埃赋隆半导体（Ampleon）推出两款新型宽频碳化矽基氮化??（GaN-on-SiC）高电子迁移率电晶体（HEMT），功率等级分别为30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。这两款高线性度元件是最近通过认证并投入生产的第3代GaN-SiC HEMT制程的首发产品。

Ampleon发布增强效能的第3代碳化矽基氮化??电晶体

这些元件提供了低偏置设置下的宽频高线性度特性，进而提高了宽频线性度水准（在5dB时三阶互调低於-32dBc；在2:1频宽上从饱和功率回退8dB时则低於-42dBc）。宽频线性对於当今国防电子设备中所部署的频率捷变无线电至关重要，後者用於处理多模通讯波形（从FM讯号一直到高阶QAM讯号）并同时应用对抗通道的情况。这些要求苛刻的应用需要电晶体本身具有更好的宽频线性度。根据市场回??，埃赋隆半导体第3代GaN-on-SiC HEMT电晶体可满足这些扩展的宽频线性度要求。

此外，这两款第3代电晶体还采用了增强散热封装以实现可靠运行，并为30W器件提供高达15:1的极耐用的VSWR耐受能力。该耐用性还可扩展到A类放大器工作模式，这在具有饱和闸极条件下，同时要在扩展频率范围内在宽动态范围内保持线性度的仪器应用中很常见。埃赋隆半导体的第3代GaN-on-SiC HEMT电晶体为宽频应用的高线性GaN技术设立了新标准，同时保持了出色的散热效能和耐用性。