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英飞凌与西门子合作 以碳化矽技术赋能资料中心及工厂电气保护 (2026.06.11)
英飞凌科技与西门子开展合作，共同提升资料中心、生产设施及电池储能系统的电气保护水准，保障运行可靠性。合作内容包括英飞凌将向西门子供应碳化矽（SiC）功率模组，用於西门子的SENTRON 3QD2半导体断路器 |
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ROHM SiC MOSFET应用於HVDC化加速发展的AI伺服器电源BBU (2026.06.09)
半导体制造商ROHM（总公司：日本京都市）的750V耐压SiC MOSFET已被应用於AI伺服器电源BBU（备用电池单元）中。随着生成式AI的普及，AI伺服器电源正加速朝向更高压及HVDC（高压直流供电）架构演进，在此背景下，ROHM的SiC MOSFET产品被选定为支援次世代电源系统的SiC功率元件 |
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Microchip 推出 3.3 kV HV-D3 mSiC 功率模组，支援 AI 资料中心固态变压器应用 (2026.05.28)
Microchip Technology今日宣布推出全新 3.3 kV HV-D3 mSiC 功率模组，专为加速 AI 超大规模资料中心与其他高电压电力应用导入固态变压器（Solid-State Transformer, SST）而设计。新模组於业界标准 62 mm 封装中整合 3.3 kV 碳化矽（SiC）mSiC MOSFET 与萧特基二极体，可实现从中压电网直接向伺服器机柜提供高效率电力传输 |
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ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！ (2026.05.19)
半导体制造商ROHM（总公司：日本京都市）开发出全新一代EcoSiC「第5世代SiC MOSFET」，非常适用於xEV（电动车）牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统，以及AI伺服器电源和资料中心等工业设备电源 |
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国科会核准5案进驻科学园区 投资7.9亿元布局SiC与AI设计服务 (2026.05.11)
国科会於第32次园区审议会中核准5案进驻科学园区，总投资金额达新台币7.9亿元。本次核准案涵盖绿能环保、第三代半导体及ASIC设计服务，显见科学园区持续吸引高阶技术投资，完善台湾高科技产业链布局，并对接全球净零碳排趋势与AI运算需求 |
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2026 ASMC半导体制造会议开幕 聚焦Glass4Chips与离子注入 (2026.05.11)
「ASMC 2026（Advanced Semiconductor Manufacturing Conference）」在纽约州正式揭幕。本届会议汇集了英飞凌（Infineon）、意法半导体（STMicroelectronics）及应用材料（Applied Materials）等龙头，核心焦点在於透过创新材料与优化设备解决3奈米以下制程的量产挑战 |
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Microchip 发表 BZPACK mSiC 功率模组，专为严苛环境中的高要求应用而设计 (2026.04.02)
Microchip Technology今日宣布推出 BZPACK mSiC 功率模组，专为符合严格的高湿度、高电压、高温反向偏压（High Humidity High Voltage High Temperature Reverse Bias, HV-H3TRB）标准而设计。BZPACK 模组可提供卓越的可靠性、简化制造流程，并为最严苛的电力转换环境提供多样化的系统整合选项 |
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Microchip 发表 BZPACK mSiC 功率模组，专为严苛环境中的高要求应用而设计 (2026.04.02)
Microchip Technology今日宣布推出 BZPACK mSiC 功率模组，专为符合严格的高湿度、高电压、高温反向偏压（High Humidity High Voltage High Temperature Reverse Bias, HV-H3TRB）标准而设计。BZPACK 模组可提供卓越的可靠性、简化制造流程，并为最严苛的电力转换环境提供多样化的系统整合选项 |
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Microchip 发表 BZPACK mSiCR 功率模组，专为严苛环境中的高要求应用而设计 (2026.03.20)
Microchip Technology今日宣布推出 BZPACK mSiC 功率模组，专为符合严格的高湿度、高电压、高温反向偏压（High Humidity High Voltage High Temperature Reverse Bias, HV-H3TRB）标准而设计。BZPACK 模组可提供卓越的可靠性、简化制造流程，并为最严苛的电力转换环境提供多样化的系统整合选项 |
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Microchip 发表 BZPACK mSiCR 功率模组，专为严苛环境中的高要求应用而设计 (2026.03.20)
Microchip Technology今日宣布推出 BZPACK mSiC 功率模组，专为符合严格的高湿度、高电压、高温反向偏压（High Humidity High Voltage High Temperature Reverse Bias, HV-H3TRB）标准而设计。BZPACK 模组可提供卓越的可靠性、简化制造流程，并为最严苛的电力转换环境提供多样化的系统整合选项 |
