账号:
密码:
最新动态
 
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
 

【CTIMES/SmartAuto 陳玨报导】   2023年07月11日 星期二

浏览人次:【1432】

Magnachip半导体发布四款新型 MXT LV 金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)采用超短通道技术,扩展 Magnachip 用於行动装置电池保护电路的第七代 MXT LV MOSFET 产品阵容。

MXT LV MOSFET(Magnachip eXtreme沟槽低压MOSFET):Magnachip的12~40V沟槽MOSFET产品组合
MXT LV MOSFET(Magnachip eXtreme沟槽低压MOSFET):Magnachip的12~40V沟槽MOSFET产品组合

超短沟道是Magnachip的最新设计技术,通过缩短源极和漏极之间的沟道长度来降低Ron(MOSFET在导通状态操作期间的电阻)。 新型 MOSFET 的 Ron 降低 24%~40%,提高了电池性能,并且在电池充电或放电时功率损耗较低。此外,Magnachip提供产品应用规格和电池容量的定制设计服务,MOSFET的尺寸可分别减小5%至20%。

凭藉技术能力、灵活的设计和紧凑的尺寸选项,扩展的 MXT LV MOSFET 系列可满足从可折叠手机到无线耳机等行动装置的各种技术要求。

Magnachip执行长 YJ Kim 表示:「Magnachip今年迄今已发布五款用於电池保护电路的新型 MXT LV MOSFET。我们将继续打造优质 MOSFET,为行动装置提供出色的功效和性能,以巩固在市场上的地位。」

關鍵字: MOSFET  Magnachip 
相关产品
Littelfuse推出高频应用的双5安培低压侧MOSFET栅极驱动器
ROHM推出车电Nch MOSFET 适用於车门、座椅等多种马达及LED头灯应用
英飞凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定义 AI 伺服器电源功效
英飞凌针对汽车应用推出最低导通电阻 80 V MOSFET OptiMOS 7
英飞凌新款MOSFET优化高功率密度、效率和系统可靠性
  相关新闻
» 意法半导体公布第三季财报 工业市场持续疲软影响销售预期
» 慧荣获ISO 26262 ASIL B Ready与ASPICE CL2认证 提供车用级安全储存方案
» 攸泰科技跃上2024 APSCC国际舞台 宣扬台湾科技竞争力
» 东芝推出高额定无电阻步进马达驱动器TB67S559FTG
» 艾迈斯欧司朗全新UV-C LED提升UV-C消毒效率
  相关文章
» 光通讯成长态势明确 讯号完整性一测定江山
» 分众显示与其控制技术
» 新一代Microchip MCU韧体开发套件 : MCC Melody简介
» 最隹化大量低复杂度PCB测试的生产效率策略
» 公共显示技术迈向新变革

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BA0PKBIQSTACUKO
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw