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ST全新功率MOSFET提升汽车电气系统能效 (2011.06.13)
意法半导体（ST）于日前推出9款全新汽车级功率MOSFET，进一步扩大STripFET VI DeepGATE功率MOSFET産品组合，为新一代汽车实现能效、尺寸及成本优势。
高能效电气系统对于汽车制造商日益重要 |
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CISSOID新款N型MOSFET高温可达225°C (2011.04.22)
高温半导体方案供货商CISSOID日前宣布，推出新款双信道高温40V N型金氧半场效晶体管（N-channel MOSFET）CHT-MOON。
CISSOID表示，该款采表贴、小型、密封式陶瓷SOIC16封装。此新组件可帮助设计者达到最高的系统密度，它可开关高达2安培电流及提供与其他CHT产品一样，是一个可于-55°C至+225°C连续操作的解决方案 |
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士兰微电子推出新一代高压MOSFET F-Cell系列 (2011.04.07)
士兰微电子近日宣布，推出新一代高压MOSFET产品——F-Cell系列高压MOSFET。这是士兰微电子自主研发所推出的第四代平面结构高压MOSFET产品，工作电压可以覆盖400V—900V区间 |
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瑞萨电子推出小型封装之高性能车用功率MOSFET (2011.03.08)
瑞萨电子近日宣布，推出32款容许电压为40及55伏特（V）之新型N信道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效晶体管）。新款功率MOSFET包括采用小型HSON封装的NP75N04YUK产品，安装面积为现有TO-252封装的一半，可处理75安培（A）的电流 |
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Linear推出高速、高输入同步MOSFET闸极驱动器 (2011.02.28)
凌力尔特（Linear）于日前宣布，推出新款H 等级版本的LTC4444/-5，其为高速、高输入供应电压 (100V) 同步 MOSFET闸极驱动器，专为在同步整流之转换器架构中，驱动较高和较低侧N 信道MOSFET 而设计 |
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瑞萨电子新高压电源MOSFET 可减少52%导通损失 (2011.02.01)
瑞萨电子近日宣布，推出能为电源供应器提供超高效率的高压N-channel电源金属氧化半导体场效晶体管（MOSFET）产品--RJK60S5DPK。新的电源MOSFET能减少PC服务器、通讯基地台以及太阳能发电系统的耗电量 |
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瑞萨公布新策略 预计达成两位数平均年成长率 (2010.10.28)
瑞萨电子近日发表其强化功率半导体事业之新策略。瑞萨电子功率半导体事业规模约占该公司三大核心事业群中模拟及功率半导体（A&P）事业部门的四分之一。
瑞萨电子计划采取以下策略：
(1)强化从低电压至高电压功率半导体之产品内容
瑞萨电子将进一步强化2010年4月NEC电子与瑞萨科技合并所实现的广大产品内容 |
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下一代低VCE sat双极电晶体 (2010.10.12)
近年来，中功率双极电晶体在饱和电阻及功率选择范围上的重大改进，大幅扩展此类元件的应用领域。恩智浦最新推出的SMD封装型中功率电晶体BISS 4充分凸显双极电晶体的技术优势，为开关应用提供更高的功率与更低损耗，并开创新的应用领域 |
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瑞萨电子新款功率半导体 可使安装面积减半 (2010.10.06)
瑞萨电子近日发表RJK0222DNS及RJK0223DNS之开发作业，这两款功率半导体采用超小型封装，可使用于DC/DC转换器，供电给服务器及笔记本电脑等产品之CPU、内存及其他电路区块 |
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瑞萨全新功率MOSFET因应电流量新需求 (2010.09.16)
瑞萨电子近日宣布，推出最新第12代功率MOSFET产品RJK0210DPA、RJK0211DPA及RJK0212DPA，为适用于一般负载点（POL）、基地台、计算机服务器及笔电DC/DC转换器中之功率半导体装置 |
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英飞凌推出ThinPAK 8x8无铅SMD封装的高压MOSFET (2010.05.07)
