Magnachip半导体发布四款新型 MXT LV 金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)采用超短通道技术,扩展 Magnachip 用於行动装置电池保护电路的第七代 MXT LV MOSFET 产品阵容。
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MXT LV MOSFET(Magnachip eXtreme沟槽低压MOSFET):Magnachip的12~40V沟槽MOSFET产品组合 |
超短沟道是Magnachip的最新设计技术,通过缩短源极和漏极之间的沟道长度来降低Ron(MOSFET在导通状态操作期间的电阻)。 新型 MOSFET 的 Ron 降低 24%~40%,提高了电池性能,并且在电池充电或放电时功率损耗较低。此外,Magnachip提供产品应用规格和电池容量的定制设计服务,MOSFET的尺寸可分别减小5%至20%。
凭藉技术能力、灵活的设计和紧凑的尺寸选项,扩展的 MXT LV MOSFET 系列可满足从可折叠手机到无线耳机等行动装置的各种技术要求。
Magnachip执行长 YJ Kim 表示:「Magnachip今年迄今已发布五款用於电池保护电路的新型 MXT LV MOSFET。我们将继续打造优质 MOSFET,为行动装置提供出色的功效和性能,以巩固在市场上的地位。」