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台积电将标售六吋晶圆设备 (2001.06.18)
台积电晶圆一厂的老旧制程设备将于近日标售，不少六吋晶圆厂及二手设备商对这批设备充满兴趣。最近业界传出，一月初甫于四川成都动土的国腾通讯六吋厂，对台积电这批设备及相关技术亦有意争取，台湾一家以连接器起家的重量级科技公司可能扮演中间人，中介台积电的六吋设备前进大西部 |
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应用材料Quantum离子植入设备获联电选用 (2001.06.18)
联电已决定向应用材料公司购买多套Quantum高电流低能量离子植入设备，并安装在台南科学园区300mm 12A晶圆厂中，这是联电继去年采购应用材料多套200mm Quantum机台后的最新订单 |
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联电二季营运将出现赤字 (2001.06.16)
全球第二大晶圆代工厂商联电本月十五日第一次在美、台两地，同时发布该公司第二季的获利警讯。联电执行长张崇德预估，该公司第二季产能利用率仅为四五％，营业额较第一季下滑约三五％，第二季并将出现营运亏损，而且不排除第三季营运状况较第二季更差 |
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台积电公司捷报频传有感 (2001.06.15)
虽然半导体低迷景况是否已触底尚未明朗，然而国内晶圆代工二大龙头：台积电与联电，却已经在接单的竞争上暗潮汹涌。从目前迹象看来，彼此较狠劲的味道越来越浓，不过这几天从媒体曝露的消息来判断，联电目前似乎是处于挨打的局面，而台积电在张忠谋的稳健带领下，他口中已成为流行语的「燕子」看来已回巢了 |
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联电欲并科胜讯八吋晶圆厂 (2001.06.15)
全球通讯芯片大厂科胜讯(Conexant)近日来台兜售美国八吋晶圆厂，联电董事长曹兴诚表达了较高的意愿。日前已派遣了技术考察团前往美国看厂。近日不排除敲定该项购并案，而科胜讯允诺联电，一旦联电购并科胜讯的八吋晶圆厂后，该公司将联电视为策略伙伴，产品移往联电生产 |
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台湾光罩合并效益发酵 (2001.06.15)
台湾光罩在合并新台科技效益发酵，以及高阶光罩接单比重提升挹注下，公司预估第二季营收与获利，均将较第一季提升。第二季毛利率不但可较第一季的25％提升三至四个百分点，并可望在第四季进一步提升至财测目标31％ |
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看好光通讯发展GCS首度发表4吋自制的InP晶圆 (2001.06.14)
美商化合物半导体通讯组件供应大厂GCS(Global Communication Semiconductors)发表其自制的第一片麟化铟(InP)晶圆。GCS财务顾问陈正道表示，InP主要可供应光通讯0C768架构、3G的功率放大器、Ka-band无线功率放大器等产品使用 |
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晶圆代工厂三季晶圆出货量成长10%~15% (2001.06.14)
虽然第三季是晶圆代工传统的旺季，但根据晶圆代工业者预估，依目前的接单状况，第三季晶圆出货的成长量，可能仅较第三季成长10％至15％，不过，台积电第二季的单季晶圆(Wafer)订货量，将超过20％以上，以因应临时追加的订单 |
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台积电SOC技术获得夏普垂爱 订单涌入 (2001.06.13)
日本夏普电子（Sharp）美国研发中心宣布，未来将利用台积电的制程，生产系统单芯片(SOC)等微控制器相关产品，第三季更跨入○．一八微米，生产新一代的产品。夏普北美研发中心是夏普在日本本土以外第一个芯片研发中心 |
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胜阳光电成功开发并量产VSCEL磊芯片 (2001.06.12)
胜阳光电12日下午假六福皇宫，举行发表会，宣布成功开发VCSEL磊芯片，并且已经顺利量产。目前国内已有一些公司，已经开发出VCSEL磊芯片，但是能够顺利量产者，并不多见 |
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英特尔扩大南桥芯片的下单量 (2001.06.12)
继nVIDIA增加对台积电投片量之后，英特尔南桥芯片近期在台积电的下单量也开始增加，六月份将超过一万片的大关，高于上半年每月平均的下单量，国际大厂相继增加下单量，似乎为晶圆代工带来景气复苏的讯息 |