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IBM与Lam Research启动5年合作进军次1奈米逻辑制程 (2026.03.11)
IBM与半导体设备商科林研发（Lam Research）共同宣布一项为期5年的战略合作计画，目标要达成「次1奈米（Sub-1nm）」逻辑晶片的技术开发。这项联盟将结合IBM在先进半导体材料的研究实力，以及Lam Research在制程设备上的专业，共同应对未来AI数据中心与高效能运算（HPC）对极致算力的渴求 |
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IBM与Lam Research启动5年合作进军次1奈米逻辑制程 (2026.03.11)
IBM与半导体设备商科林研发（Lam Research）共同宣布一项为期5年的战略合作计画，目标要达成「次1奈米（Sub-1nm）」逻辑晶片的技术开发。这项联盟将结合IBM在先进半导体材料的研究实力，以及Lam Research在制程设备上的专业，共同应对未来AI数据中心与高效能运算（HPC）对极致算力的渴求 |
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科技始之於你：ST Taiwan Techday 2025 聚焦 AI、智慧移动、永续电力与边缘智慧 (2025.12.05)
服务横跨多重电子应用领域之全球半导体领导厂商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）将於 12 月 12 日在台北文创举办第二届 ST Taiwan Techday。今年以「科技始之於你（Technology Starts with You）」为主题，展现 ST 技术如何串连人、系统与智慧，并以半导体推动更智慧、更永续的未来 |
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ST Taiwan Techday 2025登场 锁定AI、智慧移动与绿能四大商机 (2025.12.05)
服务横跨多重电子应用领域之全球半导体领导厂商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）将於 12 月 12 日在台北文创举办第二届 ST Taiwan Techday。今年以「科技始之於你（Technology Starts with You）」为主题，展现 ST 技术如何串连人、系统与智慧，并以半导体推动更智慧、更永续的未来 |
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ST台湾Techday 2025登场 全面展示次世代半导体技术版图 (2025.12.04)
全球半导体大厂意法半导体（STMicroelectronics，以下简称 ST）将於 12 月 12 日在台北文创举办第二届ST Taiwan Techday。今年以「科技始之於你（Technology Starts with You）」为主题，聚焦 AI、智慧移动、永续电力与边缘智慧，强调半导体如何在使用者需求驱动下，串连人、系统与智慧，并成为推动永续与智慧化转型的核心力量 |
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ST Taiwan Techday 2025登场 全面展示次世代半导体技术版图 (2025.12.04)
全球半导体大厂意法半导体（STMicroelectronics，以下简称 ST）将於 12 月 12 日在台北文创举办第二届ST Taiwan Techday。今年以「科技始之於你（Technology Starts with You）」为主题，聚焦 AI、智慧移动、永续电力与边缘智慧，强调半导体如何在使用者需求驱动下，串连人、系统与智慧，并成为推动永续与智慧化转型的核心力量 |
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GE Aerospace第四代SiC MOSFET瞄准AI资料中心与高功率工业应用 (2025.11.13)
面对高速成长的人工智能资料中心、电动车、航空航太与高功率工业应用带来的能源挑战，GE Aerospace公司近日展示第四代碳化矽（SiC）MOSFET功率元件，成为推动新一波能源效率提升的重要技术里程碑 |
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GE Aerospace第四代SiC MOSFET瞄准AI资料中心与高功率工业应用 (2025.11.13)
面对高速成长的人工智能资料中心、电动车、航空航太与高功率工业应用带来的能源挑战，GE Aerospace公司近日展示第四代碳化矽（SiC）MOSFET功率元件，成为推动新一波能源效率提升的重要技术里程碑 |
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Littelfuse新一代汽车级栅极驱动器问世 强化SiC与IGBT控制效能 (2025.11.04)
随着电动车（EV）动力总成与高效率电源系统快速发展，能精准控制功率半导体开关的栅极驱动器（Gate Driver）成为影响系统效能与可靠度的关键元件。Littelfuse 推出全新 IX4352NEAU 汽车级低压侧栅极驱动器，以满足电动车动力系统与DC-DC转换器中对 SiC MOSFET 与 IGBT 高速控制的日益增长需求 |
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Littelfuse新一代汽车级栅极驱动器问世 强化SiC与IGBT控制效能 (2025.11.04)
随着电动车（EV）动力总成与高效率电源系统快速发展，能精准控制功率半导体开关的栅极驱动器（Gate Driver）成为影响系统效能与可靠度的关键元件。Littelfuse 推出全新 IX4352NEAU 汽车级低压侧栅极驱动器，以满足电动车动力系统与DC-DC转换器中对 SiC MOSFET 与 IGBT 高速控制的日益增长需求 |
