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宜普电源推出450 V增强型氮化镓功率晶体管 (2015.01.15)
具备４奈秒上升时间特性的450 V氮化镓场效应功率晶体管(eGaN FET)并适合于高频直流-直流转换器及医疗诊断仪器的应用。
宜普电源（EPC）推出450 V并通常处于关断状态的增?型功率晶体管（EPC2027），可用于需要高频开关的应用，从而实现更高的效率及功率密度 |
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ECS新增三款全新超小型石英晶体振荡器 (2015.01.12)
全球创新设计和制造硅基频率控制产品的厂商ECS Inc. International新增三款固定频率石英晶体振荡器产品：超小型ECX-2033-AU、超小型ECX-53B-CKM石英晶体，以及超小型ECX-1247石英晶体 |
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Diodes全新MOSFET闸极驱动器提升转换效率 (2015.01.08)
Diodes公司推出一对1A额定值的40V轻巧闸极驱动器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY，能用在控制板上和嵌入式电源以及马达驱动电路的高电流功率MOSFET。ZXGD3009E6（采用SOT26封装）和 ZXGD3009DY（采用SOT363封装）可缩短MOSFET的开关时间，有助于尽量降低开关损耗、改善功率密度，以及提升整体转换效率 |
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宜普电源推出单片半桥式氮化镓功率晶体管 (2014.12.09)
为了协助功率系统设计增加效率与功率密度，宜普电源转换公司（EPC）推出60 V单片半桥式氮化镓功率晶体管-- EPC2101。透过整合两个eGaN功率场效应晶体管而成?单个组件，可以除去互连电感及电路板上组件之间所需的空隙，使得晶体管的占板面积?少50% |
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大联大友尚推出德州仪器全整合型Thunderbolt DC/DC电源解决方案 (2014.12.09)
大联大控股旗下友尚将推出德州仪器（TI）首款针对总线供电 Thunderbolt 应用的全面整合电源解决方案。此次推出的TPS65980 DC/DC开关稳压器是经TI认证的Thunderbolt单埠外设参考设计的核心组件，不仅可简化电源链，而且还可加速硬盘驱动器、固态驱动器，以及影音解决方案等总线供电应用的设计 |
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Diodes初级侧转换器降低电源大小及成本暨提升效能 (2014.12.05)
Diodes公司推出脱机式初级侧开关控制器AP3988，旨在为充电器、ADSL转接器和家电电源降低成本，以及提升电源效能。新组件提供初级侧控制，不需光耦合器和二次侧控制电路，从而减少组件数量，以及节省电路板空间和成本 |
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美高森美太空产品长期促动罗塞塔号探测器任务 (2014.12.03)
美高森美太空产品逾一万五千个部署于长达十年的罗塞塔号探测器任务
美高森美公司（Microsemi）祝贺欧洲太空总署（ESA）、美国国家航空暨太空总署（NASA）和其合作伙伴的罗塞塔号（Rosetta）探测器成功达到了观测67P/Churyumov-Gerasimenko彗星的任务目标 |
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IR推出电池保护应用MOSFET系列 (2014.12.02)
国际整流器公司 (International Rectifier；IR) 针对锂离子电池保护应用推出一系列IR最新低电压MOSFET硅技术组件，包括IRL6297SD双信道DirectFET MOSFET。
全新功率MOSFET备有极低的导通电阻，藉以大幅减少导通损耗，提供20V和30V N信道及P信道组态组件 |
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意法半导体新650V超接面MOSFET提升安全系数 (2014.12.02)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）的最新超接面（super-junction）功率MOSFET可满足家电、低功耗照明以及太阳能微逆变器对电源能效的要求，同时提供更高的可靠性和最新且可满足高功率密度的封装选项 |
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英飞凌推出独立IGBT TO-247 4 Kelvin-Sense封装新版本 (2014.11.12)
英飞凌科技（Infineon）的IGBT产品阵容的TO-247封装推出新版本。全新TO-247 4 Kelvin-Sense封装满足了更高功率密度、高效率与体积精简的需求。创新的TO-247 4封装搭配英飞凌TRENCHSTOP 5 IGBT与Rapid 二极管技术，提供了卓越效率 |
