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英飞凌首创12寸氮化??功率半导体制程技术 推动市场快速增长 (2024.09.11)
英飞凌科技(Infineon)宣布成功开发出全球首创12寸氮化??(GaN)功率半导体晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握此一技术的企业,这项突破将大幅推动GaN功率半导体市场的发展
ROHM推出4款工业电源适用SOP封装通用AC-DC控制器IC (2024.09.10)
ROHM推出PWM控制方式FET外接型通用控制器IC,非常适用於工业设备的AC-DC电源。目前已有支援多种功率电晶体共4款新产品投入量产,包括低耐压MOSFET驱动用「BD28C55FJ-LB」、中高耐压MOSFET驱动用「BD28C54FJ-LB」、IGBT驱动用「BD28C57LFJ-LB」以及SiC MOSFET驱动用「BD28C57HFJ-LB」
[SEMICON]筑波与鸿劲精密联手展示先进化合物半导体与矽光子技术 (2024.09.05)
筑波科技(ACE Solution)与鸿劲精密(Hon. Precision)携手叁与SEMICON Taiwan 2024国际半导体展,展示光电整合矽光子测试技术、精密量测及自动化机台的整合,着重高密度与光电结合测试方案
ROHM与UAES签署SiC功率元件长期供货协议 (2024.09.05)
半导体制造商ROHM与中国车界Tier1供应商联合汽车电子有限公司(United Automotive Electronic Systems,UAES)签署了SiC功率元件的长期供货协议。 UAES和ROHM自2015年开始技术交流以来,双方在SiC功率元件的车载应用产品开发方面也建立了合作夥伴关系
纬湃采用英飞凌CoolGaN电晶体打造高功率密度DC-DC转换器 (2024.09.03)
在电动汽车和混合动力汽车中,少不了用於连接高电压电池和低电压辅助电路的DC-DC转换器,而它对於开发更多具有低压功能的经济节能车型也很重要。由TechInsights的资料显示,2023年全球汽车DC-DC转换器的市场规模为40亿美元,预计到2030年将增长至110亿美元,预测期内的复合年增长率为15%
ROHM第4代SiC MOSFET裸晶片导入吉利电动车三款主力车型 (2024.08.29)
半导体制造商ROHM内建第4代SiC MOSFET裸晶片的功率模组,成功导入至浙江吉利控股集团(以下称吉利)的电动车(以下称EV)品牌「ZEEKR」的「X」、「009」、「001」三款车型的主机逆变器
成式 AI 整合机器视觉检测的崛起 (2024.08.28)
随着生成式 AI 和机器视觉检测的快速发展,为智慧 AOI 检测注入了新的活力。本文将聚焦在智慧 AOI 检测市场的发展现况与趋势,并剖析其在智慧工厂巡检与品质管控的应用场景,并关注生成式 AI 与机器视觉检测所带来的变革
100%绿电运营 英飞凌启用全球最大8寸SiC功率半导体晶圆厂 (2024.08.08)
英飞凌科技宣布,其位於马来西亚的新厂一期建设正式启动运营。建设完成後,该厂将成为全球最大且最具竞争力的8寸碳化矽(SiC)功率半导体晶圆厂。马来西亚总理拿督思里安华、吉打州务大臣拿督思里莫哈末沙努西与英飞凌执行长 Jochen Hanebeck 一同进行启用仪式
开启HVAC高效、静音、节能的新时代 (2024.08.01)
文:本次要介绍的产品,是来自德州仪器(TI)一款业界首创的650V三相智慧功率模组(Intelligent Power Module;IPM)━「DRV7308」,适用於250W马达驱动器应用。
(内部测试档) (2024.07.31)
英飞凌新一代CoolGaN电晶体系列采用8 寸晶圆制程 (2024.07.11)