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芯片组厂商力捧DDR 市况仍然乐观 (2001.06.11)
目前零售组装市场上，DDR的气势受挫，RDRAM似有取而代之的态势，面对英特尔大幅降价推动RDRAM，台湾三大芯片组除扬智评估开发支持相关的芯片组，其他厂商仍然按兵不动，事实上包括AMD和nVIDIA等厂商在内，仍对今年DDR芯片组寄予厚望，业者对DDR 出货比重的估计，少则两成，多则达三、四成 |
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nVIDIA向台积电下XBOX芯片大订单 (2001.06.11)
nVIDIA将从第三季大量向台积电下单XBOX芯片，台积电预计将提供微软XBOX关键芯片的nVIDIA，据了解该公司目前在台积电的下单量每月已有万片以上的八吋晶圆，自第三季起加上XBOX的投片，数量更为可观，预计八月开始，每月投片量将增至近三万片，且半数以上集中在○．一五微米制程，如此一来，nVIDIA很可能成为台积电今年最大的客户 |
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茂硅积极展开DDR内存布局 (2001.06.10)
美商微软电玩游戏机X-Box量产在即，该机款的内存配备采用倍速数据传输 (DDR)内存，国内DRAM厂商如茂硅等公司，近来积极争取DDR内存订单，茂硅已在DDR内存领域展开布局。
茂硅7日发表256Mb DDR SDRAM产品与高密度的DDR模块样品，茂硅今年初推出128Mb DDR SDRAM后，继续推出256MbDDR SDRAM |
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茂硅积极展开DDR内存布局 (2001.06.08)
美商微软电玩游戏机X-Box量产在即，该机款的内存配备采用倍速数据传输 (DDR)内存，国内DRAM厂商如茂硅等公司，近来积极争取DDR内存订单，茂硅已在DDR内存领域展开布局。
茂硅7日发表256Mb DDR SDRAM产品与高密度的DDR模块样品，茂硅今年初推出128Mb DDR SDRAM后，继续推出256MbDDR SDRAM |
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华邦展现转型IDM厂决心 (2001.06.05)
华邦电子下半年将大举向国际IC代工厂下单，投产数据存取型闪存(Data Flash)、微控制器(MCU)及VoIP控制IC，使得产品线走向多元，分散单一内存的市场风险。华邦电4日在台北计算机展中，展出多款网络电话(VoIP)微处理器、控制IC等非内存产品，充分展现出转向整合组件大厂(IDM)的决心 |
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台积电北厂区协理曾孟超升任副总经理 (2001.06.01)
台积公司北厂区协理曾孟超升任副总经理
发布日期：民国90 年 6 月1日
台湾集成电路制造股份有限公司今(1)日宣布，自即日起北厂区协理曾孟超升任北厂区副总经理一职，掌管晶圆一、二、五厂的营运，并直接对总经理曾繁城博士负责 |
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联电宣示预测2003年制程进阶到0.1微米 (2001.05.30)
联电三座12吋晶圆厂主力制程将以跳跃式制程技术投片，由0.18微米直接升级到0.13微米，预计2003年量产制程可进阶到0.1微米，并进入0.07微米制程研发。联电29日举行技术论坛，12吋晶圆厂的设备、制程、单芯片系统组(SOC)的环境整合，以及SOC共享光罩策略(Silicon Shuttle)的导入，都是现场客户专注的焦点 |
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英特尔和Tessera合作开发CSP封装技术 (2001.05.30)
LSI封装技术公司-美商Tessera宣布将与英特尔公司共同开发新一代无线/可携式设备的半导体封装技术。双方将共建使用Tessera技术的多芯片CSP(芯片尺寸封装,Chip-Scale Packaging)合作开发机制，合作中将使用Tessera的在高度为1mm以下的封装内迭加三层芯片的封装技术 |
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中德股东会因上柜未成引发怨声连连 (2001.05.24)
硅晶圆材料供货商中德电子，近来因公司上市上柜计划忽然喊停，造成员工及小股东的不满。昨日在股东会上，小股东及员工抱怨连连，身为董事长的王钟渝则向所有的股东说抱歉，因大股东美商休斯电子(MEMC)对上市上柜仍有疑虑，所以未能如期达成，但他仍未放弃，将继续与大股东沟通 |
一个想要满足于不同市场需求的通用型Bus标准界面，能否在不断升级传输速度及加大带宽之外，达到速度、容量、质量等多元整合、提升效能为一体的愿望？
