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回顾英特尔半世纪的经典创新 (2018.06.26)
尽管目前的声势不若以往，英特尔在半导体技术上的创新可说是至今无人项背，包含创新了微处理器的设计，定义了行动处理器的架构，3D记忆体的研发。 |
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三星14nm制程技术 Tape Out完成 (2012.12.23)
即使三星电子最近被采用Exynos系列处理器之行动装置产品疑似存在着安全漏洞问题搞的乌烟瘴气，但在迈向14奈米制程技术之路一样没有任何懈怠。继格罗方德半导体以及英特尔后，三星也向外界宣布采用14奈米制程技术之行动芯片测试成功，该行动芯片不管是针对动态功耗以及漏电率方面皆有明显改善 |
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后摩尔定律时代 (2009.09.27)
知名物理学大师费曼早在多年前就预测：「其实下面还有许多空间」，英特尔科学家摩尔也据此提出晶圆效能与密度每18个月就会扩增一倍的「摩尔定律」。虽然多年来半导体工业随着摩尔定律而蓬勃发展 |
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内容处理器─彻查每个网络封包的硅技术 (2008.07.31)
恶意入侵与破坏，现在已成为所有企业所面临的重大资安威胁。麻省理工学院媒体实验室主任的尼葛洛庞帝数年前就在《数字化时代》一书中预言，未来财富将逐源自运送数据，而非运送货品 |
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英特尔45奈米SRAM芯片采用high-k和金属栅极 (2007.12.26)
英特尔（Intel）将在ISSCC 2008上发表采用high-k绝缘膜和金属栅极，以45奈米CMOS制程制作的SRAM芯片。电源电压为1.1V时，工作频率为3.5GHz。主要用于新一代Core 2微处理器的二次缓存 |
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Digi-Key与ISSI签署全球经销协议 (2007.06.06)
电子零件经销商Digi-Key Corporation与内存解决方案厂商Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)宣布签署一项全球经销协议。
ISSI为一针对数字消费性电子、网络、行动通讯和汽车电子市场设计、开发及营销高效能集成电路厂商，该公司主要产品包括高速和低功率SRAM、及低与中密度DRAM |
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联电采用浸润式微影技术产出45奈米测试芯片 (2006.11.26)
联华电子（UMC）宣布成功产出位较0.25平方微米更小的45奈米SRAM芯片，该芯片采用联电独立发展的逻辑制程，在12层重要层中使用复杂的浸润式微影术，并且结合最新的尖端技术如超浅接点技术、迁移率提升技术以及超低介电值技术（k=2.5） |
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TI、MIT与DARPA合作开发奈米SRAM芯片 (2006.02.09)
德州仪器宣布，美国麻省理工学院的研究人员将在国际固态电路会议上展出利用TI先进65奈米CMOS制程生产的超低耗电256kb SRAM测试芯片。这颗SRAM芯片是专为需要高效能和低耗电的电池操作型产品所设计，不但操作电压低于业界所有其它产品，TI还考虑将它应用在SmartReflex电源管理技术以延长行动产品的电池寿命 |
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英特尔发表45奈米制程芯片 (2006.01.26)
英特尔宣布该公司45奈米(nm)逻辑制程技术出现重大突破。该公司已经运用最新45奈米制程技术生产出一颗全功能的SRAM(静态随机存取内存)芯片。45奈米制程是英特尔下一代可量产之半导体制程技术 |
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英特尔65奈米制程SRAM现身 (2004.08.30)
英特尔运用65奈米(nm)制程技术生产70Mb静态随机存取内存(SRAM)芯片，内含超过5亿个晶体管。该产品延续英特尔每两年开发新制程技术的惯例，并符合摩尔定律的预测。新型65奈米制程技术所生产的晶体管内含的闸极(gates)仅有35奈米，较先前90奈米制程技术的闸极长度缩小达30% |
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中芯0.18微米1T-SRAM技术已获认证 (2003.05.21)
大陆晶圆代工业者上海中芯国际日前宣布，该公司以0.18微米制程试产的静态随机存取记忆体（1T-SRAM）已获供应商MoSys的认证；中芯下半年就可在大陆直接提供客户1T-SRAM制程与代工产能，并可望在嵌入式记忆体代工市场，与台积电、联电以及力晶等记忆体厂商竞争 |
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Intel开发出一平方微米的SRAM电路元 (2002.03.13)
英特尔公司研发人员已成功制造出全球最小、面积仅1平方微米的SRAM(静态随机存取内存)内存电路元。这些电路元是内存芯片的建构基础，被用于运用英特尔新一代90奈米(nm)制程技术所生产出功能完整的SRAM装置 |
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联电率光推出0.13微米2M SRAM (2000.05.21)
就当台积电5月16日即将于美国矽谷举办年度技术论坛研讨会，并陆续发布0.15微米的多项产品成功于近日量产之际，台积电头号竞争对手联华电子5月15日宣布，已成功采用0.13微米逻辑制程产出2M SRAM晶片，并于五月初产出，良率达到一定水准，成为业界宣布最早量产0.13微米的产品 |
