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英飞凌携手Worksport 以氮化??降低可携式发电站重量和成本 (2024.03.13)
英飞凌科技宣布与 Worksport合作，共同利用氮化??（GaN）降低可携式发电站的重量和成本。Worksport 将在其可携式发电站转换器中使用英飞凌的 GaN 功率半导体 GS-065-060-5-B-A 提高效能和功率密度 |
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锁定5G先进基地台及行动装置应用 imec展示高效能矽基氮化?? (2023.12.14)
於本周举行的2023年IEEE国际电子会议（IEDM）上，比利时微电子研究中心（imec）发表了在8寸矽晶圆上制造的氮化铝（AlN）／氮化??（GaN）金属绝缘体半导体（MIS）高电子迁移率电晶体（HEMT），该元件能在28GHz的操作频率下展现高输出功率及能源效率 |
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大联大诠鼎推出高效超薄型200W LED驱动电源方案 (2022.09.15)
大联大控股宣布，其旗下诠鼎推出基於英诺赛科（Innoscience）INN650D01场效应晶体管的高效超薄型200W LED驱动电源方案。
随着人们对灯具品质的要求越来越高，传统的LED驱动器已经无法满足小而薄的灯具设计 |
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法国「电子2030」开幕仪式於意法半导体Crolles工厂举行 (2022.07.19)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）宣布，日前法国「电子2030」计画（Electronique 2030）开幕仪式在法国格勒诺布尔（Grenoble）附近之结合研发、制造为一体的意法半导体Crolles工厂举行 |
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ST与MACOM射频矽基氮化??原型晶片达成技术和性能里程碑 (2022.06.14)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）和MACOM已成功制造出射频矽基氮化??（RF GaN-on-Si）原型晶片。意法半导体与MACOM将继续合作，并加强双方的合作关系。
射频矽基氮化??为5G和6G基础建设之应用带来巨大的发展潜力 |
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Ampleon发布增强效能的第3代碳化矽基氮化??电晶体 (2022.02.23)
埃赋隆半导体（Ampleon）推出两款新型宽频碳化矽基氮化??（GaN-on-SiC）高电子迁移率电晶体（HEMT），功率等级分别为30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。这两款高线性度元件是最近通过认证并投入生产的第3代GaN-SiC HEMT制程的首发产品 |
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Microchip扩大氮化镓（GaN）射频功率元件产品组合 (2021.12.02)
Microchip今日宣布扩大其氮化镓（GaN）射频（RF）功率元件产品组合，推出频率最高可达20 GHz的新款单晶微波积体电路（MMIC）和分离电晶体。这些元件同时具备高功率附加效率（PAE）和高线性度，为5G、电子作战、卫星通讯、商业和国防雷达系统及测试设备等应用提供了新的效能水准 |
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贰陆公司（II-VI）以购并、协议串接垂直供应链 (2021.11.22)
美国雷射光学元件设计制造商贰陆公司（II-VI）是全球第一家试制并发表8吋SiC基板的公司，甚至还自行开发SiC长晶等设备。台湾在化合物半导体的应用仍在萌芽阶段，初期若也能同步发展设备与制程，将可带动效益倍增 |
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EPC推出40 V eGaN FET 因应高功率密度电讯、网通和运算解?方案 (2021.11.01)
EPC推出了40 V、1.3 m?的氮化镓场效应电晶体 （eGaN FET），元件型号?EPC2067，专?设计人员而设。 EPC2067比MOSFET更小、更高效、更可靠，适用于高性能且空间受限的应用。
宜普电源转换公司（EPC）是增?型矽基氮化镓功率电晶体和积体电路的全球领导者 |
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2021年全球GaN功率厂出货排名预测 纳微半导体以29%居冠 (2021.09.30)
根据TrendForce研究显示，受惠于消费性快充产品需求快速上升，如手机品牌小米（Xiaomi）、OPPO、Vivo自2018年起率先推出快速充电头，凭借高散热效能与体积小的产品优势获得消费者青睐，截至目前笔电厂商也有意跟进，使GaN功率市场成为第三代半导体产业中产值上升最快速的类别，预估2021年营收将达8,300万美元，年增率高达73% |
