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英飞凌发表CoolSiC MOSFET产品 兼具高性能与可靠度 (2018.07.24)
德国半导体元件商英飞凌（Infineon）今日在台北宣布推出新一代搭载CoolSiC技术的MOSFET系列产品，透过其独特的碳化矽 (SiC) 沟槽式 (Trench) 技术，提供高性能、高可靠度、高功率密度，且具成本效益的电源解决方案 |
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Littelfuse SiC萧特基二极体降低能源成本和空间要求 (2018.06.30)
Littelfuse新推出五款GEN2系列1200 V 3L TO-247萧特基二极体和三款GEN2系列1200 V 2L TO-263萧特基二极体，扩充其碳化矽电源半导体产品组合。
相比矽二极体，GEN2碳化矽萧特基二极体可显着降低开关损耗，并大幅提高电力电子系统的效率和可靠性 |
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Wolfspeed最新1200V SiC MOSFET 促进电动车市场发展 (2018.06.26)
科锐旗下Wolfspeed於近日宣布推出最新第三代1200V碳化矽SiC MOSFET系列，为电动汽车动力传动系统带来性能突破。
这一开关元件能够实现高电压功率转换，进一步巩固Wolfspeed在电动汽车生态系统解决方案领域的领先地位 |
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英飞凌推出车用CoolSiC肖特基二极体 结合效能与耐用性 (2018.06.19)
英飞凌科技股份有限公司首款车用碳化矽系列CoolSiC肖特基二极体系列於日前PCIM展会上亮相，该款肖特基二极体已准备就绪，可用於目前和未来油电混合车和电动车中的车载充电器 (OBC) 应用 |
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美高森美推出专门用於SiC MOSFET的极低电感SP6LI封装 (2018.05.30)
美高森美公司(Microsemi Corporation) 发布专门用於高电流、低导通阻抗(RDSon) 碳化矽 (SiC) MOSFET功率模组的极低电感封装。
这款全新封装专为用於其SP6LI 产品系列而开发，提供适用於SiC MOSFET技术的2.9 nH杂散电感，同时实现高电流、高开关频率以及高效率 |
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美高森美下一代1200 V SiC MOSFET样品和700 V SBD (2018.05.29)
美高森美公司 (Microsemi Corporation) 宣布在下季初扩大其碳化矽(SiC) MOSFET和SiC二极体产品组合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的样品，及下一代700 V、50 A 萧特基势垒二极体(SBD)和相应的裸晶片 |
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ROHM於福冈增建新厂房 扩大SiC功率元件产能 (2018.04.19)
半导体制造商ROHM决定在ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福冈县）的筑後工厂增建新厂房，以因应日渐升高的SiC功率元件生产需求。
该新厂房为地上3层建筑，总建筑面积约11,000平方米 |
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ADI与Microsemi推出用於 SiC功率模组的高功率隔离闸极驱动器板 (2018.03.07)
亚德诺(ADI)与Microsemi Corporation近日共同推出首款用於半桥SiC功率模组的高功率评估板，该评估板在200kHz开关频率时可提供最高1200V电压及50A电流。隔离板旨在提高设计可靠性，同时减少创建额外原型的需求，为电源转换和储能客户节省时间、降低成本并缩短上市时程 |
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化合物半导体技术升级 打造次世代通讯愿景 (2017.08.24)
2016 年至 2020 年 GaN 射频元件市场复合年增长率将达到4%，如何积极因应此一趋势，善用本身优势布局市场，将是台湾半导体产业这几年的重要课题。 |
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扩增全碳化矽功率模组阵容 协助高功率应用程序 (2017.05.17)
ROHM使用新研究封装在IGBT模组市场中成功扩增涵盖100A到600A等主要额定电流范围的全SiC模组阵容，可望进一步扩大需求。 |
