因应手机、可携式医疗设备和媒体播放器等可携式应用设备的设计和组件工程师对在其设计中加入高效、节省空间的器件的需求，快捷半导体（Fairchild）推出N沟道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ，这两款器件使用先进的PowerTrench制程技术，具有更低的RDS（ON），更高的效率，并可延长电池寿命。

快捷推出高效率、节省空间的N沟道MOSFET器件 - FDZ192NZ和FDZ372NZ。

快捷的FDZ192NZ和FDZ372NZ是业界最小、最薄的晶圆级芯片尺寸（wafer-level chip-scale；WL-CSP）封装N沟道器件。藉由使用先进的芯片级尺寸封装制程，这些器件能够显著地节省电路板空间，满足可携式应用至关重要的要求。

WL-CSP MOSFET代表着封装技术的重大突破，使得器件能够结合出色的热转移特性、超薄封装、低栅极电荷和低RDS（ON）特性，并确保在低至1.5V的VGS下达到RDS（ON）额定值。这些器件具有大于2200V的HBM ESD保护等级。

FDZ192NZ采用厚度仅为0.65mm的1.5mm x 1.0mm封装；FDZ372NZ采用1.0mm x 1.0mm封装，具有0.4mm厚度。相较于尺寸为1.6mm x 1.6mm的业界最接近的同类器件，FDZ192NZ的体积缩小了41%，而FDZ372NZ则缩小了61%，高度降低了40%。