飞凌日前宣布推出新型 ThinPAK 8x8 无铅 SMD 封装的高压 MOSFET。新型封装面积仅有 64mm² （小于 D2PAK 的 150mm²），且高度仅 1mm（低于 D2PAK 的 4.4mm），不但尺寸极小，又具备标准的低寄生电感，为设计人员提供一个全新且有效缩小系统方案尺寸的功率密度设计 |
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提升汽车应用 NXP采用LFPAK封装MOSFET系列 (2010.04.29)
恩智浦半导体（NXP）近日成为第一家采用LFPAK封装（一种小型热增强的无损耗封装）的全系列汽车功率MOSFET供货商。结合恩智浦在封装技术及TrenchMOS技术方面的优势和经验，新型符合Q101标准的LFPAK封装MOSFET被认为是功率SO-8封装 |
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ROHM针对电池驱动行动装置 新增0.9V驱动阵容 (2010.03.22)
ROHM近日宣布，针对行动音响、录音笔、电子辞典、随身收音机、电子玩具等，行动装置电源电路用MOSFET“ECOMOS”系列扩增其产品阵容，新增首创0.9Ｖ驱动产品。
此新产品已经开始样品出货（样品价格10日圆／个），预定自2010年2月下旬开始量产 |
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快捷推出高效率、节省空间的N沟道MOSFET器件 (2010.03.16)
因应手机、可携式医疗设备和媒体播放器等可携式应用设备的设计和组件工程师对在其设计中加入高效、节省空间的器件的需求，快捷半导体（Fairchild）推出N沟道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ，这两款器件使用先进的PowerTrench制程技术，具有更低的RDS（ON），更高的效率，并可延长电池寿命 |
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英飞凌推出OptiMOS稳压MOSFET及DrMOS系列产品 (2010.03.08)
英飞凌科技近日于美国加州举办的「2010 应用电力电子研讨会暨展览会」上，宣布推出新款OptiMOS功率MOSFET系列产品。英飞凌所推出的OptiMOS 25V系列装置经过优化，适合应用于计算机服务器电源之稳压及电信/数据通讯之开关 |
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CISSOID引入新系列P信道高温功率MOSFET晶体管 (2010.03.01)
高温半导体解决方案的CISSOID，引进VENUS的新系列高温30V的P信道功率MOSFET晶体管，其保证操作在摄氐负55度到225度之间。P信道功率MOSFETs的VENUS系列命名为CHT-PMOS3002，CHT-PMOS3004及CHT-PMOS3008，其最大漏电流额定分别为2A、4A及8A |
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TI推全整合型Fusion Digital Power双路功率驱动器 (2010.02.25)
德州仪器（TI）宣布推出一款具备整合型功率MOSFET、保护区块以及监控功能的数字双路同步降压功率驱动器，相较于业界标准的驱动器，此新产品可节省80%的电路板空间与组件使用量 |
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ON扩充功率开关产品阵容推出高压MOSFET系列 (2010.02.23)
安森美半导体（ON）于昨日（2/22）宣布，推出包括500 V和600 V组件的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管系列。这些新方案的设计适合功率因子校正和脉冲宽调变段等高压、节能应用的强固要求，在这些应用中，加快导通时间及降低动态功率损耗至关重要 |
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TI推出新款可降低顶部热阻的功率MOSFET (2010.01.14)
德州仪器 (TI) 于昨日（1/13）宣布，针对高电流DC/DC应用推出首款透过封装顶部散热的标准尺寸功率MOSFET产品系列。DualCool NexFET功率 MOSFET有助于缩小终端设备的尺寸，同时还可将通过MOSFET的电流提高50%，并且提供了更好的散热管理 |
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TI：大电流小体积是MOSFET发展终极趋势 (2010.01.13)
德州仪器（TI）针对高电流DC/DC应用，推出业界第一个透过封装顶部散热的标准尺寸功率 MOSFET 产品系列。DualCool NexFET功率MOSFET有助于缩小终端设备的尺寸，同时还可将通过MOSFET的电流提高50％ |
当传输技术进入数字时代之后，用户及厂商对于数字显示的质量要求越来越注重，结合显示适配器硬件的数字显示接口标准，其发展进度因而更受到瞩目。
