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英飞凌新一代1200V CoolSiC沟槽式MOSFET 推动电动出行的发展
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨报导】   2023年07月05日 星期三

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英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC MOSFET。这款新一代车规级碳化矽(SiC)MOSFET具有高功率密度和效率,能够实现双向充电功能,并显着降低了车载充电(OBC)和DC-DC应用的系统成本。

英飞凌推出 TO263-7 封装的新一代 1200 V CoolSiC 沟槽式 MOSFET
英飞凌推出 TO263-7 封装的新一代 1200 V CoolSiC 沟槽式 MOSFET

相比第一代产品,1200 V CoolSiC系列的开关损耗降低了25%,具有同类最隹的开关性能。这种开关性能上的改进实现了高频运行,缩小了系统尺寸并提高了功率密度。由於闸极-源极??值电压(VGS(th))大於4V且Crss/Ciss比率极低,因此在VGS=0 V时可实现可靠的关断,而且没有寄生导通的风险。这使得单极驱动成为可能,从而降低了系统成本和复杂性。另外,新一代产品具有低导通电阻(RDS(on)),减少了-55℃至175℃温度范围内的导通损耗。

先进的扩散焊接晶片贴装工艺(.XT技术)显着改善了封装的热性能,相比第一代产品,SiC MOSFET的接面温度降低了25%。

此外,这款 MOSFET的爬电距离为5.89 mm,符合800 V系统要求并减少了涂布工作量。为满足不同应用的需求,英飞凌提供一系列RDS(on)选项,包括目前市场上唯一采用TO263-7封装的9 mΩ型。

KOSTAL在其OBC平台中使用CoolSiC MOSFET

KOSTAL Automobil Elektrik在其为中国 OEM 厂商提供的新一代OBC平台中采用了英飞凌最新的CoolSiC MOSFET。KOSTAL是一家全球领先的汽车充电器系统供应商,透过其标准化平台方案为全球提供安全、可靠和高效的产品,可满足各OEM厂商的要求及全球法规。

英飞凌车规级高压晶片和分立元件产品线??总裁 Robert Hermann 表示:「低碳化是这十年的主要挑战,让我们更有动力与客户一起推动汽车的电气化进程。因此,我们十分高兴能够与KOSTAL合作。这个专案突出了我们的标准产品组合在采用先进SiC技术的车载充电器市场中的强大地位。」

KOSTAL ASIA??总裁暨技术执行经理Shen Jianyu表示:「英飞凌的新型1200V CoolSiC沟槽式MOSFET额定电压高、具备优异的强固性,是我们未来一代OBC平台的关键组件。这些优势有助於我们创造一个相容的设计,以管理我们最先进的技术解决方案,实现优化成本和大规模的市场交付。」

關鍵字: MOSFET  SiC  Infineon 
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