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行动记忆需求 3D IC步向成熟 (2013.07.19)
由于技术上仍存在挑战，使得3D IC一直都成为半导体业界想发展，却迟迟到不了的禁区。尽管如此，国际半导体材料协会SEMI仍乐观认为，系统化的半导体技术仍将是主流趋势，这意味着3D IC的发展将不会停下脚步 |
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Cadence：与合作伙伴之间的「信任度」得来不易 (2013.06.19)
没有任何公司可以独自实现16/14nm FinFET设计，
必须仰赖协作式的生态系统，由EDA商、IP商、晶圆厂商，
一起迎向FinFET设计与制造挑战。 |
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台积电：高效能行动GPU成先进制程推力 (2013.03.26)
随着GPU日益成为影响下一代SoC面积、功率和效能的重要关键，以及设计人员可采用的先进硅晶制程选项越来越复杂，因此必须为设计流程和单元库进行优化调校，才能使设计团队在日趋缩短的时程内达成最佳的效能、功耗和芯片面积目标 |
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发展下世代内存 英特尔：我们在正确的轨道上 (2012.12.04)
尽管英特尔面临很大的竞争，但仍持续投入许多前瞻技术研发，今日(4日)英特尔实验室与台湾工研院宣布合作研究成果，展示一款实验性数组内存(experimental memory array)。此实验性数组内存藉由3D堆栈与系统优化，建构出低耗能的平台 |
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[分析]力抗三星 台积电晶圆、封测一手抓 (2012.10.12)
为抗拒三星和Intel跨足晶圆代工的竞争，以及从三星手上抢下苹果处理器（A7）的订单，台积电近年来跨业整合的策略明确，从入股Mapper、ASML等半导体设备商，转投资创意电子，扩大晶圆代工事业，到布建逾400人的封测团队，不断出手进行一条龙事业体的布局 |
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台积电推20奈米及3D IC设计参考流程 (2012.10.12)
台积电日前(10/9)宣布，推出支持20奈米制程与CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）技术的设计参考流程，展现了该公司在开放创新平台（Open Innovation Platform, OIP）架构中支持20奈米与CoWoS技术的设计环境已准备就绪 |
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半导体『0.5D』的距离有多远？ (2012.09.25)
近期看到FPGA大厂陆续推出3D系统芯片，令人想起几前年半导体产业开始积极推展的3D芯片，似乎经过几年的酝酿，目前开始看到该技术的开花结果。只不过，Altera台湾区总经理陈英仁指出，这些其实都是属于2.5D的制程，不是真正3D的技术范畴 |
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3D IC必成商机：台湾问题在于产业链整合 (2011.12.19)
摩尔定律究竟能否延续？许多人把希望放在3D IC上。不过，工研院电光所顾子琨组长表示，3D IC的确是一项不错的技术，但未来挑战仍多，台湾产业要注意如何整合共创商机 |
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5年1500万美元 工研院与Intel共推3D内存 (2011.12.06)
Intel今日（12/6）与工研院、经济部技术处共同宣布一项针对下世代内存技术的合作案，未来五年总投入金额共达一千五百万美元。这是Intel在Ultrabook以及行动装置的布局，工研院将提供 IC 架构及软件技术，目标是在五年内，将内存功耗节省至10倍、甚至百倍以上 |
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可携式产品锱铢必较 3D IC量测工夫再上层楼 (2011.09.07)
便携设备将成为引领电子产业向前迈进的新动力，智能型手机、平板计算机都是绝佳例证；而PC产业面临挑战，自也不遗余力追求薄型化与轻量化。晶圆量测厂商惠瑞捷成为Advantest旗下子公司后再度发表新产品，推出新产品以因应3D IC与SIP时代之量测需求 |
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三闸极晶体管助威 英特尔直捣平板和智能机 (2011.05.12)
