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Ramtron采用低功耗非挥发内存来控制时间 (2012.04.22)
Ramtron在日前举行的硅谷Design West/嵌入式系统会议 (Silicon Valley Design West/Embedded Systems Conference) 中发布了新型的低功耗F-RAM内存产品，进一步加强公司协助客户改善产品能效、访问速度和安全性的能力 |
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Ramtron和Revere Security合作安全高能效组件 (2012.03.16)
Ramtron 和Revere Security 日前宣布双方建立合作关系，计划将Revere Security的Hummingbird HB-2安全技术整合到Ramtron的非发挥性铁电随机存取内存 产品中。根据合作协议，Ramtron和Revere Security将共同进行产品开发、共同营销安全半导体解决方案，并共同制订推动安全技术整合进F-RAM产品中的蓝图 |
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Ramtron任命Scott Emley担任市场推广副总裁 (2011.11.03)
Ramtron近日宣布，任命Scott Emley担任市场推广副总裁。Emley先生将带领全球市场推广团队，全面负责包括应用和技术支持的产品线推广，并向Ramtron首席执行长Eric Balzer报告。
Emley先生来自德州仪器（TI），曾担任德州仪器ARM微处理器、DSP和多核产品的市场推广总监 |
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Ramtron开始供应高速串行F-RAM器件样品 (2011.10.31)
Ramtron日前宣布，已开始供应4-至64Kb串行非挥发性铁电RAM（F-RAM）内存的预认证样品，新产品于Ramtron在美国的新晶圆供应源以铁电内存制程生产，具有1万亿次（1e12）的读/写周期、低功耗和无延迟（NoDelay）写入等特性 |
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Ramtron推出64Kb串行F-RAM内存样片 (2011.07.27)
低功耗铁电内存（F-RAM) 和整合式半导体供货商Ramtron于近日共同宣布，该公司最新铁电随机存取内存（F-RAM） 产品的样片现已在IBM的新生产线生产。此一新产品FM24C64C是64 Kb、5V串行F-RAM器件，以总线速率运行且无写入延迟，并支持高达1万亿次（1e12）的读/写周期，这比相同等级的EEPROM器件高出100万倍 |
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Ramtron推出具有宽工作电压范围的串并列内存 (2011.04.01)
Ramtron International Corporation (简称Ramtron)近日宣布，推出W系列的 F-RAM内存，W系列器件具有串行I2C、SPI接口和并列接口（parallel interface），可提供从2.7V到5.5V的宽电压范围。此外，W系列具有更高的性能，如工作电流（active current）需求降低了25%至50%，串行器件的首次存取启动（初始上电）速度加快20倍 |
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Ramtron推出FRAM无线内存的商用样品 (2010.08.12)
Ramtron于前日（8/10）宣布，开始提供其具有F-RAM特性之MaxArias无线内存之商用样品。Ramtron的MaxArias系列无线内存，将非挥发性F-RAM内存技术的低功耗、高速度和高耐久性等特性 |
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Ramtron 1Mbit串行F-RAM提升至汽车标准要求 (2010.07.06)
Ramtron日前宣布，其1Mbit、2.0V-3.6V串行F-RAM内存FM25V10-G，通过了AEC-Q100 Grade 3标准认证，这项严格的汽车等级认证是汽车电子设备委员会（Automotive Electronic Council, AES）针对集成电路而制定的应力测试认证 |
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Ramtron推出新款32Kb串行非挥发性RAM器件 (2009.06.30)
Ramtron宣布推出一款编号为 FM24CL32的串行非挥发性RAM器件，它可提供高速读/写的性能、低电压运作，以及出色的数据保持能力。FM24CL32是32Kb 的非挥发性内存，工作电压的范围为2.7V至3.6V，采用8脚的SOIC封装，采用双线 (I2C) 协议；并提供快速存取、无延迟 (NoDelay) 写入、几乎没有限制的读/写次数 (1E14) 及低功耗特性 |
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Ramtron非挥发性状态保存器通过汽车标准认证 (2009.05.21)
