ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！

半导体制造商ROHM（总公司：日本京都市）开发出全新一代EcoSiC「第5世代SiC MOSFET」，非常适用於xEV（电动车）牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统，以及AI伺服器电源和资料中心等工业设备电源。

ROHM在开发第5世代SiC MOSFET的过程中，透过改进元件结构并优化制程，与之前的第4世代产品相比，成功将功率电子电路实际使用环境中备受重视的高温工作时（Tj=175℃）导通电阻降低约30%（相同耐压、相同晶片尺寸条件下比较）。在xEV牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中，该产品有助缩小单元体积，提高输出功率。

图1

第5代SiC MOSFET已於2025年起提供裸晶片样品，并於2026年3月完成开发。
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