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Altera FPGA架构储存设计可延长NAND快闪记忆体使用寿命 (2015.07.03)
Altera公司开发采用其Arria 10 SoC架构的储存参考设计，与目前的NAND快闪记忆体相比，NAND快闪记忆体的使用寿命将加倍，程式擦除周期数增加了7倍。参考设计在经过最佳化的高性能价格比单晶片解决方案中，包括一颗Arria 10 SoC和整合双核心ARM Cortex A9处理器，同时采用了Mobiveil的固态硬碟（SSD）控制器，以及NVMdurance的NAND最佳化软体 |
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TDK推出支持串行ATA 6Gbps的高可靠性固态硬盘SDS1B系列 (2015.05.11)
（日本东京讯）TDK株式会社将于2015年8月开始发售搭载有可支持串行ATA 6Gbps的NAND型闪存控制IC GBDriver GS1的2.5inch型工业用固态硬盘SDS1B系列产品。
近年来，以OS的高容量化及4K、8K全高画质数字播放为代表的高画质大容量数据的储存等都逐渐要求储存器实现高速、大容量的用途 |
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Intel蝉联半导体冠军 营收创十年新高 (2012.03.27)
拜强劲的核心芯片销售所赐，以及并购策略奏效，Intel在2011年全球半导体营收市占率攀升至15.6%，相较2010年的13.1%成长了2.5%，不仅创下了10年来的最高纪录，也顺利地再度蝉联全球半导体营收冠军 |
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可取代NAND快闪的新内存技术问世 (2010.05.20)
Unity半导体公司不断致力于新内存技术的开发，不久前该公司宣布成功开发一种可取代NAND Flash的新内存技术，相信不久以后，NAND Flash为记忆卡和固态硬盘唯一解决方案的局面将出现大幅改变 |
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CES 2010：G世代NAND拉抬USB3.0话题热 (2010.01.06)
NAND闪存的主流制程将在今年达到40奈米以下，这项新制程将让NAND芯片读写速度提高1倍，正式跨入G世代，也让NAND业者全力支持USB3.0发展，包括三星、东芝、英特尔等业者，都于CES展中宣示跨入USB3.0世代 |
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恒忆推出新系列NAND闪存 (2008.12.22)
恒忆（Numonyx）针对无线通信、嵌入式设计和数据储存应用推出新系列NAND闪存产品，持续为业界提供完整的 NOR、NAND、RAM和PCM（相变化内存）解决方案。新系列产品包括高达32Gb（gigabits）的MLC NAND、32GB（gigabytes）的eMMC和高达8 GB的microSD产品，均采用先进的41奈米制程 |
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惠瑞捷推出V6000闪存及DRAM测试系统 (2008.11.28)
惠瑞捷(Verigy) 宣布推出V6000测试系统，可在同一套自动化测试设备 (ATE) 机台上，测试快闪和DRAM内存，测试成本低于现有的解决方案。多功能的V6000可调整适用于半导体内存的各个测试阶段，包括工程测试、晶圆测试 (Wafer Sort)、以及终程测试 (Final Test) 等 |
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Numonyx暂缓意大利Catania 12吋厂计划 (2008.11.18)
外电消息报导，非挥发性内存供货商恒忆(Numonyx)日前表示，由于受全球经济成长趋缓的影响，原订在意大利Catania兴建12吋晶圆厂的计划将暂缓实施，最快要到2010年以后才会定案 |
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Spansion推出高性能NAND闪存生产计划 (2008.09.15)
纯闪存解决方案供货商Spansion公布了即将推出的MirrorBit ORNAND2产品系列生产计划，该系列产品的写入速度可提高25%，读取速度最高可提升一倍，其裸片尺寸也比目前的浮动闸门NAND闪存明显减小 |
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海力士打造清州厂为全球第一大NAND内存工厂 (2008.09.04)
海力士半导体位于韩国清州市、支持300mm（12吋）晶圆的新制造生产线M11落成，海力士并邀请当地政府官员等举行完工典礼。
据了解，M11将采用40nm制程，用于生产16Gbit及32Gbit等高密度NAND闪存 |
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海力士清洲新NAND内存厂正式投产 (2008.08.31)
