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ST推出低损耗1200V IGBT产品系列 (2009.10.16)
意法半导体（ST）推出新系列功率晶体管，可最大限度降低马达控制电路的两大能耗来源，减轻家电、HVAC系统以及工业机器等日用设备对环境的影响。STGW30N120KD和STGW40N120KD是两款低导通损耗的绝缘栅双极晶体管（IGBT；Insulated Gate Bipolar Transistor），可降低开关损耗 |
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Diodes推出新型双MOSFET组合式组件 (2009.07.07)
Diodes公司近日推出了新型的ZXMC10A816组件，它把一对互补性的100V增强式MOSFET结合于一个SO8封装，性能可以媲美体积更大的个别封装零件。ZXMC10A816适用于H桥电路，应用范围包括DC散热扇和反相器电路、D类放大器输出级，以及其他多种类型的48V应用 |
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英飞凌推出新型高功率LDMOS晶体管系列产品 (2009.06.18)
英飞凌科技于在美国波士顿所举办的IEEE MTT-S国际微波技术研讨会(International Microwave Symposium)上宣布推出可供设计宽带无线网络基地台的高功率LDMOS晶体管系列产品。新型晶体管的功率位准高达300W，视讯带宽超过90 MHz，完全支持由3G发展为4G无线网络所需的高峰值对均值功率比(peak to average power ratio)以及高数据传输速率规格 |
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英飞凌发表搭载整合式分流器的MIPAQ base模块 (2009.06.16)
英飞凌科技日前于上海举办的PCIM China展览会暨研讨会上宣布绝缘闸双极性晶体管(IGBT) MIPAQ base模块之量产。 MIPAQ（整合电源、应用及质量的模块）base模块，整合IGBT六单元(six-pack)组态及电流感应分流器，非常适用于高达55 kW之工业驱动装置和伺服机的低感应系统设计 |
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ST推出创新的高压晶体管技术 (2009.05.14)
意法半导体推出全新功率MOSFET系列产品，结合更高的击穿电压技术、更强的耐用性，以及更低的电能耗损率，相当适合液晶显示器、电视及节能灯具整流器等需要高效能电源的应用 |
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NXP针对L波段雷达应用推出RF功率晶体管 (2008.11.24)
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）扩张其RF Power 晶体管产品线，推出最新针对L波段雷达应用的横向扩散金属氧化物半导体（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，以下简称LDMOS)晶体管，该晶体管在1.2GHz到1.4GHz的频率之间提供高达500W的突破性的RF输出功率 |
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安森美推出新微型封装的晶体和二极管 (2008.08.13)
安森美半导体(ON)扩充离散组件封装系列，推出新微型封装的晶体管和二极管。新的封装技术能配合今日空间受限的便携设备的严峻设计需求。
安森美半导体标准产品部全球市场营销副总裁麦满权说：「对我们的可携式产品客户来说，小尺寸、低高度且同时具备功率密度都是设计流程中相当关键的参数 |
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Sony投3.72亿美元提高锂电池产能 (2008.08.08)
外电消息报导，Sony日前表示，由于手机、数字相机以及其他消费性电子产品对锂电池的需求量大幅成长，因此该公司将投资3.72亿美元的经费，扩增锂电池的生产设备，以提高锂电池的生产能力 |
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英飞凌推出新款无线基础设施专用射频功率晶体 (2008.06.30)
英飞凌科技(Infineon)宣布推出新款 700 MHz 频段无线基础设施专用射频功率晶体系列。 这个频段将在美国用来导入 4G（第四代）移动电话、行动电视广播与其他行动宽带服务，包括下一代的无线网络标准-LTE（长期演进技术） |
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英飞凌推出700 MHz频段射频功率晶体系列 (2008.06.27)
英飞凌科技(Infineon)宣布推出新款 700 MHz 频段无线基础设施专用射频功率晶体系列。 这个频段将在美国用来导入 4G（第四代）移动电话、行动电视广播与其他行动宽带服务，包括下一代的无线网络标准-LTE（长期演进技术） |
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Vishay推出新型20Vp信道TrenchFET功率MOSFET (2008.06.20)
