單元四: MOCVD磊晶技術製程實作研習班

2012年08月17日 星期五 【科技日報報導】
活動名稱: 單元四: MOCVD磊晶技術製程實作研習班
開始時間: 八月十七日(五) 00:00 結束時間: 八月十七日(五) 00:00
主辦單位: 工業技術研究院
活動地點: 國立交通大學(新竹市大學路1001號)
聯絡人: 陳小姐 聯絡電話: (02)-2370-1111#313
報名網頁: http://college.itri.org.tw/
相關網址: http://college.itri.org.tw/

課程介紹

實驗室實際操作課程,限額12人,名額有限,請速報名!!

LED結構通常以MOCVD設備進行量產,MOCVD磊晶技術將悠關整體LED結構良率與亮度,MOCVD磊晶需具備多方面知識備景,同時MOCVD參數多樣將影響 Run機成果,本課程介紹MOCVD磊晶原理與應該注意事項,同時介紹目前業界對 LED於磊晶可能面臨相關問題先行進行預防。

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課程配合實驗室實機操作,學員於大量實做中,能夠迅速掌握MOCVD磊晶的方法與趨勢。

現場實地介紹MOCVD設計,包括MOCVD磊晶製程周邊支援設施,如真空設備、尾氣處理設備、

MO Source源介紹、毒氣偵側設備、反應腔體測漏技術、磊晶即時監控設備等紹MOCVD磊晶應該注意事項,同時對於MOCVD於磊晶可能面臨相關問題作一探討

講師介紹

林博士---工業技術研究院機械所工程師

其他內容

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101/07/20(五)單元二: LED量測與真空鍍膜設備技術

101/08/03(五)單元三: LED原理製程與高效能高功率InGaN LED設計

101/08/17(五)單元四: MOCVD磊晶技術製程實作研習班※本課程為實作課程 限額12位!


關鍵字: 工業技術研究院