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单元四: MOCVD磊晶技术制程实作研习班
 


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開始時間﹕ 八月十七日(五) 00:00 結束時間﹕ 八月十七日(五) 00:00
主办单位﹕ 工業技術研究院
活動地點﹕ 国立交通大学(新竹市大学路1001号)
联 络 人 ﹕ 陳小姐 联络电话﹕ (02)-2370-1111#313
報名網頁﹕ http://college.itri.org.tw/
相关网址﹕ http://college.itri.org.tw/

课程介绍

实验室实际操作课程,限额12人,名额有限,请速报名!!

LED结构通常以MOCVD设备进行量产,MOCVD磊晶技术将悠关整体LED结构良率与亮度,MOCVD磊晶需具备多方面知识备景,同时MOCVD参数多样将影响 Run机成果,本课程介绍MOCVD磊晶原理与应该注意事项,同时介绍目前业界对 LED于磊晶可能面临相关问题先行进行预防。

课程配合实验室实机操作,学员于大量实做中,能够迅速掌握MOCVD磊晶的方法与趋势。

现场实地介绍MOCVD设计,包括MOCVD磊晶制程周边支持设施,如真空设备、尾气处理设备、

MO Source源介绍、毒气侦侧设备、反应腔体测漏技术、磊晶实时监控设备等绍MOCVD磊晶应该注意事项,同时对于MOCVD于磊晶可能面临相关问题作一探讨

讲师介绍

林博士---工业技术研究院机械所工程师

其他内容

101/07/06(五)单元一:LED磊晶及MOCVD设备技术与专利分析

101/07/20(五)单元二: LED量测与真空镀膜设备技术

101/08/03(五)单元三: LED原理制程与高效能高功率InGaN LED设计

101/08/17(五)单元四: MOCVD磊晶技术制程实作研习班※本课程为实作课程 限额12位!

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