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英飞凌闸极驱动 IC 1EDN提供低功耗和高稳定度 (2016.11.09)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技（Infineon）推出 1EDN EiceDRIVER 系列产品。该款 1 通道的低侧闸极驱动 IC 适用于驱动 MOSFET、IGBT 以及 GaN 等功率装置。其脚位输出与封装方式完全相容于业界标准，便于直接在现有设计中作替换 |
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英飞凌闸极驱动 IC 1EDN提供低功耗和高稳定度 (2016.11.09)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技（Infineon）推出 1EDN EiceDRIVER 系列产品。该款 1 通道的低侧闸极驱动 IC 适用於驱动 MOSFET、IGBT 以及 GaN 等功率装置。其脚位输出与封装方式完全相容於业界标准，便於直接在现有设计中作替换 |
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Dialog加入功率元件市场战局 GaN应用成长可期 (2016.08.26)
随着去年Dialog取得了国内敦宏科技40%的股份后，国际Fabless业者Dialog于今日又有重要动作。此次的重大发布是与晶圆代工龙头台积电（TSMC）在GaN（氮化镓）元件的合作。
透过台积电以六吋晶圆厂的技术 |
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Dialog加入功率元件市场战局 GaN应用成长可期 (2016.08.26)
随着去年Dialog取得了国内敦宏科技40%的股份後，国际Fabless业者Dialog於今日又有重要动作。此次的重大发布是与晶圆代工龙头台积电（TSMC）在GaN（氮化??）元件的合作。
(圖一)Dialog企业发展及策略资深??总裁Mark Tyndall
透过台积电以六寸晶圆厂的技术 |
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充电转接器更高效率／小体积 Dialog推GaN功率IC (2016.08.25)
随着智慧型手机、平板电脑中的应用程式推陈出新，消费者越来越依赖行动装置中的社交软体，另一方面，前阵子手机游戏Pokemon Go（宝可梦Go）在台正式上线，这些应用程式对於功耗的需求相当强烈，消费者无不希??电源补给速度可更加提升 |
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充电转接器更高效率／小体积 Dialog推GaN功率IC (2016.08.25)
随着智慧型手机、平板电脑中的应用程式推陈出新，消费者越来越依赖行动装置中的社交软体，另一方面，前阵子手机游戏Pokemon Go（宝可梦Go）在台正式上线，这些应用程式对于功耗的需求相当强烈，消费者无不希望电源补给速度可更加提升 |
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[专栏]GaN、SiC功率元件带来更轻巧的世界 (2016.08.10)
众人皆知，由于半导体制程的不断精进，数位逻辑晶片的电晶体密度不断增高，运算力不断增强，使运算的取得愈来愈便宜，也愈来愈轻便，运算力便宜的代表是微电脑、个人电脑，而轻便的成功代表则是笔电、智慧型手机、平板 |
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[专栏]GaN、SiC功率元件带来更轻巧的世界 (2016.08.10)
众人皆知，由於半导体制程的不断精进，数位逻辑晶片的电晶体密度不断增高，运算力不断增强，使运算的取得愈来愈便宜，也愈来愈轻便，运算力便宜的代表是微电脑、个人电脑，而轻便的成功代表则是笔电、智慧型手机、平板 |
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是德科技将低频杂讯分析仪紧密整合入晶圆级解决方案平台 (2016.07.22)
先进低频杂讯分析仪与WaferPro Express的整合，可实现统包式杂讯量测解决方案，并提供直流特性、电容和RF S参数量测功能。
是德科技（Keysight）日前发表最新版的高效能先进低频杂讯分析仪（A-LFNA）软体，以协助工程师执行快速、准确、可重复的低频杂讯量测 |
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是德科技将低频杂讯分析仪紧密整合入晶圆级解决方案平台 (2016.07.22)
先进低频杂讯分析仪与WaferPro Express的整合，可实现统包式杂讯量测解决方案，并提供直流特性、电容和RF S叁数量测功能。
(圖一)新的先进低频杂讯分析仪可对整个晶圆执行独特的元件杂讯量测与建模，软体模组可量测直流特性、1/f杂讯、 随机电报杂讯，并进行资料分析 |
