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贸泽与ADI合作全新电子书探索电子设计电源效率与耐用性 (2024.11.13)
贸泽电子（Mouser Electronics）与美商亚德诺（ADI）合作出版全新的电子书，重点介绍最隹化电源系统的基本策略。在《Powering the Future: Advanced Power Solutions for Efficiency and Robustness》（为未来提供动力：实现效率和耐用性的进阶电源解决方案）中，ADI和贸泽的主题专家针对电源系统中最重要的元件、架构和应用提供深入分析 |
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三菱电机将交付用於xEV的SiC-MOSFET裸晶片样品 (2024.11.12)
三菱电机株式会社（Mitsubishi Electric）宣布，将开始发货用於驱动马达的碳化矽 （SiC) 金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）裸晶片样品11月14日，三菱电机推出电动车（EV）、??电式混合动力车（PHEV）和其他电动车（xEV）的逆变器 |
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贸泽为基础架构和智慧城市设立工程技术资源中心 (2024.10.30)
基础架构是所有城市的基础，涵盖从公共运输网路到电网和通讯系统的所有一切。随着数位化程度不断提升，智慧城市技术不只强化基础架构，更改变人们的日常生活，例如透过整合智慧电表感测器收集有关能源和水的珍贵资料 |
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进入High-NA EUV微影时代 (2024.09.19)
比利时微电子研究中心（imec）运算技术及系统／运算系统微缩研究计画的资深??总裁（SVP）Steven Scheer探讨imec与艾司摩尔（ASML）合建的High-NA EUV微影实验室对半导体业的重要性 |
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imec执行长：全球合作是半导体成功的关键 (2024.09.03)
imec今日於SEMICON Taiwan 2024前夕举办ITF Taiwan 2024技术论坛，以「40年半导体创新经验与AI的大跃进」为主题，欢厌imec成立40周年，并展示其在推动半导体产业发展的关键成就与行动 |
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跨过半导体极限高墙 奈米片推动摩尔定律发展 (2024.08.21)
奈米片技术在推动摩尔定律的进一步发展中扮演着关键角色。
尽管面临图案化与蚀刻、热处理、材料选择和短通道效应等挑战，
然而，透过先进的技术和创新，这些挑战正在逐步被克服 |
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M31与高塔半导体合作 开发65奈米SRAM和ROM记忆体 (2024.08.04)
M31 Technology宣布与高塔半导体（Tower Semiconductor）合作，成功开发65奈米制程的SRAM（静态随机存取记忆体）和ROM（唯读记忆体）IP产品，并将设计模组交付客户端完成验证，搭配此平台的低功耗元件Analog FET（类比场效电晶体）所设计的电路架构，能够满足SoC晶片严格的低功耗要求 |
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开启HVAC高效、静音、节能的新时代 (2024.08.01)
文:本次要介绍的产品，是来自德州仪器（TI）一款业界首创的650V三相智慧功率模组（Intelligent Power Module；IPM）━「DRV7308」，适用於250W马达驱动器应用。 |
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imec展示单片式CFET功能元件 成功垂直堆叠金属接点 (2024.06.21)
於本周举行的2024年IEEE国际超大型积体电路技术研讨会（VLSI Symposium）上，比利时微电子研究中心（imec）首次展示了具备电性功能的CMOS互补式场效电晶体（CFET）元件，该元件包含采用垂直堆叠技术形成的底层与顶层源极／汲极金属接点（contact） |
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以固态继电器简化高电压应用中的绝缘监控设计 (2024.03.11)
快速准确侦测隔离中的故障，是强化使用者安全和降低灾难性电力中断所造成损害或火灾的重要关键。 |
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EV GROUP将革命性薄膜转移技术投入量产 (2023.12.12)
EV Group（EVG）宣布推出EVG 850 NanoCleave薄膜剥离系统，这是首款采用EVG革命性NanoCleave技术的产品平台。EVG850 NanoCleave系统使用红外线（IR）雷射搭配特殊的无机物材质，在透过实际验证且可供量产（HVM）的平台上，以奈米精度让已完成键合、沉积或增长的薄膜从矽载具基板释放 |
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宜普：氮化??将取代650伏特以下MOFEST市场 市场规模约数十亿美元 (2023.09.04)
随着氮化?? （GaN）技术在各产业中扮演起重要的角色，中国政府已积极透过资助计画、研发补助以及激励政策等方式来支持氮化??技术在中国的发展。此外，中国近年来出现了许多专注於研发氮化??的公司，并且包括复旦大学、南京大学、浙江大学及中国科学院等大学或研究机构也积极地投入氮化??相关领域的研究及发展 |
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Magnachip扩展用於行动装置电池保护电路的新型MXT LV MOSFET (2023.07.11)
Magnachip半导体发布四款新型 MXT LV 金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）采用超短通道技术，扩展 Magnachip 用於行动装置电池保护电路的第七代 MXT LV MOSFET 产品阵容。
超短沟道是Magnachip的最新设计技术，通过缩短源极和漏极之间的沟道长度来降低Ron（MOSFET在导通状态操作期间的电阻） |
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NXP携手TSMC推出车用嵌入式磁阻式随机存取记忆体 (2023.05.16)
恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）今（16）日宣布与台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）合作，推出业界首款采用16奈米（nm）鳍式场效电晶体（FinFET）技术的车用嵌入式磁阻式随机存取记忆体（Magnetic Random Access Memory；MRAM） |
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imec观点：微影图形化技术的创新与挑战 (2023.05.15)
此篇访谈中，比利时微电子研究中心（imec）先进图形化制程与材料研究计画的高级研发SVP Steven Scheer以近期及长期发展的观点，聚焦图形化技术所面临的研发挑战与创新。 |
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看好晶片微缩进展 imec提出五大挑战 (2023.03.13)
面对当代的重大挑战时，人工智慧应用越来越广泛，未来的运算需求预计会每半年翻涨一倍。为了在处理暴增的巨量资料的同时维持永续性，需要经过改良的高性能半导体技术 |
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Diodes推出ZXMS81045SPQ高侧切换器 确保车用系统可靠性 (2023.02.23)
Diodes宣布推出DIODES ZXMS81045SPQ，这是旗下首款自我防护型且符合汽车规范的高侧IntelliFET产品。这款小尺寸装置能提供高功率电源，同时具有保护和诊断功能，适用於驱动12V车用装置负载，如汽车车身控制和照明系统中的LED、灯泡、致动器和马达 |
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imec推出双层半镶嵌整合方案 4轨VHV绕线设计加速逻辑元件微缩 (2022.12.09)
本周IEEE国际电子会议（IEDM）上，比利时微电子研究中心（imec）发表了最新的半镶嵌整合方案，透过导入VHV绕线技术（vertical-horizontal-vertical）来实现4轨（4T）标准单元设计，加速元件微缩 |
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ADI矩阵LED显示器驱动器技术支援友达车用宽萤幕 提升安全性 (2022.11.03)
Analog Devices, Inc宣布友达光电将在其领先的车用宽萤幕显示器产品系列中采用ADI矩阵LED显示器驱动器技术。透过此项领先业界的技术支援局部调光，可将功耗明显降低至少50％，并满足功能安全要求 |
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EVG推出NanoCleave薄膜释放技术 使先进封装促成3D堆叠 (2022.09.13)
EV Group（EVG）今日宣布推出NanoCleave技术，这是一种供矽晶圆使用的革命性薄膜释放技术，此技术使得先进逻辑、记忆体与功率元件的制作及半导体先进封装的前段处理制程，能使用超薄的薄膜堆叠 |