Vishay Intertechnology, Inc.推出新型20Vp信道TrenchFET功率MOSFET，该器件采用MICRO FOOT芯片级封装，具有业界最小占位面积以及1.2 V时业界最低的导通电阻。
凭借1.2mm×1.0mm的超小占位面积，Si8445DB比业界大小仅次于它的器件小20%，同时具有0.59mm的相同超薄浓度 |
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Vishay推出新型Siliconix功率MOSFET (2008.06.05)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出15款采用2 mm×2 mm的PowerPAK SC-70封装、浓度为0.8 mm的新型功率MOSFET。
新产品包括用于不同应用的各种配置及额定电压，除了n信道及p信道的互补对外，还包括n信道及p信道的单路、单路带肖特基二极管的及双路的器件 |
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安森美扩展MOSFET驱动器集成电路(IC)系列 (2008.04.15)
安森美半导体(ON Semiconductor)扩展MOSFET驱动器集成电路(IC)系列，推出四款新组件：NCP5106、NCP5104、NCP5111和NCP5304。这些新的功率门驱动器针对中低功率应用，适用于终端产品包括白家电、照明电子整流器和马达控制等工业应用 |
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Vishay推出新型VEMT系列硅NPN光电晶体管 (2008.04.13)
Vishay推出采用可与无铅(Pb)焊接兼容的PLCC-2表面贴装封装的新系列宽角光电晶体管。VEMT系列中的器件可作为当前TEMT系列光电晶体管的针脚对针脚及功能等同的器件，从而可实现快速轻松的替代，以满足无铅(Pb)焊接要求 |
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英飞凌推出新型LDMOS射频功率晶体管 (2008.04.07)
英飞凌科技(Infineon)发表两款新型LDMOS射频功率晶体管，适用于无线通信基础架构应用领域，例如2.5 GHz至2.7 GHz之WiMAX。这两款新产品提供之输出功率峰值可达170瓦，进一步扩大英飞凌为WiMAX领域所提供射频功率晶体管之产品种类，现有产品功率包括10瓦、45瓦及130瓦 |
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Vishay推出新系列半桥绝缘栅双极型晶体管 (2008.03.17)
Vishay宣布推出采用业界标准Int-A-Pak封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。该系列由八个600V及1200V器件组成，这些器件采用多种技术，可在标准及超快速度下实现高开关工作频率 |
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Zetex新型无铅MOSFET成功把电路面积减一半 (2008.03.11)
模拟讯号处理及功率管理方案供货商Zetex Semiconductors(捷特科)公司，推出其首项采用无铅式2 x 2毫米DFN封装的MOSFET产品。这款ZXMN2F34MA组件的PCB面积比业内采用标准SOT23封装的组件小50%，离板高度只有0.85毫米，适用于各类型空间有限的开关和功率管理应用，例如降压/升压负载点转换器中的外部开关装置 |
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IR推出600V绝缘栅双极晶体管(IGBT)系列 (2008.03.07)
国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出600V绝缘栅双极晶体管(IGBT)系列，能够在最高3kW的不断电系统(UPS)及太阳能转换器，减少高达30%的功率耗损。
这款新特定应用组件利用IR最新一代的场终止沟道技术降低传导和开关损耗，并为低短路要求的20kHZ开关作出优化，提升UPS和太阳能转换器应用的功率转换效率 |
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Digi-Key开始库存Cree的SiC RF Power MESFET (2008.03.06)
Digi-Key与宽带隙晶体管及射频集成电路(RFIC)厂商Cree宣布 ，Cree的碳化硅(SiC)金属半导体场效晶体管(MESFET)已由Digi-Key库存，并已可开始出货。
Digi-Key Corporation是板级组件之电子组件及配件多元经销商，该公司专注于产品选择与其对目录上产品建立100%库存的承诺，使其能便利地提供各种工业和商业领域等广泛客户所需 |
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新型英飞凌MOSFET家族降低功率损耗达30% (2008.02.27)
英飞凌科技(Infineon)在应用电源电子研讨会（APEC）上宣布在OptiMOS 3 N信道MOSFET(场效应晶体管)产品阵容，新增三个新的功率半导体家族：OptiMOS 3 40V、60V和80V，在关键功率转换规格如通态电组的指针性能，可降低标准晶体管型封装(TO)的功率损失达30％ |