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东芝推出第二代650V碳化矽萧特基位障二极体 (2017.01.23)
东芝半导体与储存产品公司宣布推出第二代650V碳化矽(SiC)萧特基位障二极体(SBDs)，该产品提升了公司现行产品的涌浪顺向电流(IFSM)约70%。 8个碳化矽萧特基位障二极体的新产品线也即将出货 |
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东芝推出第二代650V碳化矽肖特基势垒二极体 (2017.01.13)
东芝公司(Toshiba)旗下储存与电子元件解决方案公司推出第二代650V碳化矽(SiC)肖特基势垒二极体(SBD)，该二极体将该公司现有产品所提供的顺向浪涌电流(IFSM)提高了约70%。新系列八款碳化矽肖特基势垒二极体出货即日启动 |
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[专栏]GaN、SiC功率元件带来更轻巧的世界 (2016.08.10)
众人皆知，由于半导体制程的不断精进，数位逻辑晶片的电晶体密度不断增高，运算力不断增强，使运算的取得愈来愈便宜，也愈来愈轻便，运算力便宜的代表是微电脑、个人电脑，而轻便的成功代表则是笔电、智慧型手机、平板 |
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英飞凌 8.5 亿美元现金收购 Wolfspeed (2016.07.18)
英飞凌科技（Infineon）与Cree公司宣布英飞凌已签订最终协议，将收购 Cree 旗下的 Wolfspeed 功率与射频部门 (「Wolfspeed」)，此收购包括功率与射频功率的 SiC 晶圆基板事业。此全额现金支付的交易的收购金额为 8.5 亿美元 (约 7.4 亿欧元) |
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高突波电流耐受量SiC萧特基二极体能大幅度改善运转时效 (2016.06.28)
SiC元件的材料物性好，已经逐渐为上述应用装置所采用。尤其是伺服器等须提升电源效率的装置，电源上使用SiC-SBD产品，就能充分发挥该产品的高速回复特性，运用在PFC电路后，可望进一步提升装置的效率 |
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Littelfuse将于2016年PCIM Europe展示市场应用解决方案 (2016.05.10)
全球电路保护领域的企业 Littelfuse公司，将出席2016年5月10-12日在德国纽伦堡举行的2016年PCIM Europe展。该展会是展示电力电子领域最新发展的世界盛会之一。本次展会上，Littelfuse将在7-140展台（7厅）展示两个全新的电源半导体系列：碳化矽（SiC）肖特基二极体和矽IGBT技术 |
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罗姆量产沟槽式SiC 导通电阻降低再下一城 (2015.08.14)
在全球功率半导体市场，SiC（碳化矽）元件的发展，一直是主要业者所十分在意的重点，理由在于它与传统的MOSFET或是IGBT元件相较，SiC可以同时兼顾高开关频率或高操作电压，反观MOSFET与IGBT只能各自顾及开关频率与操作电压，显然地SiC元件相对地较有技术优势 |
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意法半导体新款碳化矽二极体支援新能源汽车等应用 (2014.12.17)
因应逆变器小型化的挑战和强劲需求，意法半导体（ST）推出新款车规碳化矽（SiC）二极体，以满足电动汽车和插电式混合动力车（Plug-in Hybrids；PHEVs）等新能源汽车对车载充电器（on-board battery chargers；OBCs）在有限空间内处理大功率的苛刻要求 |
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散热表现将成功率半导体业者决胜关键 (2014.12.08)
随着英飞凌宣布并购IR之后，使得全球功率半导体市场的氛围更显紧张，但尽管如此，既有的高功率应用仍然有着相当高度的进入门坎，相关的功率半导体业者仍然持续推动新技术到市场上，快捷半导体（Fairchild）即是一例 |
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科锐开创性SC5技术平台实现双倍光输出 (2014.11.11)
重新定义大功率LED！科锐公司（CREE）推出开创性的SC5技术平台，在照明级LED性能方面再次实现重大突破，科锐以此新型技术平台为基础，推出超大功率（XHP）LED组件系列产品，推动下一代照明应用 |
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