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凌华科技推出SMARC规格嵌入式计算机LEC-3517 (2014.04.22)
凌华科技发布基于ARM架构的SMARC（Smart Mobility Architecture）计算机产品 LEC-3517。凌华科技LEC-3517采用TI AM3517单芯片系统SoC（System on Chip），搭配600MHz的ARM Cortex-A8处理器，功率低至2瓦以下 |
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英飞凌量产0.11微米制程 (2003.04.30)
英飞凌科技(Infineon)宣布该公司的0.11微米DRAM产品已进入量产阶段。以全新的0.11微米制程所制造的高密度256Mb DRAM样品，不仅获得英特尔的验证，并已出货予各地之策略伙伴 |
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英飞凌将量产0.11微米256Mb DRAM (2003.04.30)
继韩国三星日前宣布以0.11微米量产DRAM后，德商DRAM厂英飞凌也宣布以0.11微米沟槽式（Trench）制程试产256Mb DRAM，并且获得英特尔验证，目前已进入量产阶段，未来该制程将授权华邦、华亚、中芯等策略伙伴 |
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力晶明年第一季12吋厂产能开出预计成长110％ (2002.12.24)
近日力晶半导体宣布，明年第一季12吋晶圆厂产能开始营运，预计明年第一季生产700万颗256Mb DRAM，明年6月月产量将超过600万颗，全年DRAM产能成长率较今年成长110％以上。有鉴于力晶12吋厂明年初即投产 |
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力晶、三菱、Elpida宣布策略联盟 (2002.10.03)
昨日力晶与三菱电机、Elpida对外宣布，将共同成立研发、生产与销售合作策略联盟关系，此一联盟获NEC、日立的支持。力晶半导体董事长黄崇仁指出，根据协议，力晶12吋厂将持续以三菱电机的0.13微米技术，切入量产DRAM产品，三菱也将继续支持力晶，将0.13微米制程微缩到0.12微米 |
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Q4旺季到 DRAM市场价格上扬 (2002.10.01)
DRAM现货市场30日全面翻扬，加上南韩三星准备调高DDR10月合约价；业者预期本季市场需求较第三季成长30﹪，256Mb DDR合约价上看7.5美元，现货价已展开追价。
由于第三季DRAM市场需求不如预期，国际大厂备料时程延后，9月下旬许多通路商库存降到低水位，圣诞节备料行情将于10月展开，上周末已有模块厂商大举购料，带动现货价扬升 |
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日DRAM大厂Elpida 不景气中力求生存 (2002.09.24)
据外电报导，在全球PC不景气声中，DRAM厂在竞争之下不得不四处寻找生存之道﹔日本最大DRAM制造商Elpida也被迫采取行动，包括寻求外资、转型为晶圆代工厂、或购并其他公司的DRAM部门等策略，都在该公司考虑的方案中 |
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力晶12吋制程良率达80％ (2002.09.17)
自今年3月装机、6月试产后，DRAM厂力晶半导体昨日对外宣布，第一批试产0.13微米12吋晶圆良率高达80％，整体良率达50％。力晶半导体董事长黄崇仁指出，第一批试产晶圆成功，证明该公司已掌握12吋晶圆的制程设备，以及0.13微米DRAM产品的设计等，与全球DRAM同业相较，力晶创下全世界最快试产成功的纪录 |
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256DRAM跃居市场主流 (2002.08.06)
根据世界半导体贸易统计协会最新调查报告，市场主流已更换了！全球256Mb DRAM产出量首次超过128Mb DRAM，并且占全球DRAM总产出的51％，256Mb DRAM显然跃居DRAM市场主流。
据该协会数据显示 |
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DRAM市场回春 (2002.07.12)
DRAM市场经过了长期的需求不振后，11日终于出现OEM计算机大厂透过通路商采购动作，而通路业者也出现了近四个月来最积极的报价，加上包括Hynix 、三星、美光等国际DRAM大厂已开始停机转换产能，据集邦科技报价，11日128Mb DRAM颗粒现货价上涨6%幅度，站上3.5美元价位，256Mb DRAM现货价则小涨2%来到6.3美元 |
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DDR身价看涨 (2002.07.05)
256MB DRAM模块价格4日升破40美元，加上大陆厂商来台扫货，并锁定DDR DRAM（倍速数据传输动态随机存取内存），使DDR DRAM现货价单日上涨达一成，今年首度超越合约价，第三季波段行情展开 |
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DRAM价格又降 (2002.06.11)
所罗门美邦最新发表的亚太地区DRAM双周报指出，个人计算机(PC)与DRAM需求，在八月之前不容易出现强劲上扬，因此，预料DRAM合约价与现货价之间的溢价以及256Mb DRAM与128Mb之间的溢价，双双将持续滑落 |
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力晶12吋厂总投资额达16亿美元 (2002.05.14)
力晶半导体对外表示，该公司十二吋晶圆厂总投资金额达16亿美元，预计六月底以0.13微米试产256Mb DRAM芯片，年底则将以1万5000片月产能量产。力晶半导体总经理蔡国智表示 |
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DRAM五月上旬恐将跌破4美元 (2002.05.03)
因第二季市场需求低迷，产业前景也仍无法有效掌握，再加上美光与 Hynix的合作案破局，已引发了现货市场恐慌性卖压与跌价压力，因此市场上已预期五月上旬合约价应守不住4美元整数关卡 |
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DRAM革新 盼能力挽狂澜 (2001.08.16)
为了寻求更大的市场，并且稳住DRAM的价格，各厂商致力推出新货，期盼市场能给予响应。业者指出，256Mb DRAM及128Mb DDR(倍速数据传输)DRAM，可望在明年取代128Mb DRAM，成为市场主流产品 |
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美光、忆恒无意减产DRAM 售价持续低迷 (2001.07.19)
近期国内动态随机存取内存（DRAM）业者与美光科技及亿恒科技(Infineon)两大半导体厂接洽，希望能减产、调节市场供需；但二大半导体并不打算减产，反而决定利用这波DRAM售价下杀，连手逼部分DRAM厂出局 |
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南韩内存厂改攻高阶芯片 (2001.07.11)
南韩商工部周二表示，为了维持半导体出口持续成长，将鼓励南韩半导体业者转向高效能芯片与非内存芯片发展。预计，南韩两大内存芯片制造商，三星电子与Hynix半导体的128MB DRAM与256MB DRAM的产出比重将大幅上升 |
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晶豪陈兴海:未来DDR、RDRAM及SDRAM三强鼎力 (2001.06.19)
面对景气不振，国内存储器大厂晶豪科技总经理陈兴海表示，不排除128Mb SDRAM价格有破两美元的可能，主因是需求虽有增加、但供需不平衡情况仍严重。另外，陈兴海认为，在英特尔力拱之下，未来Rambus DRAM、DDRDRAM与SDRAM将呈现三强鼎立的局面 |
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256Mb DRAM主流态势不可档 (2001.06.11)
全球主要动态随机存取内存(DRAM)厂商已开始投入256Mb DRAM，三星、美光、Hynix公司目前256Mb DRAM占总出货量的20%，估计今年第四季比重拉到50%。茂硅表示，256Mb DRAM逐渐进入桌面计算机市场，成为主流 |
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力晶成功试产0.18微米制程256Mb SDRAM及DDR SDRAM (2001.03.09)
新竹科学园区厂商力晶半导体公司日前宣布，该公司已试产成功0.18微米制程的256MbSDRAM，且将同步推出256Mb SDRAM及256Mb DDR SDRAM(倍速数据传输内存)产品并进行验证，预计第二季投产，初估至年底月出货量可接近百万颗 |
