CTIMES- ROHM SiC MOSFET应用於HVDC化加速发展的AI伺服器电源BBU :

半导体制造商ROHM（总公司：日本京都市）的750V耐压SiC MOSFET已被应用於AI伺服器电源BBU（备用电池单元）中。随着生成式AI的普及，AI伺服器电源正加速朝向更高压及HVDC（高压直流供电）架构演进，在此背景下，ROHM的SiC MOSFET产品被选定为支援次世代电源系统的SiC功率元件。

随着生成式AI的普及，GPU的性能不断提升，资料中心的功耗急遽增加。针对此课题，相关产品正在加速采用可降低输电损耗的HVDC架构。在这种大功率、高电压环境中，为了在停电或瞬停等异常情况下保护系统及大量资料，以伺服器机架为单位进行电力补偿的BBU和CU（Capacitor Unit）变得越来越重要。

本次被采用的产品是750V耐压的SiC MOSFET「SCT4013DLL」，配置於AI伺服器用±400V供电架构的电源单元中。该产品可充分发挥SiC的特性，具备最高接面温度（Tj）达175。C的优异耐高温性能，即使在因电压和功率密度日益提升而导致发热量增加的BBU中也能稳定工作。
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