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TI:大电流小体积是MOSFET发展终极趋势
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2010年01月13日 星期三

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德州仪器(TI)针对高电流DC/DC应用,推出业界第一个透过封装顶部散热的标准尺寸功率 MOSFET 产品系列。DualCool NexFET功率MOSFET有助于缩小终端设备的尺寸,同时还可将通过MOSFET的电流提高50%。目前基础设备市场对处理功率,客户要求以更小的封装实现具有更高电流的DC/DC电源。DualCool NexFET功率MOSFET在不改变尺寸的同时能处理更多电流,可充分满足客户需求。

TI亚洲市场开发电源产品协理罗伟指出,大电流与小体积将是MOSFET发展的终极趋势。
TI亚洲市场开发电源产品协理罗伟指出,大电流与小体积将是MOSFET发展的终极趋势。

TI亚洲市场开发电源产品协理罗伟指出,TI的MOSFET技术,来自于Ciclon。Ciclon是2004年在美国宾州成立的私人公司,前身是贝尔实验室的技术,专精于MOSFET技术,并于2009年由TI完全并购。TI在并购Ciclon之后,该部门将专注发展高效、节能的MOSFET。罗伟强调说,目前TI已拥有PWM Controller以及Gate Driver等技术,唯独就缺少MOSFET这一块技术。而并购了Ciclon的最大意义,在于TI终于可以完整提供在Power领域的所有相关解决方案。在购入MOSFET的相关技术后,未来TI也将依据客户需求,整合出不同功能的产品,以满足市场所需。

罗伟也解释,第一代的MOSFET又叫做Planer,裸晶通常较大,而MOSFET最重要的电阻RDS(ON)在开关打开时,电阻值越低越好,然而在降低内阻的同时,充电的电容又不能太大,否则太过耗电。也因此会出现电阻小、电容又要小的设计上矛盾。到了第二代的MOSFET,也就是目前多数厂商所使用的Trench(沟槽式),其电阻小,但电容却相对变大了,现在TI的NexFET技术就在克服这样的问题,也就是能同时提供更小的电阻与电容,如此在电源转换的充电与放电之间,电源的损耗就能大幅减少,进而提高效率。这也是目前TI与竞争对手间存在的最大技术差异。一般来说,要降低电阻是比较容易的,但要降低电容值便有一定的技术门坎存在,这部分在TI并购了Ciclon之后,便具有了业界的领先优势。

罗伟最后指出,DualCool是封装技术的改进,裸晶的部分没有多大差异,而是透过封装的改变,来满足客户对于电流提升以及功率的要求。这是TI跨入MOSFET领域的第一个产品,未来将朝向更小的封装体积发展,毕竟要让芯片体积更小,却同时要承载更大的电流量,在设计上将是很大的挑战,同时还有散热方面的问题需要克服,但这却是未来发展的趋势,也是所有设计商必须要走的路。而未来TI也将致力于提供更稳定的产品,供客户使用于其系统之中。

關鍵字: MOSFET  TI  电源组件 
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