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48 V低速电动车叁考设计 微型交通技术加速发展 (2024.03.22)
许多国家致力於实现气候目标，促使城市交通实现零排放。除了乘用汽车的电气化之外，低速电动车也能做出重要贡献。 |
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儒卓力供货高功率密度的威世N-Channel MOSFET (2020.02.19)
SiSS12DN MOSFET在10V下的1.98mΩ低导通电阻(RDS(ON))可以最大限度地降低传导损耗。此外，该器件的680pF低输出电容(Coss)和28.7nC的最隹化闸极电荷(Qg)则可减少与开关相关的功率损耗 |
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威世科技推出新款8 mm x 8 mm x 1.8 mm PowerPAK 8x8L封装 (2015.08.04)
威世科技（VISHAY）推出新款8 mm x 8 mm x 1.8 mm PowerPAK 8x8L 封装，旨在针对汽车应用常用的D2PAK 及DPAK 器件提供节省空间又节能的高电流替代方案。威世Siliconix SQJQ402E 40 V TrenchFET功率MOSFET 是业界首款通过AEC-Q101 认证且尺寸为8 mm x 8 mm 的MOSFET，也是首款采用海鸥脚引线，来消除机械应力的8 mm x 8 mm 封装 |
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Mouser 供应 Vishay Siliconix TrenchFET 功率 MOSFET (2012.11.23)
Mouser 日前开始供应 Vishay Siliconix的芯片级封装，并将导通电阻降至 1.2V 的 MOSFET。 Vishay Siliconix 的 Si8802 TrenchFet 功率 MOSFET 是采用最小的 0.8mm x 0.8mm 芯片级封装，亦即 Vishay 的 MICRO FOOT，将导通电阻降至 1.2V 的 N 信道组件 |
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Vishay发表新型20V P信道第三代MOSFET (2009.03.10)
Vishay发表采用其新型p信道TrenchFET第三代技术的首款组件，该20V p信道MOSFET采用SO-8封装，具最低的导通电阻。
新型Si7137DP具有1.9mΩ（在10V时）、2.5mΩ（在4.5V时）和3.9mΩ（在 2.5V时）的超低导通电阻 |
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Vishay推出采用MICRO FOOT芯片级封装MOSFET (2009.02.02)
Vishay宣布推出首款采用MICRO FOOT芯片级封装的TrenchFET功率MOSFET，该器件具有背面绝缘的特点。
Si8422DB针对手机、PDA、数码相机、MP3 播放器及智能电话等便携设备中的功率放大器、电池和负载切换进行了优化 |
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Vishay推出新型TrenchFET功率MOSFET (2008.12.24)
Vishay宣布推出新型20-V和30-V p-信道TrenchFET功率MOSFET。该器件采用SO-8封装，具有±20-V栅源极电压以及业内最低的导通电阻。
现有的同类SO-8封装器件额定电压下导通电阻仅低至24 mΩ，而Si7633DP具有3.3 mΩ（在10 V时）及 5.5 mΩ（在4.5 V时）的超低导通电阻 |
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Vishay新增两款第三代功率MOSFET产品 (2008.12.04)
Vishay推出两款20V和30V n信道组件，扩展其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。这些组件采用TurboFET技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达45%，大幅降低切换损耗及提高切换速度 |
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Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET系列 (2008.11.20)
Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型20V n信道器件，扩展了其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。该器件采用PowerPAK SO-8封装，在20V额定电压时具有业界最低导通电阻及导通电阻与闸极极电荷乘积 |
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Vishay扩展Gen III TrenchFET功率MOSFET系列 (2008.10.23)
Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型25V n信道器件，从而扩展了其Gen III TrenchFET功率MOSFET系列，对于采用PowerPAK SO-8封装类型且具有该额定电压的器件而言，该器件具有业界最低的导通电阻以及导通电阻与闸极极电荷之乘积 |
