Microchip今日宣布扩大其氮化镓（GaN）射频（RF）功率元件产品组合，推出频率最高可达20 GHz的新款单晶微波积体电路（MMIC）和分离电晶体。这些元件同时具备高功率附加效率（PAE）和高线性度，为5G、电子作战、卫星通讯、商业和国防雷达系统及测试设备等应用提供了新的效能水准。

Microchip扩大GaN射频功率元件产品组合，全新单晶微波积体电路（MMIC）和分离元件，可满足5G、卫星通讯和国防应用的效能要求。

新元件采用碳化矽基氮化镓技术制造，提供高功率密度和产量的组合，可在高压下运行，255℃接面温度下使用寿命超过100万小时，与所有Microchip 的GaN射频功率产品一致。这些产品包括覆盖2至18GHz、12至20GHz和12至20GHz的氮化镓MMIC，3dB压缩点（P3dB）射频输出功率高达20W，效率高达25%，以及用于S和X波段的裸晶和封装氮化镓MMIC放大器，PAE高达60%，以及覆盖直流至14 GHz的分离高电子迁移率电晶体（HEMT）元件，P3dB射频输出功率高达100W，最大效率为70%。

Microchip分离产品业务部副总裁Leon Gross表示：「Microchip持续投入打造GaN射频产品系列，以支援从微波到毫米波长所有频率的各种应用。我们的产品组合包括从低功率水准到2.2千瓦的50多种元件。新品跨越了2至20GHz，旨在解决5G和其他无线网路采用的高阶调变技术带来的线性度和效率挑战，以及满足卫星通讯和国防应用的独特需求。」

除了GaN元件以外，Microchip的射频半导体产品组合包括砷化镓（GaAs）射频放大器和模组、低杂讯放大器、前端模组（RFFE）、变容二极体、萧特基和PIN二极体、射频开关和电压可变衰减器。此外，公司还提供高效能表面声波（SAW）感测器和微机电系统（MEMS）振荡器以及高度整合的模组。这些模组将微控制器（MCU）与射频收发器（Wi-Fi MCU）相结合，支援从蓝牙和Wi-Fi到LoRa的主要短程无线通讯协定。在开发工具方面，Microchip及其经销合作伙伴均提供电路板设计支援，协助客户进行设计。此外，公司还为该款全新GaN产品提供紧凑型模型，让客户能够更容易建立效能模型，加快系统中功率放大器的设计。

今日发布的元件（包括ICP0349PP7-1-300I和ICP1543-1-110I）及其他Microchip射频产品均已投入量产。

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