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意法半导体RF晶体管高电压新技术 实现高可靠度E级工业电源 (2014.11.05)
意法半导体600W－250V 的13.6MHz RF功率晶体管STAC250V2-500E拥有先进的稳定性和高功率密度。采用热效率（thermally efficient）极高的微型封装，可用于高输出功率的Ｅ级工业电源 |
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鳍式场效晶体管集成电路设计与测试 (2014.11.03)
鳍式场效晶体管的出现对集成电路物理设计及可测性设计流程具有重大影响。鳍式场效晶体管的引进意味着在集成电路设计制程中互补金属氧化物（CMOS）晶体管必须被建模成三维（3D）的组件，这包含了各种复杂性和不确定性 |
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IR扩充超高速沟道IGBT系列 (2014.10.22)
因应多样化系统应用的需求，国际整流器公司（International Rectifier；IR）推出多款坚固可靠的650V IRGP47xx组件，藉以扩充绝缘闸双极晶体管（IGBT）系列。新产品旨在为多种快速开关应用作出优化，包括太阳能逆变器、焊接设备、工业用马达、感应加热及不间断电源 |
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Diodes达灵顿数组能驱动大电感负载 (2014.10.17)
Diodes公司推出高效能低成本的达灵顿（Darlington）数组ULN2000系列。该系列符合业界标准，结合7款开路电极达灵顿晶体管，每款都能以额定50V输出提供高达500mA的输出电流。
全新的达灵顿数组备有箝位二极管，可直接驱动多种电感负载，包括家电及工业产品的继电器和步进马达 |
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宜普300 V氮化镓功率晶体管因应高频应用需求 (2014.10.03)
宜普公司为功率系统设计师提供一种上升时间为2奈秒(ns)并面向高频直流-直流转换器及医疗诊断仪器的300 V氮化镓场效应功率晶体管(EPC2025)。
宜普电源(EPC)推出300 V功率晶体管(EPC2025),可用于需要高频开关的应用,从而实现更高效率及更高功率密度 |
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从电动车到智能车 英飞凌打通车电任督二脉 (2011.04.07)
全球汽车电子和模拟电源芯片大厂英飞凌（Infineon）在出售旗下无线通信事业群之后，已经完成另一波新型态的组织再造作业。展望未来成长可期的汽车电子领域，英飞凌除了继续稳建地累积关键组件的技术优势之外，同时也积极开创多层面的新商机 |
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NXP发布120W DVB-T输出功率LDMOS超高频晶体管 (2010.10.06)
恩智浦半导体（NXP）近日宣布，推出广播发射器和工业用的600W LDMOS超高频（UHF）射频功率晶体管BLF888A，其支持470至860MHz的完整超高频DVB-T讯号，平均输出功率120W，效率可达31%以上 |
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瑞萨以1/2封装尺寸实现最高75安培电流 (2010.09.08)
瑞萨电子近日宣布，推出七款采用HSON封装之功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），适用于汽车电子控制单元，例如引擎管理及电子帮浦马达控制等应用。
新产品包括额定电压40V及60V的N Channel MOSFET，及额定电压–30V的P Channel MOSFET，可应用于各类螺线管、马达开关，或电池正负极逆向保护 |
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CISSOID引入新系列P信道高温功率MOSFET晶体管 (2010.03.01)
高温半导体解决方案的CISSOID，引进VENUS的新系列高温30V的P信道功率MOSFET晶体管，其保证操作在摄氐负55度到225度之间。P信道功率MOSFETs的VENUS系列命名为CHT-PMOS3002，CHT-PMOS3004及CHT-PMOS3008，其最大漏电流额定分别为2A、4A及8A |
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ON扩充功率开关产品阵容推出高压MOSFET系列 (2010.02.23)
安森美半导体（ON）于昨日（2/22）宣布，推出包括500 V和600 V组件的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管系列。这些新方案的设计适合功率因子校正和脉冲宽调变段等高压、节能应用的强固要求，在这些应用中，加快导通时间及降低动态功率损耗至关重要 |
