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CTIMES / 力旺電子
科技
典故
Intel的崛起-4004微处理器与8080处理器

Intel因为受日本Busicom公司的委托设计芯片,促成了4004微处理器的诞生,也开启了以单一芯片作成计算器核心的时代。1974年,Intel再接再厉研发出8080处理器,和4004微处理器同为CPU的始祖,也造就了Intel日后在中央处理器研发的主导地位。
力旺电子和联电合作22奈米RRAM可靠度验证 对应AIoT和行动通讯市场需求 (2023.03.28)
力旺电子与联华电子今(28)日宣布,力旺的可变电阻式记忆体(RRAM)矽智财已通过联电22奈米超低功耗的可靠度验证,为联电的AIoT与行动通讯应用平台提供更多元的嵌入式记忆体解决方案
力旺和鸨码宣布全球首个嵌入式快闪记忆体IP通过联电矽验证 (2022.06.28)
力旺电子及其子公司鸨码科技和全球半导体晶圆专工业界的领导厂商联华电子,今日共同宣布全球首个基於物理不可复制功能(PUF)的嵌入式快闪记忆体(Embedded Flash;eFlash)解决方案通过矽验证
鸨码及力旺推出新一代硬件信任根IP 满足运算安全需求 (2022.02.07)
力旺电子(eMemory)及子公司鸨码科技(PUFsecurity),作为掌握物理不可复制功能(PUF)之领先技术的晶片安全解决方案提供商,推出新一代PUFrt硬件信任根IP,打造能满足未来云端应用及各类尖端运算安全需求的解决方案
力旺电子矽智财方案 强攻高安全性NB-IoT晶片市场 (2020.05.22)
嵌入式非挥发性记忆体与安全矽智财供应商力旺电子今日宣布,其OTP与PUF整合矽智财已攻入窄带物联网(Narrow Band Internet of Things;NB-IoT)产品,提供高安全性之解决方案,瞄准日益成长的NB-IoT市场需求
力旺电子获德国莱因车用及工业功能安全双验证 (2019.09.20)
力旺电子为逻辑制程非挥发性记忆体 (Logic-Based Non-Volatile Memory,Logic NVM)技术开发及矽智财(Silicon IP)供应大厂,其NeoBit和NeoEE产品已於近日通过德国莱因的ISO 26262: 2018 (ASIL D) & IEC 61508:2010 (SIL3)验证,是半导体界少数具有完整车用功能性安全的IP解决方案,也是目前在大中华区内唯一获双验证的矽智财公司
力旺电子矽智财获ISO 26262与IEC61508车用及工业功能安全产品双认证 (2019.09.09)
力旺电子今日宣布其NeoBit与NeoEE矽智财通过德国莱因的ISO 26262: 2018 (ASIL D)与IEC 61508:2010 (SIL3)认证,是半导体界少数具有完整车用功能性安全的矽智财解决方案,也是目前在大中华区内唯一获双认证的矽智财公司
力旺电子NeoMTP成功导入格芯130nm BCDLite及BCD制程平台 (2018.12.17)
力旺电子今日宣布,其嵌入式可多次编写(MTP)记忆体矽智财NeoMTP已成功导入格芯130nm BCD与BCDLite制程平台,专攻消费性及车用市场,以及日益增加的无线充电和USB Type C应用之需求
力旺电子将於TSMC 7nm制程推出安全防护功能更强的记忆体IP (2018.04.27)
力旺电子今天宣布其安全记忆体矽智财NeoFuse已成功在台积高阶制程平台完成验证,并即将在台积7nm制程推出更多安全防护功能,提供人工智慧(AI)结合物联网(IoT)的AIoT和高阶车用晶片最根本的资安保护
力旺电子和Europractice合作协助欧洲IC产业创新 (2018.04.02)
力旺电子和欧洲顶尖奈米电子研究机构IMEC今天宣布一项合作计画,将力旺的嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)矽智财提供给欧洲学术界和新创公司使用。这项合作计画将有助IMEC促进欧洲IC产业创新,也将进一步扩大力旺矽智财在欧洲的渗透率