英特尔推出最新三闸极晶体管（Tri-Gate transistor）技术量产化，大大有益于直取媒体平板装置和智能型手机的战略高地。对于在这两大领域「喊水会结冻」的安谋（ARM）来说，绝对不是一个好消息，而ARM想要迂回渗透到英特尔老巢PC/NB的计划，也可能会受到一定程度的阻碍 |
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3D IC卡在哪里？ (2010.12.13)
在芯片微型化的过程中，兼具效能是非常关键的目标。如何在更小的芯片尺寸中，塞进更多的功能，一直是半导体业者所努力的研发方向。而所谓的「3D IC」制程，也是在此前提下所产生的技术 |
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高容量内存 可望因3D IC而不再是奢侈品 (2010.06.24)
旺宏电子今日（6/24）发表最新的3D NAND Flash研究成果，其总经理卢志远表示，这颗3D IC与一般讨论的Sip、TSV技术不同，但是能够大幅降低Bit Cost。未来若能步入量产，可以解决高容量内存成本高昂的问题，最高目标希望能与硬盘并驾齐驱，甚至超越硬盘 |
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从3D IC/TSV 的不同名词看3D IC 技术 （下） (2010.05.05)
目前，3D-IC定义并不相同，有人认为只要将一颗 die 放在一个substrate 上就是 3D integration，这似乎与将Chip 放在PCB上面没有两样，顶多称之为3D Package。 3D-IC与3D 封装(package)不同的是，3D Package 里面的元件是离散的，都是在元件的周边利用bonding wire 相接，但是3D IC 却是一个独立的IC，透过垂直与水平整合来大量提高集积密度 |
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合纵连横的3D IC国际研究趋势（上） (2009.11.03)
3D IC的研发工作是一件庞大的整合工作，加上其异质整合的特性，初期研发不是一间公司所能负担的起。目前，从亚洲到欧洲及美国都成立了一些研发联盟来推动3D IC的研发工作 |
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工研院与应用材料合作开发3DIC核心制程 (2009.10.15)
工研院与美商应用材料（Applied Material），于周四（10/15）宣布，进行3D IC核心制程的客制化设备合作开发。该开放制程平台将整合3D IC主流技术硅导通孔（TSV）制程流程，缩短集成电路及芯片开发时间，协助半导体厂商迅速地将先进芯片设计导入市场，进而大幅降低初期投资 |
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后摩尔定律时代 (2009.09.27)
知名物理学大师费曼早在多年前就预测：「其实下面还有许多空间」，英特尔科学家摩尔也据此提出晶圆效能与密度每18个月就会扩增一倍的「摩尔定律」。虽然多年来半导体工业随着摩尔定律而蓬勃发展 |
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SEMICON Taiwan 2009将主打3D IC技术 (2009.09.03)
国际半导体展（SEMICON Taiwan 2009）将于9月30日展开，展会期间将举行8场产业趋势与技术论坛。其中，在10月1日的「3D IC前瞻科技论坛」与10月2日的「封测与验证论坛」中，主办单位SEMI（国际半导体设备材料产业协会）特别邀请日月光集团研发中心总经理唐和明博士、欣铨科技副董事长暨技术总监秦晓隆、IBM 3D技术发展技术长Michael J |
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3D IC应用市场核心技术TSV的概况与未来 (2009.08.31)
3D IC是否可以成为应用主流，矽通孔（Through Silicon Vias；TSV）技术是一个关键。 TSV制程的成熟，将会主导3维晶片的应用市场，未来可以用来整合IC、逻辑晶片、RF、CMOS影像感应器与微机电系统 |
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从节能省碳谈3D IC (2009.07.03)
CPU节能功率已面临瓶颈，气冷式散热功能也面临极限，SoC散热和漏电流问题亦迫在眉睫，资料中心更是节能省碳的重点。 3D IC降低功耗设计可有效降低RF功耗、明显提升记忆体效能，有助建构绿色资料中心，用3D Stack技术大幅降低伺服器记忆体功耗，3D IC符合节能省碳环保潮流 |
ACPI规格让操作系统、中央处理单元与接口设备三方面整合起来，互相交换电源使用讯息，更加简便而有效益地共同管理电源。
