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运用nvSRAM维持企业级SSD的可靠性 (2014.04.08)
随着内存容量的增加且价格越来越便宜，
固态硬盘逐件取代传统硬盘的使用。
以每Gigabyte（GB）成本来看，固态硬盘将更具成本效益。
分析师预测固态硬盘价位可望持续下滑，使用率亦将陆续增加 |
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直接制造革命 (2014.03.12)
3D打印让个人化的创意、发想得以容易地实现。
不久的未来，当3D打印走向直接数字制造之后，
普罗大众将更有机会『直接』从3D打印上获得利益。 |
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运用nvSRAM 维持企业级SSD于电源故障时的可靠性 (2013.10.04)
固态硬盘技术简介
固态硬盘（Solid State Drives，简称SSD）是一种能永久储存数据的装置，采用固态半导体的内存，如闪存（NAND Flash），有别于传统硬盘机（HDD）所使用的磁性材料 |
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Cypress的平行式nvSRAM非挥发内存获LSI青睐 打造业界首款12Gb/s SAS适配卡 (2013.09.25)
触控感测市场领导厂商Cypress Semiconductor宣布LSI已为其新款12 Gb/s SAS适配卡（HBA）选用Cypress的平行式非挥发静态随机存取内存（nvSRAMs），这些适配卡将用在高效能服务器、工作站、及外接式储存系统 |
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Maxim高整合度微控制器提供金融终端单芯片方案 (2012.12.06)
Maxim Integrated (MXIM)推出DeepCover系列的最新安全产品：高整合度微控制器MAX32590。改良后的产品安全特性满足最新的安全标准要求，适用于金融终端和新一代受信任设备，如具有多媒体功能的可?式EFT-POS终端 |
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Microchip推出1Mb密度和80 Mbps速度的串行SRAM产品组合 (2012.08.10)
Microchip日前宣布推出四款最大密度和最快速度的全新组件，扩展了其串行SRAM产品组合。这些组件是首批5V操作的产品，适合汽车和工业应用中的大部分应用。这些512 Kb和1 Mb SPI组件保持了产品组合的低功耗和小型8接脚封装，启动成本低 |
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Cypress推出新款序列非挥发静态随机存取内存 (2011.03.28)
Cypress近日宣布推出新款序列非挥发静态随机存取内存（nvSRAM），支持仪表、工业以及汽车等应用所常用的I2C与SPI接口。新款组件提供高达104MHz的运作频率，支持各种SPI组件（I2C产品则支持至3.4MHz），并提供一款可选购的整合式实时频率（RTC），针对备份的关键数据提供时戳功能 |
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Cypress新nvSRAM 内建实时频率功能 (2009.10.18)
Cypress公司近日宣布推出新系列1-Mbit序列非挥发性静态随机存取内存（nvSRAM），以及内建实时频率（RTC）功能的新款4-Mbit与8-Mbit nvSRAM，提供计算机运算、工业、汽车、以及数据传输应用最佳解决方案 |
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Cypress子公司AGIGA推出非挥发性RAM系统 (2009.10.14)
Cypress宣布旗下子公司AgigA Tech推出高密度的高速非挥发性RAM系统。AGIGARAM非挥发系统(NVS)的全新CAPRI系列产品提供256 megabytes (2048 megabits) 至2 gigabytes (16 gigabits)密度。
该公司表示，此款产品采用DDR2 SDRAM接口，可提供速度达到800 MHz，且尖峰传输率可达DRAM水平 |
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AgigA Tech推出免电池非挥发性RAM内存 (2009.06.30)
Cypress公司近日宣布旗下子公司AgigA Tech公司推出业界首款高速、高密度的非挥发性RAM内存系统。新款AGIGARAM非挥发系统（NVS）技术，带来介于4 megabytes（32 megabits）及2 gigabytes（16 gigabits）之密度，尖峰传输率足以媲美DRAM |
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AgigA Tech推出高密度非挥发性RAM系统 (2009.06.30)
Cypress Semiconductor宣布旗下子公司AgigA Tech推出业界首款高速、高密度的非挥发性RAM内存系统。新款AGIGARAM非挥发系统(NVS)技术，带来介于4 megabytes(32 megabits)及2 gigabytes (16 gigabits)之密度，尖峰传输率足以媲美DRAM |
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Ramtron推出1Mb并行FRAM (2008.11.18)
Ramtron推出全新并行和串行FRAM系列中的首款并行产品，提供更高速的读/写性能、更低的工作电压和可选组件的特性。Ramtron的V系列FRAM产品中的最新组件FM28V100，是100万位、2.0至3.6V的并行非挥发性RAM，采用32脚TSOP-I封装，具备快速访问、无延迟（NoDelay）写入、无乎无限的读写次数和低功耗特性 |
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Cypress整合PSoC与非挥发性SRAM技术 (2008.09.26)
Cypress Semiconductor公司发表业界首款整合非挥发性静态随机存取内存（non-volatile static random access memory, nvSRAM）与可编程系统单芯片之组件。全新的PSoC NV系列产品结合Cypress旗舰级PSoC架构之弹性化设计功能，以及永续记忆的nvSRAM于单一芯片的封装中 |
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Cypress新增2-Mbit与8-Mbit nvSRAM产品 (2008.07.14)
Cypress公司发表2-Mbit与8-Mbit非挥发性静态随机存取内存（non-volatile static random access memory；nvSRAM），将Cypress的nvSRAM系列产品线从16-Kbit扩展至8-Mbit。此全新组件具备20奈秒(ns)的访问时间、无限次數的讀写及记忆周期、还有长达20年的资料维持等产品特色 |
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电池供电SRAM与非挥发性SRAM技术比较 (2008.06.10)
过去三十年来，工程师由于结合电池与静态RAM，能在刻意与意外断电情形时，让系统仍可保护资料。最初业界采用内建低密度记忆体电路的分立式解决方案，及单纯的电池技术，搭配分立式电源感测与切换电路 |
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非挥发静态随机存取记忆体优势介绍 (2008.02.18)
记忆体可大致分成挥发性记忆体，以及非挥发性记忆体。结合SRAM功能与非挥发性储存能力的记忆体，能在系统中发挥许多优点。本文简单介绍NVSRAM的特性与工作原理，并比较NVSRAM与其他提供类似解决方案的记忆体 |
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Cypress新4-Mbit nvSRAM采0.13微米SONOS制程 (2007.10.26)
Cypress公司发表一款全新4-Mbit非挥发性静态随机存取内存（non-volatile static random access memory；nvSRAM），具备15奈秒(ns)的访问时间、无限次數的讀写及记忆周期、还有长达20年的资料维持等产品特色 |
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Cypress推出高速小型非挥发性SRAM系列产品 (2006.06.05)
Cypress Semiconductor宣布推出非挥发性SRAM系列产品-nvSRAM的第一款组件产品。此款创新组件在切断电源的情况下，继续储存内部数据，而无须外接电池，因此，让Cypress这项创新高速装置不但符合欧盟电子电机设备有害物质限用指令（RoHS）的规定，且可提供比其他解决方案更小的封装 |