力旺电子推出最新车规嵌入式EEPROM IP编写次数达50万次以上 (2017.10.25)
力旺电子最新推出编写次数超过50万次的嵌入式EEPROM(电子抹除式可复写唯读记忆体)矽智财(Silicon IP),符合高温、耐用及生命周期长的车规标准,为力旺在车用电子市场的最新布局
力旺电子为物联网应用推出超低功耗MTP硅智财 (2015.06.08)
力旺电子宣布,其新开发之超低功耗多次可程序(Multiple-Time Programmable,MTP)硅智财具有3uW以下低读取功耗、0.7 V低读取电压、10万次以上多次存取、尺寸微小与优异的成本优势
力旺电子NeoFuse技术于16nm FinFET成功完成验证 (2015.05.06)
力旺电子宣布,其单次可程序(One-Time Programmable, OTP)NeoFuse技术于16奈米鳍式晶体管(Fin Field-Effect Transistor,FinFET)制程平台成功完成验证,并在今年度完成硅智财开发和导入客户应用
晶心与力旺共推芯片安全防护解决方案 (2015.03.30)
随着物联网的快速发展,使得各种系统与电子产品资料透过网路紧密相连,在使用者对资料安全与保护机制的高度重视下,激发相关晶片安全防护解决方案的强烈需求。着眼物联网市场之发展趋势
力旺80奈米高电压制程验证成功 抢攻智能手机市场 (2011.06.15)
力旺电子近日宣布,其单次可程序内存硅智财NeoBit,已于台湾一线晶圆代工厂80奈米12吋晶圆厂完成可靠度验证,并已成功导入客户产品试产,未来将应用于下一世代智能型手机之高画质显示驱动芯片(Display Driver ICs)
力旺电子NeoFlash抢搭触控与节能热潮 (2011.04.06)
力旺电子于日前宣布,其嵌入式闪存硅智财NeoFlash除可广泛使用于MCU、消费性电子产品外,近期内已成功实现于触控芯片与电池容量侦测芯片厂商产品上,提供具成本优势之嵌入式闪存解决方案
力旺NeoFlash提供可靠的车规嵌入式闪存 (2010.12.22)
力旺电子近日宣布,继推出车规NeoBit OTP之后,力旺电子凝聚创新开发续航力,嵌入式闪存硅智财NeoFlash亦于技术上大幅跃进,应用范围自消费性电子如触控面板(Touch Panel)、微控制器(MCU)、无线射频识别(RFID)等产品
力旺电子新技术可协助IC设计业降低30%成本 (2010.11.18)
力旺电子近日宣布,该公司近期开发的嵌入式非挥发性内存创新技术,可协助IC设计公司降低设计与制造成本近30%,为台湾IC设计产业提供创新成本解决方案,更有利于各电子厂商抢攻正在快速成长的中国大陆消费电子产品市场
力旺Neobit技术率先导入于车规 IC制程平台 (2010.07.28)
嵌入式非挥发性内存厂商力旺电子宣布,其Neobit技术已率先导入于0.25微米车规IC制程平台,并已于2010年Q2完成可靠度验证,成功自工规领域迈进车规市场,未来更将强化与晶圆代工伙伴间之策略联盟,持续开发先进高阶制程之OTP技术,期能针对规格要求严格之汽车电子产业客户,提供更稳固可靠的嵌入式非挥发性内存技术及制程平台导入
力旺与韩商美格纳合作建构0.11um之NVM制程平台 (2010.03.11)
力旺电子(eMemory)与韩商美格纳(MagnaChip)昨日(3/10)宣布,由力旺电子开发之Neobit嵌入式非挥发性内存技术,已建构于美格纳0.11um 高压先进制程平台,并将于2010年Q1进入量产
力旺推出新一代OTP低成本量产解决方案 (2009.05.21)
嵌入式非挥发性内存硅智财厂商力旺电子因应量产客户需求,于日前推出独家新型OTP低成本量产解决方案NeoROM,有效降低大量量产成本。此方案能够依据不同产品需求与应用领域之特质,让用户搭配组合适用的量产模式,同时兼顾验证时的弹性与测试成本,建构更具效率的测试、量产与库存管理,使量产顾客受惠更深

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