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提高竞争力 海力士将再关闭一座8吋厂 (2008.10.06)
海力士（Hynix）半导体宣布，将提前关闭生产效率低于12吋晶圆的8吋晶圆厂。而在工厂关闭后，DRAM和NAND闪存的主要生产工作将由12吋晶圆厂负责，此举将有效稳定财务状况并提高收益 |
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海力士打造清州厂为全球第一大NAND内存工厂 (2008.09.04)
海力士半导体位于韩国清州市、支持300mm（12吋）晶圆的新制造生产线M11落成，海力士并邀请当地政府官员等举行完工典礼。
据了解，M11将采用40nm制程，用于生产16Gbit及32Gbit等高密度NAND闪存 |
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海力士获Grandis授权 将共同开发STT-RAM技术 (2008.04.10)
南韩海力士半导体（Hynix Semiconductor）宣布，该公司已经与新一代内存STT-RAM（Spin-Transfer Torque RAM）的技术开发商Grandis，签订了STT-RAM的技术授权及共同开发协议。根据协议内容，海力士将从Grandis获得STT-RAM技术授权，未来两公司的研究人员也将在产品开发领域进行合作 |
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海力士成功开发24层NAND Flash堆栈封装技术 (2007.09.13)
海力士半导体（Hynix Semiconductor）成功开发出24层堆栈、每层厚度为25μm的NAND型闪存，总厚度为1.4mm的MCP多芯片封装。这是在目前的MCP产品之中，堆栈层数最多的一次。
海力士是于2007年5月开发出了层迭20层芯片的MCP |
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2010年两岸DRAM产量将超越南韩 (2007.05.31)
台湾和中国的DRAM总产量，将在2010年之前超过南韩。根据iSuppli预测，台湾和中国的DRAM厂陆续扩产，相较之下南韩仅有三星电子（Samsung Electronics）和海力士半导体（Hynix Semiconductor）为主要DRAM生产商，且该两厂商未来也会将生产的重心移向NAND闪存 |
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海力士获得英特尔DDR3 SDRAM产品认证 (2007.05.09)
南韩海力士半导体（Hynix Semiconductor）对外表示，该公司已经从美国英特尔（Intel）获得了DDR3同步动态随机内存（SDRAM）的产品认证。
海力士表示，此次获得的是80nm制程技术的1Gbit DDR3 SDRAM，以及该芯片应用于个人计算机（PC）大容量储存模块的认证 |
USB2.0是一种目前在PC及接口设备被广为应用的通用串行总线标准，摆脱了过去局限于PC的相关应用领域，而更深入地应用在数字电子消费产品当中。
