力旺电子(eMemory)与韩商美格纳(MagnaChip)昨日(3/10)宣布,由力旺电子开发之Neobit嵌入式非挥发性内存技术,已建构于美格纳0.11um 高压先进制程平台,并将于2010年Q1进入量产。
具备NVM之高压制程,主要应用于液晶显示器驱动芯片与电源管理芯片产品,例如中小尺寸TFT-LCD面板、各类型行动装置,以及LED照明应用等,皆能受惠于嵌入式非挥发性内存技术而大幅提高生产弹性,缩短产品上市时程。目前力旺电子与美格纳合作之技术平台涵括0.35um, 0.18um, 0.15um, 0.13um之逻辑、模拟与高压制程,力旺电子并表示该项产品已获得台湾、欧美、韩国与中国地区等地客户的广泛采用。
美格纳制造服务工程资深副总TJ Lee表示,为客户创造最创新与成本低廉的制造解决方案是美格纳努力的目标,结合美格纳卓越的制造专业与力旺优异的Neobit 嵌入式非挥发性内存技术,将能提供客户于产品应用上之最佳解决方案。