即使三星电子最近被采用Exynos系列处理器之行动装置产品疑似存在着安全漏洞问题搞的乌烟瘴气，但在迈向14奈米制程技术之路一样没有任何懈怠。继格罗方德半导体以及英特尔后，三星也向外界宣布采用14奈米制程技术之行动芯片测试成功，该行动芯片不管是针对动态功耗以及漏电率方面皆有明显改善。

三星宣布采用14奈米制程技术之行动芯片测试成功

三星提到目前14奈米FinFET比起32/28奈米的高介电常数金属闸极（HKGD）制程，已经大幅改善先前SoC芯片之漏电率以及动态功耗的问题。也代表三星极有可能会在往后推出的行动处理器中采用ARM big.LITTLE处理技术和14奈米制程技术，相信可以预见效能更强大的行动处理器将会缩短问世时间。而三星也协同其他伙伴（Synopsy、ARM、Cadence、Mentor）进行多种芯片测试之Tape Out。

14nm Cortex-A7处理器的顺利Tape Out也代表三星在14奈米制程技术的重大突破。三星同时发布制程技术之产品开发工具包，让其他客户能够针对14奈米FinFET测试芯片进行模型设计以及其他产品设计之用。除此之外三星更与ARM共同签订有关14奈米制程技术与IP库的合作协议，并成功研发了14奈米技术的测试处理器芯片。更与其他的合作伙伴一起完成了ARM Cortex-A7处理器、ARM big.LITTLE设置以及SRAM芯片的研发测试工作。

还记得三星于今年年中才斥资19亿美元来建立一条新的逻辑芯片生产线，新生产线将采用300mm晶圆、20/14奈米制程技术，加大逻辑芯片的产量，以满足智能型手机和平板计算机行动处理器日渐增长的大量需求。以及表示会在近期之内将会开发出内建big.Little省电配置的Exynos处理器，虽然还必须等到2014年才能达到可用的水平，但相信未来行动处理器的效能很快就能跟上PC处理器的脚步。