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TI推出最新GaN技术 携手台达打造高效能伺服器电源供应器 (2021.09.26)
德州仪器（TI）宣布，其氮化镓（GaN）技术和 C2000 即时微控制器（MCU），辅以台达的电力电子核心技术，为资料中心开发设计高效、高功率的企业用伺服器电源供应器（PSU） |
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英飞凌携手Panasonic 共同加速650 V GaN功率装置技术发展 (2021.09.06)
英飞凌科技和 Panasonic 公司，已针对共同开发及生产第二代 (Gen2) 氮化镓 (GaN) 技术签订合约，基于已获认可接受的GaN技术，Gen2技术将提供更高效率和功率密度水准。
为了因应市场需求，Gen2 将会开发为 650 V GaN HEMT |
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科锐携手迈凌科技 实现新型超宽频5G技术 (2021.07.14)
科锐 (Cree, Inc.,)宣布，与美商迈凌科技(MaxLinea)成功合作，结合科锐 Wolfspeed碳化矽基氮化镓(GaN-on-SiC)中频功率放大器，和美商迈凌科技超宽频线性化解决方案(MaxLin)，增加了 5G 基地台的无线容量，可支援更多人同时使用，并且提高了资料传输速度 |
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Microchip推出卫星通讯终端高线性度Ka波段MMIC (2021.06.22)
卫星通讯系统使用复杂的调变方案，以实现极快的资料速率以用于传递视讯和宽频资料。因此，它们必须具备高射频输出功率，同时确保讯号能保持其理想的特性。 Microchip Technology Inc.今日宣布推出新型GMICP2731-10 GaN MMIC功率放大器，能在不影响射频功率或讯号准确度的情况下充分满足上述要求 |
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Cree | Wolfspeed推出X频段雷达元件系列 提高RF功率性能 (2021.04.20)
碳化矽技术开发大厂Cree | Wolfspeed宣布扩展其无线射频(RF)解决方案阵容，推出四款新型碳化矽基氮化??(GaN-on-SiC)单晶微波积体电路(MMIC)元件，适用於各种脉冲阵列和X频段连续波相位阵列应用，包括船载航海雷达、气象监测雷达和新兴的无人机系统雷达 |
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TI新款车用GaN FET 提供高电源效率且密度加倍 (2020.11.11)
德州仪器（TI）拓展其高压电源管理产品组合，推出适用於汽车及工业应用的650-V 及 600-V 氮化??场效电晶体（GaN FET），整合快速开关的 2.2-MHz 闸极驱动器，相较於既有解决方案，其能协助工程师实现电源密度加倍、效率高达99%，且电磁尺寸缩小59% |
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TI最新车用GaN FET 整合驱动器、保护功能与主动式电源管理 (2020.11.11)
德州仪器（TI）近日拓展其高压电源管理产品组合，推出适用於汽车及工业应用的650V及600V氮化??场效电晶体（GaN FET），整合快速开关的2.2MHz闸极驱动器，相较於既有解决方案，其能协助工程师实现电源密度加倍、效率高达99%，且电磁尺寸缩小59% |
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MIC：2020年5G产业机会 三大应用与四大商机 (2019.09.19)
5G商用持续加速，2019年全球已有32个国家约56家电信商宣布部署5G网路，其中39家电信商已正式开通5G服务，预估2020年全球将有170家电信商提供5G商用服务，除了5G网路布建带来庞大的基础设备商机，新兴应用与关联终端产品市场动能也蓄势待发，而为了满足5G高频、高速特性，新材料与零组件相关需求也受到瞩目 |
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CREE投资10亿美元 扩大SiC碳化矽产能 (2019.05.08)
Cree 宣布，将投资10亿美元用於扩大SiC碳化矽产能，在公司美国总部北卡罗莱纳州特勒姆市建造一座采用最先进技术的自动化200mm SiC碳化矽生产工厂和一座材料超级工厂。
该项目为该公司至今最大的投资，将为Wolfspeed SiC碳化矽和GaN-on-SiC碳化矽基氮化??业务提供动能 |
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MACOM携手意法半导体提升矽基氮化??产能以支援5G无线网路建设 (2019.03.07)
MACOM和意法半导体将在2019年扩大ST工厂在150mm矽基氮化??的产能，而200mm的矽基氮化??依需求扩产。该扩产计画旨在支援全球5G电信网建设，其基於2018年初MACOM和ST所宣布达成的矽基氮化??协议 |
