南韩商工部周二表示，为了维持半导体出口持续成长，将鼓励南韩半导体业者转向高效能芯片与非内存芯片发展。预计，南韩两大内存芯片制造商，三星电子与Hynix半导体的128MB DRAM与256MB DRAM的产出比重将大幅上升。相对地，低阶的64MB DRAM产出比重将显著下滑。

南韩商工部周二表示，将要求三星电子与Hynix两家公司，其256MB DRAM的产出占整个内存芯片的比重，从今年五月底的14％，到今年底时提高至20％。同时，也鼓励上述两家芯片制造业者将128MB DRAM的产出比重，从五月底的54.2％提高至60％。并将64MB DRAM的产出比重，从26.4％降低至15％。

南韩商工部同时表示，将会提供业者数种支持，以鼓励半导体业者增加非内存芯片的生产与出口。不过，到底会提供那种支持，南韩商工部并没有提出具体的细节。内存芯片占南韩半导体出口金额高达79％，其余为非内存芯片。商工部希望，在2005年时，非内存芯片的比重能提高至40％。