外电消息报导，韩国内存芯片制造商海力士（Hynix）日前表示，其在韩国清洲新建的新一代NAND闪存厂将正式投产，预计月产能将达到30万片。
Hynix表示，新的清州内存厂，预计月产量将可达到30万片，而依据进度来看，将有望在几个月之后，把产能提高到50万片左右 |
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恒忆与海力士将延长5年NAND Flash合作计划 (2008.08.19)
恒忆（Numonyx B.V.）和海力士半导体（Hynix Semiconductor）日前宣布，将延长两公司在NAND闪存升级产品和技术开发的合作计划。据了解，两公司未来将扩大NAND闪存产品和技术的合作开发范围，并将为加快开发速度而进行经营资源的一体化 |
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TDK推出兼容U.DMA6的NAND Flash控制器 (2008.08.11)
TDK宣布开发出GBDriver RA8系列NAND闪存控制器，该产品计划于九月份开始销售。
GBDriver RA8系列是用于U.DMA6的高速NAND控制器IC。该控制器支持单级单元（SLC）和多级单元（MLC）NAND闪存，实现了从128M字节到16G字节（SLC），和256M字节到32G字节（MLC）的高速闪存储存容量 |
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美光将大举进军SSD市场 (2008.06.11)
美光科技（Micron）将大举进军SSD市场。据了解，美光在台湾举办内存日（Memory Day），除了宣布将以34奈米生产高良率32Gb NAND闪存，也将大举进军32GB到128GB高容量固态硬盘（SSD）市场，而预计SSD将是未来NAND闪存的最大市场 |
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美光Memory Day 揭露NADA发展蓝图 (2008.06.11)
内存领导厂美光（Micron）10日在台举行的「Memory Day」上表示，将持续在NAND内存制程上取得领先地位，除了提供目前已量产的50奈米产品外，并预计在今年第4季时，把34奈米制程的高容量NAND内存芯片推向市场 |
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Numonyx现身Computex 锁定台湾嵌入式市场 (2008.06.04)
充满话题性的恒忆(Numonyx)内存公司也在今年的Computex展上现身，除了正式向台湾宣布其成立消息外，同时也点明其在台湾的业务策略。未来Numonyx将主攻嵌入式应用市场，积极进入有线通讯业、汽车业、消费电子产业、制造业及计算机信息业等领域 |
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东芝将以硬盘经验发展多层NAND型SSD (2008.05.12)
东芝表示，未来将以多层化技术着手开发NAND型SSD固态硬盘。据了解，东芝社长西田厚聪在东京2008年度经营方针说明会上做了以上的表示。此外，在笔记本电脑市场上，将努力在2010～2011年获得50％的市占率 |
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Spansion力推MirrorBit ORNAND2架构开发计划 (2008.04.24)
Spansion宣布在意大利米兰设立其安全及先进技术事业部（Security and Advanced Technology Division；SATD）总部，以强化MirrorBit ORNAND2架构及安全产品策略的开发计划。该部门将负责Spansion各种不同闪存安全解决方案的开发工作，并将MirrorBit技术拓展到目前NAND所服务的应用领域 |
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iSuppli：NAND销售成长率由27％调降至9％ (2008.04.08)
次贷风暴对全球经济以及消费者影响甚巨，消费电子市场也深受影响，消费需求量持续减缓，市调公司iSuppli也因此调降了2008年全球NAND闪存销售成长率的预估值。
NAND在2007年销售额为139亿美元，iSuppli预估2008年NAND销售额可达152亿美元，成长率为9％，远低于原本估计的179亿美元，27％的成长率 |
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大厂合资加持 恒忆进军内存市场 (2008.04.02)
恒忆(Numonyx B.V.)宣布正式成为一家独立的半导体公司，其业务着重于NOR、NAND和RAM内存技术，以及最新的相变内存(PCM)技术，提供创新的内存解决方案。这家新公司将提供服务给生产各种包括移动电话、MP3播放器、数字相机、超级行动计算机(ultra-mobile computers)和其他高科技设备等各种消费性及工业电子产品的客户 |