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Vishay推出新型20Vp信道TrenchFET功率MOSFET (2008.06.20)
Vishay Intertechnology, Inc.推出新型20Vp信道TrenchFET功率MOSFET，该器件采用MICRO FOOT芯片级封装，具有业界最小占位面积以及1.2 V时业界最低的导通电阻。
凭借1.2mm×1.0mm的超小占位面积，Si8445DB比业界大小仅次于它的器件小20%，同时具有0.59mm的相同超薄浓度 |
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Vishay推出20V p信道TrenchFET功率MOSFET (2008.04.10)
日前，为满足对可携式设备中更小组件的需求，Vishay推出20V p信道TrenchFET功率MOSFET，该组件采用MICRO FOOT芯片级封装，具有此类组件中最薄厚度及最低导通电阻。
Vishay Siliconix Si8441DB具有0.59mm的超薄厚度，以及1.5mm×1mm的占位面积 |
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Vishay推出新系列汽车用TrenchFET功率MOSFET (2007.11.15)
Vishay推出已通过AEC-Q101认证的新系列汽车用TrenchFET功率MOSFET，该系列包含两款采用PowerPAK 1212-8封装且额定结温为175°C的60V组件。日前推出的组件为在10V栅极驱动时导通电阻为25毫欧的Vishay Siliconix n信道SQ7414EN以及额定导通电阻为65毫欧的p信道SQ7415EN |
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VSH推出三款面向OR-ing应用的功率MOSFET (2007.11.08)
Vishay Intertechnology, Inc.(VSH)推出三款面向OR-ing应用的功率MOSFET，这些器件具有三种封装选择，可提供最佳的导通电阻性能，凭借这三款器件，公司将有助于提升固定电信网络的效率 |
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Vishay推出新系列P信道MOSFET (2007.10.11)
Vishay推出新系列P信道MOSFET，这些组件建立了每单位面积最低导通电阻的新记录。基于新一代TrenchFET芯片技术的新型Vishay Siliconix组件采用PowerPAK SC-70封装（2.05 mm×2.05 mm）时最大导通电阻额定值为29毫欧，采用标准SC-70封装（2.0 mm ×2.1 mm）时为80毫欧，采用SC-89封装（1.6 mm×1.6 mm）时为130毫欧 |
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Vishay的MOSFET帮助设计人员简化电源管理电路 (2007.08.16)
Vishay宣布推出业界首批在1.2V栅源电压时具有额定导通电阻值的功率MOSFET，这一进步将帮助设计人员简化电源管理电路，同时延长可擕式电子系统中的电池运行时间。
额定电压为1.2V的这些新型Vishay Siliconix TrenchFET器件使MOSFET导通电压与移动电子设备中使用的数字IC的1.2V～1.3V工作电压保持一致，从而可实现更安全、更可靠的设计 |
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Vishay推出17款新型功率MOSFET (2005.12.01)
Vishay推出17款新型功率MOSFET，这些器件采用小型PowerPAK 1212-8封装，并且具有低至3.7mΩ的超低导通电阻值。这些TrenchFET第二代器件实现了巨大的空间节约，它们的尺寸仅为3.3毫米×3.3毫米×1毫米，仅是SO-8封装的1/3，并且它们还具有不足2°C/W的低热阻，这一热阻值比SO-8器件低8倍 |
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Vishay推出功率MOSFET器件－Si4368DY及Si7668DP (2004.05.11)
Vishay Intertechnology控股80.4%的子公司，Siliconix Incorporated宣布推出首批两款功率MOSFET 器件。采用了WFET. 技术使産品的Qgd 值极低，而同时采用了TrenchFET.Gen II 技术使産品具有很低的rDS(on)值 |
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SILICONIX推出200V功率MOSFET器件 (2004.04.16)
拥有80.4% 股份的Vishay子公司Siliconix日前宣布推出采用小型PowerPAK. 1212-8 封装的业界首款200V功率MOSFET 器件。针对固定电信网络与路由器中主要的电源直流到直流转换应用，新型N 信道Si7820DN TrenchFET功率MOSFET是电源交换市场中的最小200V 器件 |
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SILICONIX 推出新P信道–40V与–60V TRENCHFET (2004.04.12)
拥有80.4%股份的Vishay子公司Siliconix日前宣布推出针对创记录的P 信道MOSFET系列的目标应用：汽车12V板网（boardnet）高端开关与电动机驱动器。这种新型–40V 与–60V 器件是首款采用Vishay 高级P 信道技术构建的具有额定击穿电压的器件，该技术将MOSFET 导通电阻降到了低于记录的水平 |