根据Yole Group预测,氮化??(GaN)市场在未来五年内的年复合成长率将以46%成长。英飞凌科技推出两款新一代高电压(HV)与中电压(MV)CoolGaN产品,让客户可以在更广泛的应用领域中,采用 40 V 至 700 V 电压等级的GaN装置,推动数位化与低碳化进程
德州仪器与台达电子合作 推动电动车车载充电技术再进化 (2024.07.03)
德州仪器(TI)与台达电子展开长期合作,共同开发次世代电动车车载充电与电源解决方案。这项合作将於双方在台湾平镇的创新联合实验室进行,结合双方在电源管理与电力传输方面的研发量能,共同推动功率密度、效能与尺寸最隹化,加速实现更安全、充电快速和实惠的电动车
TI首款GaN IPM问世 实现更小更具能源效率的高电压马达设计 (2024.06.26)
德州仪器 (TI) 推出适用於 250W 马达驱动器应用的 650V 三相 GaN IPM(Intelligent Power Module)。这款全新 GaN IPM 能协助工程师克服在设计大型家用电器以及暖通空调(HVAC)系统时常面临的多数设计与性能的问题
意法半导体於义大利打造世界首座一站式碳化矽产业园区 (2024.06.24)
意法半导体(STMicroelectronics,ST),将於义大利卡塔尼亚打造一座结合8寸碳化矽(SiC)功率元件和模组制造、封装、测试於一体的综合性大型制造基地。透过整合同一地点现有之碳化矽基板制造厂,意法半导体将打造一个碳化矽产业园区,达成在同一个园区内全面垂直整合制造及量产碳化矽之愿景
台达与德仪携手成立实验室 布局先进电动车电源系统 (2024.06.21)
台达今(21)日宣布与德州仪器成立创新联合实验室,不仅深化双方长期合作关系,亦借重TI在数位控制及氮化??(GaN)等半导体相关领域多年的丰富经验及创新技术,强化新一代电动车电源系统的功率密度和效能等优势,厚植台达在电动车领域的核心竞争力
安森美於捷克打造端到端碳化矽工厂 完备先进功率半导体供应链 (2024.06.20)
电气化、再生能源和人工智慧是全球大势所趋,激发了市场对可最隹化能源转换和管理的先进功率半导体的空前需求。为满足这些需求,安森美采取了战略举措,宣布将在捷克建造先进的垂直整合碳化矽 (SiC) 制造工厂
CML Ka波段GaN功率放大器用於商用卫星通讯终端设备开发 (2024.06.18)
CML Micro推出Ka波段氮化??(GaN)功率放大器CMX90A705,这是一个商用卫星通讯终端设备,并具有高成本效益的构建元件。CMX90A705是一款封装两级GaN线性功率放大器,可提供+37.4 dBm(5.5 W)饱和功率,覆盖27.5至31GHz频率范围,小讯号增益为16.5 dB
三菱电机为 Ka 频段卫星通讯地球站提供GaN MMIC功率放大器样品 (2024.06.14)
三菱电机(Mitsubishi Electric)今(14)日宣布,将开始出货用於Ka 波段卫星通讯的8W 和14W 氮化??(GaN)单片微波积体电路(MMIC)功率放大器样品7 月 1 日起启用通讯(SATCOM)地球站
CGD与Qorvo合作开发马达控制应用的GaN叁考设计及评估套件 (2024.06.07)
无晶圆厂洁净技术半导体Cambridge GaN Devices(CGD)致力於开发氮化??(GaN)器件,近日与全球连接和电源解决方案供应商Qorvo合作开发 GaN 在马达控制应用中的叁考设计和评估套件(EVK)
CGD与工研院合作开发氮化??电源 (2024.05.31)
无晶圆厂洁净技术半导体公司Cambridge GaN Devices(CGD)与工业技术研究院(ITRI)签署合作备忘录,以巩固双方在开发高性能氮化??USB-PD适配器的合作夥伴关系。 CGD致力於开发多种节能的氮化??(GaN)器件,以实现更环保的电子元件


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10 Diodes新款10Gbps符合车规的主动交叉多工器可简化智慧座舱连接功能

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