全球非挥发性铁电随机存取内存（F-RAM）和整合半导体产品的开发商及供货商Ramtron International Corporation宣布，该公司的FM22L16获得了《今日电子》杂志所颁发的年度产品奖之殊荣。FM22L16是半导体业界的第一款4兆位（Mb）非挥发性F-RAM内存，它之所以能够从数百项产品中脱颖而出，主要是在于它成功地达到评审对设计创新性、价格性能与技术进展的要求。

Ramtron亚太区销售总经理徐梦岚表示：「对于获得《今日电子》这项年度产品奖的殊荣，我们深感自豪。FM22L16将F-RAM技术带领到由我们与德州仪器共同开发的先进130奈米制程的。F-RAM是理想的非挥发性内存解决方案，拥有改变内存现状的深厚潜力，尤其是在德州仪器针对 F-RAM而优化的CMOS制程中，此一制程提供了许多全新独立的和整合的产品机会。对于这款重要产品能够获得《今日电子》的编辑和评审小组的青睐，我们深受鼓舞。」

FM22L16是目前最高容量的F-RAM产品，这款3V、4Mb并行的非挥发性RAM采用44脚的薄型小尺寸塑封（TSOP）。FM22L16具有高访问速度、几乎没有次数限的读/写周期和低功耗等特点。FM22L16与异步静态 RAM（SRAM）在接脚上兼容，并适用于工业控制系统如机器人、网络和数据储存应用、多功能打印机、自动导航系统，以及许多以SRAM为基础的系统设计。

FM22L16是256K x 16的非挥发性内存，采用工业标准并行接口实现存取，存取的时间为55ns，周期为110ns。该器件以「无延迟」（NoDelay）写入的总线速度进行读写操作，耐久性至少为100万亿（100-trillion）次的写入作业和10年的数据保存能力。

这款4Mb F-RAM是标准异步SRAM的完全替代器件，但却有更优越的性能，因为它不需要电池就可以进行数据备份，从而显著提升组件和系统的可靠性。FM22L16是真正的表面黏着解决方案，与电池供电的SRAM不同，它不需要连接电池的返修（rework）步骤，而且具有耐潮湿、抗冲击和振动的特性。

FM22L16具备有与现今高性能微处理器相连的工业标准接口，兼具高速页面模式，能够实现高达每秒80MB的峰值流通量，是市场上速度最快的非挥发性内存之一。该器件的工作电流比标准的SRAM还要低，读/写操作时为18mA，在超低电流睡眠模式下仅为5uA。FM22L16的工作电压范围为2.7V至3.6V，可在整个工业温度范围内（-40℃至+85℃）作业。