英飞凌科技于在美国波士顿所举办的IEEE MTT-S国际微波技术研讨会(International Microwave Symposium)上宣布推出可供设计宽带无线网络基地台的高功率LDMOS晶体管系列产品。新型晶体管的功率位准高达300W，视讯带宽超过90 MHz，完全支持由3G发展为4G无线网络所需的高峰值对均值功率比(peak to average power ratio)以及高数据传输速率规格。

新型晶体管系列产品所提供的高增益及高功率密度，优于在1.4 - 2.6 GHz行动频带中运作的其他装置。如此将可使用体积减少30%的套件，设计更小型且成本更低的放大器。高峰值功率有助于设计Doherty放大器，以及减少其他架构中的零件数量。

德国英飞凌科技RF功率部门副总裁暨总经理Helmut Vogler表示，缩减功率放大器的尺寸，同时提供优异的能源效率，造就了更小型的基地台，进而让制造商能够以最适成本，提供高效、环保的系统解决方案。

这批新型晶体管以双载波WCDMA讯号（2170 MHz、30V、8 dB PAR及3.84 MHz信道带宽）所测得的效能为50W平均功耗、18 dB增益，效率28%（使用230W之P-1dB输出功率的晶体管）。300W(P-1dB)装置于相同应用条件下，所测得的效能为65W平均功率、18 dB增益，效率28%。

所有新型PTFB系列晶体管皆采用开放式共振腔(open-cavity)陶瓷封装，供螺栓式(bolt-down)或无耳式(earless)安装。这些产品皆无铅并符合ROHS规范。前六种产品的样品目前已可供货。