非挥发性铁电内存(F-RAM)和整合式半导体产品开发商及供货商Ramtron International Corporation宣布，其两款非挥发性状态保存器(nonvolatile state saver)FM1105-GA和FM1106-GA已经通过AEC-Q100 Grade 1认证 |
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Ramtron发表512Kb和1Mb V系列串行F-RAM (2009.04.06)
Ramtron宣布为其新的并列和串行F-RAM系列新增两款产品，这些F-RAM组件可提供更高速的读/写性能、更低的工作电压和可选的器件特性。Ramtron的V系列F-RAM产品中最新产品的型号为512Kb的FM24V05和1Mb的FM24V10 |
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RAMTRON宣布与IBM达成代工协议 (2009.02.26)
Ramtron宣布已经与IBM达成代工服务协议，两家公司计划在IBM位于美国维佛蒙特州伯林顿市的先进晶圆制造设施内安装 Ramtron的F-RAM半导体制程技术，一旦安装完成，此一新代工服务将成为Ramtron 推出新款具成本效益的高性能F-RAM半导体产品之基础 |
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Ramtron新型4Mb F-RAM内存采用FBGA封装 (2009.02.24)
Ramtron宣布提供采用最新FBGA封装的4兆位（Mb）F-RAM内存。FM22LD16是一款采用48脚FBGA封装的3V、4Mb并行非挥发性F-RAM，具有访问速度高、几乎没有限制的读/写周期以及低功耗等优点 |
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Ramtron在V系列增添串行512Kb FRAM (2008.11.20)
Ramtron International推出F-RAM系列产品中的第二款串行组件FM25V05，提供高速读/写性能、低电压工作和可选器件特性。FM25V05是512Kb、2.0V至3.6V及具有串行周边接口（SPI）的非挥发性RAM，采用8脚SOIC封装，特点包括快速访问、无延迟（NoDelay）写入、1E14读/写次数和低功耗 |
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Ramtron推出1Mb并行FRAM (2008.11.18)
Ramtron推出全新并行和串行FRAM系列中的首款并行产品，提供更高速的读/写性能、更低的工作电压和可选组件的特性。Ramtron的V系列FRAM产品中的最新组件FM28V100，是100万位、2.0至3.6V的并行非挥发性RAM，采用32脚TSOP-I封装，具备快速访问、无延迟（NoDelay）写入、无乎无限的读写次数和低功耗特性 |
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Ramtron兆位串行FRAM内存 (2008.09.18)
Ramtron宣布推出新型F-RAM系列中的首款产品，具有高速读/写性能、低电压工作和可选组件的特性。Ramtron的V系列F-RAM产品的首款组件FM25V10，是100万位（Mb）、2.0至3.6V、具有串行外设接口（SPI）的非挥发性RAM，采用8脚SOIC封装，其特点是快速存取、无延迟（NoDelay技术）写入、1E14读/写次数和低功耗 |
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其阳选择Ramtron的FRAM用于游戏机解决方案 (2008.08.08)
台湾应用工业计算平台制造商其阳科技（Aewin Technologies），已在其以Intel为基础的 GA-2000及以AMD为基础的GA-3000游戏和高分辨率多媒体PC电路板中，设计使用Ramtron的FM22L16 400万位FRAM非挥发性内存 |
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Ramtron推出基于F-RAM的事件数据记录器 (2008.05.13)
非挥发性铁电内存（F-RAM）和整合半导体产品开发商及供货商Ramtron International Corporation宣布推出基于F-RAM的事件数据记录器（Event Data Recorder；EDR）─FM6124，这是一款整合式的事件监控解决方案，能够对状态的变化进行连续性的监控，将数据储存在F-RAM中，并可以对系统发出有关变化的警报 |
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Ramtron将于AES 2008上 展示F-RAM技术 (2008.05.12)
Ramtron International Corporation将参加今年在中国上海举行的中国国际汽车电子产品与技术展览会暨国际汽车电子行业高层论坛（AES）。Ramtron将于会上展示其非挥发性F-RAM内存产品如何推动引擎盖下和车舱内的新一代汽车应用创新，如信息娱乐、安全及事件数据记录 |
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Ramtron获《今日电子》年度产品奖 (2008.04.25)
全球非挥发性铁电随机存取内存（F-RAM）和整合半导体产品的开发商及供货商Ramtron International Corporation宣布，该公司的FM22L16获得了《今日电子》杂志所颁发的年度产品奖之殊荣 |
