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多晶硅产能吃紧 影响太阳能产业发展 (2006.02.22) 由于政府力倡太阳能,加上芯片业自网络泡沫破灭后逐日恢复元气,导致两方产业必须用到的组件多晶硅(polysilicon)供应十分紧俏。在供应大幅吃紧下,也让多晶硅价格较两年前增加逾一倍,恐将影响太阳能产业发展 |
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以创业精神再出发 联电南科大楼破土 (2006.02.17) 台湾两大晶圆厂双雄南北较劲,有别于台积电公司研发团队,一直固守新竹总公司,联华电子董事长胡国强表示,「将以创业精神再出发」,座落于台南科学工业园区内的联华电子南科研发大楼,预定2007年三月中旬完工 |
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产能低于需求 八吋晶圆缺货 (2006.02.16) 北美半导体设备暨材料协会(SEMI)旗下研究单位硅材料制造业团体(Silicon Manufacturers Group;SMG)公布去年全球硅晶圆(silicon wafer)出货统计数据,总出货面积较前年增加6%,总营收金额则增加8%,均创下新高纪录 |
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Maxim新推低电源电流升压型直流/直流转换器 (2006.02.16) Maxim推出的MAX1674是个高效率,体积小(μMax 封装)的升压的直流/直流转换器。内建一颗同步MOSFET取代外接的萧基二极管使得效率有所提升且低噪声,更省成本,静态电流也只有16μA |
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Maxim推出高效率 36V升压转换器 (2006.02.16) Maxim推出的MAX8595X/MAX8596X高效率36V升压转换器,可以定电流驱动到9颗白光LED而且提供高效率给手持装置,手机,PDA的背光模块。串连连接模式可让LED的电流相同且得到相同亮度 |
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蒋尚义:65奈米进度 手机芯片跑的快 (2006.02.15) 根据工商时报表示,台积电积极部署的65奈米制程,目前以手机芯片进度最快,台积电研发副总蒋尚义表示,目前虽在试产阶段,但是已经有样品送出(deliver)给客户;台积电内部预估,45奈米制程则可能在2007年底有所进展 |
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跌价声中 大厂持续投资NAND闪存 (2006.02.15) 尽管全球内存大厂一片看好NAND闪存,但今年以来NAND芯片现货价却呈现崩跌走势,以目前主流的2Gb NAND芯片为例,今年开春均价仍高达15美元,但昨日收盘价已接近10美元,等于在一个月余期间,价格已重挫近五成幅度 |
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美光标准型DRAM比重将降至四成 (2006.02.14) 美国DRAM大厂美光科技(Micron)举行法人说明会,总裁暨执行长爱波顿(SteveAppleton)对外宣示,未来美光将以「提升企业价值(Increasing Company Value)」为营运首要目标,藉由与英特尔、苹果计算机的合作,提高非标准型DRAM的产能比重 |
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国际大厂减少DRAM产能比重 (2006.02.14) 去年第四季应为传统标准型DRAM旺季,但是不论是DDR或DDR2,价格均面临严重向下修正压力,然今年开春以来,因芯片组缺货问题纾解,去年第四季的需求递延到今年,DDR及DDR2价格均有不错反弹,毛利率也明显提高不少 |
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易立達讀書會-第一讀 ﹕《圖解半導體》科技業的黑色鍊金術。 (2006.02.13) 易立達讀書會-第一讀 ﹕《圖解半導體》科技業的黑色鍊金術。 |
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東芝密集合縱連橫,力抗日立與英特爾 (2006.02.08) 東芝密集合縱連橫,力抗日立與英特爾 |
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东芝密集合纵连横,力抗日立与英特尔 (2006.02.08) 日本东芝(TOSHIBA)近日密集地公布与其他知名半导体厂商、合作设计开发先进半导体制造技术的计划,有意与日立(Hitachi)、三星(Samsung)及英特尔(Intel)相互抗衡。
据报导,2月初东芝、NEC与新力(SONY)共同宣布将整合研发资源,计划继Intel之后联合开发0.045微米芯片制造工艺技术 |
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Linear推出针对手持应用的电源管理解决方案 (2006.02.06) Linear Technology发表一款针对手持应用之高效率、精简电源管理解决方案LTC3550-1,具备双电源输入的锂电池充电器以及一组高效率同步降压稳压器,并全数内装于一个低高度16接脚3mm x 5mm DFN封装中 |
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尔必达提高委外代工量 力晶、中芯受惠 (2006.01.25) 日本DRAM厂尔必达看好应用在消费性电子产品、服务器等的利基型DRAM市场,宣布「首要DRAM事业」(PremierDRAM Business)策略,本身十二吋厂虽然在一月开出5万4000片月产能,但会以利基型DRAM为投片主力 |
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晶圆供应太阳能电池 年后激增 (2006.01.23) 太阳能电池大战八吋晶圆厂,两边抢晶圆态势越演越烈,日本供货商信越株式会社代理商崇越科技表示,农历年后对太阳能电池方面供应比例将快速上升,可能超越该公司对晶圆厂的供应量 |
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富士通将兴建65奈米12吋晶圆厂投入逻辑芯片生产 (2006.01.20) 富士通株式会社近日宣布将兴建一座采用65奈米先进制程技术的12吋晶圆厂,并投入高量产型逻辑芯片之生产。全新的晶圆厂将建于日本中部三重县的富士通三重厂区内,成为富士通在日本三重县的第二座12吋晶圆厂,简称为「12吋晶圆二厂」 |
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Vishay推出一款芯片电阻分压器CDHV (2006.01.19) Vishay Intertechnology宣布推出一款小型表面贴装芯片电阻分压器CDHV,该器件在高压下可实现出色的比例稳定性。这款新型电阻分压器主要用于高压电源、电源开关设备及变频器控制 |
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富士通将在日本兴建65奈米12吋晶圆厂 (2006.01.19) 富士通宣布将兴建一座采用65奈米先进制程技术的12吋晶圆厂,并投入高量产型逻辑芯片之生产。全新的晶圆厂将建于日本中部三重县的富士通三重厂区内,成为富士通在日本三重县的第二座12吋晶圆厂,简称为「12吋晶圆二厂」 |
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旺宏出售12吋厂 力晶接手 (2006.01.18) 旺宏电子和力晶半导体,分别召开董事会,会中通过双方签订备忘录(MOU),主要内容为旺宏电子将于2006年4月1日将晶圆三厂、洁净室及其附属设备,售予力晶半导体;双方同意在90奈米以下之NVM/ Flash先进制程进行合作,力晶并愿意提供12吋晶圆厂之产能以满足旺宏新世代产品成长之需求 |
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国内DRAM厂筹资 将超过300亿元 (2006.01.16) 虽然包括迪讯(Dataquest)、iSuppli在内的市场调查机构,均对今年DRAM市场景气抱持保守态度,但包括力晶、茂德、南亚科技、华亚科技在内的四家国内DRAM厂,今年仍积极扩建十二吋厂,四家业者已经开始新一轮的筹资 |