能的第3代碳化矽基氮化??电晶体 (2022.02.23)
埃赋隆半导体（Ampleon）推出两款新型宽频碳化矽基氮化??（GaN-on-SiC）高电子迁移率电晶体（HEMT），功率等级分别为30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。这两款高线性度元件是最近通过认证并投入生产的第3代GaN-SiC HEMT制程的首发产品 |
硬件组装在一起，只是一堆相互无法联系的零件，零件要能相互联络、沟通与协调，才能构成整体的「系统」的基础，而BIOS便扮演这样的角色。