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一起实现氮化镓的可靠运行 (2016.06.24)
我经常感到不解，为何我们的产业不在加快氮化镓 (GaN) 电晶体的部署和采用方面增强合作力度；毕竟，浪潮之下，没人能独善其身。每年，我们都看到市场预测的前景不甚令人满意 |
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TI再推GaN元件 功率半导体市场波澜渐生 (2016.05.23)
谈到功率半导体市场，我们都知道英飞凌长年居於龙头地位，当然，在该市场中，TI（德州仪器）也一直以主要供应商自居，在电源管理领域不断推出新款的解决方案。
(圖一)TI Broad Market Power??总裁暨总经理Hagop Kozanian
自去年三月 |
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TI再推GaN元件 功率半导体市场波澜渐生 (2016.05.23)
谈到功率半导体市场，我们都知道英飞凌长年居于龙头地位，当然，在该市场中，TI（德州仪器）也一直以主要供应商自居，在电源管理领域不断推出新款的解决方案。
自去年三月，TI推出了以GaN（氮化镓）为基础的80V功率模组，而今年五月，更推出了高达600V的整合方案LMG3410，试图扩大在功率半导体市场的影响力 |
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是德科技与三安集成策略合作推出HBT、pHEMT制程设计套件 (2016.05.03)
是德科技软体和服务可协助三安集成加速完成HBT和pHEMT制程PDK的开发制作可靠、高功率的先进pHEMT及HBT元件，缩短产品上市时间。
是德科技（Keysight）日前宣布与中国厦门三安集成签署合作备忘录（MoU），双方将以是德科技先进设计系统（ADS）软体为基础，共同合作开发适用于三安集成的HBT和pHEMT制程的先进制程设计套件（PDK） |
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是德科技与三安集成策略合作推出HBT、pHEMT制程设计套件 (2016.05.03)
是德科技软体和服务可协助三安集成加速完成HBT和pHEMT制程PDK的开发制作可靠、高功率的先进pHEMT及HBT元件，缩短产品上市时间。
(圖一)三安集成新推出的PDK让射频和微波设计工程师能透过一套完整的设计与模拟工具，快速开发 GaAs HBT和pHEMT元件 |
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科学家开发下一代「完全整合」LED组件 (2013.06.30)
伦斯勒理工学院(Rensselaer Polytechnic Institute)的智能照明工程技术研究中心稍早前宣布，已经成功地在相同的氮化镓(GaN)上整合LED和功率晶体管。研究人员称这项创新将敲开新一代LED技术的大门，因为它的制造成本更低、更有效率，而且新的功能和应用也远超出照明范畴 |
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科学家开发下一代「完全整合」LED元件 (2013.06.30)
伦斯勒理工学院(Rensselaer Polytechnic Institute)的智慧照明工程技术研究中心稍早前宣布，已经成功地在相同的氮化??(GaN)上整合LED和功率电晶体。研究人员称这项创新将敲开新一代LED技术的大门，因为它的制造成本更低、更有效率，而且新的功能和应用也远超出照明范畴 |
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欧洲高能效功率芯片项目成果斐然 (2013.05.28)
欧洲奈米电子行动顾问委员会（ENIAC）联盟（JU）日前公布为期三年的LAST POWER项目开发成果。此项目于2010年4月启动，目标在于研发高成本效益且高可靠性的功率电子技术，聚集了宽能隙功率半导体组件（Wide Bandgap Power Semiconductor）领域的民营企业、大学和公共研究中心 |
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欧洲高能效功率晶片专案成果斐然 (2013.05.28)
欧洲奈米电子行动顾问委员会（ENIAC）联盟（JU）日前公布为期三年的LAST POWER专案开发成果。此专案於2010年4月启动，目标在於研发高成本效益且高可靠性的功率电子技术，聚集了宽能隙功率半导体元件（Wide Bandgap Power Semiconductor）领域的民营企业、大学和公共研究中心 |
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Tektronix：提高能源效率是数字时代的趋势与挑战 (2013.03.20)
随着数字时代极速的更迭，无线技术已经充斥应用在我们日常生活之中，市场预估2020年网络的行动装置数量将达到500亿台，而全球无线配件市场更将从2011的340亿美元，于2015年可望成长到502亿美元 |
IEEE的创立，是在于主导电子学的地位、促进电子学的创新，与提供会员实质上的协助。
