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Intel Foundry透过使用减材?? 提升电晶体容量达25% (2024.12.24)
英特尔晶圆代工（Intel Foundry）在2024年IEEE国际电子元件会议（IEDM）上公布了新的突破。包括展示了有助於改善晶片内互连的新材料，透过使用减材??（subtractive Ruthenium）提升电晶体容量达25% |
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奈米科技助阵 微晶片快筛时代即将来临 (2024.12.17)
全球面临各种健康威胁，快速、可靠的居家诊断测试需求日益迫切。纽约大学坦登工程学院研发出突破性微晶片技术，可??实现多疾病同步检测、数据即时传输，将居家诊断推向新纪元 |
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半导体业界持续革命性创新 有助於实现兆级电晶体时代微缩需求 (2024.12.09)
随着人工智慧（AI）应用迅速崛起，从生成式AI到自动驾驶和边缘运算，对半导体晶片的需求也随之激增。这些应用要求更高效能、更低功耗以及更高的设计灵活性。尤其在2030年实现单晶片容纳1兆个电晶体的目标下，半导体产业面临着重大挑战：电晶体和晶片内互连的持续微缩、材料创新以突破传统设计的限制，以及先进封装技术的提升 |
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贸泽电子、ADI和Bourns合作出版全新电子书 探索电力电子装置基於GaN的优势 (2024.12.03)
贸泽电子（Mouser Electronics）与ADI和Bourns合作出版最新的电子书，探索氮化??（GaN）技术在追求效率、效能和永续性的过程中所面对的挑战和优势所在。
《10 Experts Discuss Gallium Nitride Technology》（10位专家谈论氮化??技术）探讨GaN技术如何彻底改变电力电子技术，达到比矽更高的效率、更快的开关速度和更大的功率密度 |
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贸泽与ADI合作全新电子书探索电子设计电源效率与耐用性 (2024.11.13)
贸泽电子（Mouser Electronics）与美商亚德诺（ADI）合作出版全新的电子书，重点介绍最隹化电源系统的基本策略。在《Powering the Future: Advanced Power Solutions for Efficiency and Robustness》（为未来提供动力：实现效率和耐用性的进阶电源解决方案）中，ADI和贸泽的主题专家针对电源系统中最重要的元件、架构和应用提供深入分析 |
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ROHM推出4款工业电源适用SOP封装通用AC-DC控制器IC (2024.09.10)
ROHM推出PWM控制方式FET外接型通用控制器IC，非常适用於工业设备的AC-DC电源。目前已有支援多种功率电晶体共4款新产品投入量产，包括低耐压MOSFET驱动用「BD28C55FJ-LB」、中高耐压MOSFET驱动用「BD28C54FJ-LB」、IGBT驱动用「BD28C57LFJ-LB」以及SiC MOSFET驱动用「BD28C57HFJ-LB」 |
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M31与高塔半导体合作 开发65奈米SRAM和ROM记忆体 (2024.08.04)
M31 Technology宣布与高塔半导体（Tower Semiconductor）合作，成功开发65奈米制程的SRAM（静态随机存取记忆体）和ROM（唯读记忆体）IP产品，并将设计模组交付客户端完成验证，搭配此平台的低功耗元件Analog FET（类比场效电晶体）所设计的电路架构，能够满足SoC晶片严格的低功耗要求 |
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开启HVAC高效、静音、节能的新时代 (2024.08.01)
文:本次要介绍的产品，是来自德州仪器（TI）一款业界首创的650V三相智慧功率模组（Intelligent Power Module；IPM）━「DRV7308」，适用於250W马达驱动器应用。 |
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Transphorm与伟诠电子合作推出新款整合型氮化??器件 (2024.04.25)
全球氮化鎵（GaN）功率半导体供应商Transphorm与适配器USB PD控制器IC供应商伟诠电子Weltrend Semiconductor）今（25）日推出两款新型系统级封装氮化鎵器件（SiP），与去年推出的伟诠电子旗舰氮化鎵 SiP组成首个基於 Transphorm SuperGaN平台的系统级封装氮化鎵产品系列 |
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ST碳化矽数位电源解决方案被肯微科技采用於高效伺服器电源供应器设计 (2024.03.22)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）与高效能电源供应领导厂商肯微科技合作，设计及研发使用ST领先业界的碳化矽（SiC）、电气隔离和微控制器的伺服器电源叁考设计技术 |
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台团队实现二维材料铁电电晶体 次世代记忆体内运算有??成真 (2024.02.21)
由台湾师范大学物理系蓝彦文教授与陆亭桦教授组成的联合研究团队，在铁电材料领域取得了重大突破，开发出基於二维材料二硫化??的创新铁电电晶体(ST-3R MoS2 FeS-FET)，厚度仅有1 |
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Transphorm新型SuperGaN器件采用4引脚TO-247封装 (2024.01.18)
全球氮化??（GaN）功率半导体供应商Transphorm推出两款采用4引脚TO-247封装的新型SuperGaN器件TP65H035G4YS和TP65H050G4YS FET，各别具有35毫欧和50毫欧的导通电阻，并配有一个开尔文源极端子，以更低的能量损耗为客户实现更全面的开关功能，因应高功率伺服器、可再生能源、工业电力转换领域的需求 |
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Transphorm两款全新叁考设计应用於两轮和三轮电动车电池充电器 (2023.12.21)
全球氮化??（GaN）功率半导体供应商Transphorm推出两款针对电动车充电应用的全新叁考设计。300W和600W??流/??压（CC/CV）电池充电器采用Transphorm的70毫欧和150毫欧SuperGaN元件，以成本实现高效的AC-DC 功率转换和高功率密度 |
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Transphorm与Allegro合作提升大功率应用中氮化??电源系统性能 (2023.12.08)
全球氮化??（GaN）功率半导体供应商Transphorm与为运动控制和节能系统提供电源及感测半导体技术的Allegro MicroSystems合作，使用Transphorm的SuperGaN场效应电晶体和Allegro的AHV85110隔离式栅极驱动器，针对大功率应用扩展氮化??电源系统设计 |
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TI：扩大低功率GaN产品组合 实现AC/DC电源供应器体积缩小50% (2023.12.04)
德州仪器（TI）扩大其低功率氮化?? (GaN) 产品组合，旨在协助提升功率密度、最大化系统效率，以及缩小 AC/DC 电源供应消费电子和工业系统的尺寸。TI 具备整合式闸极驱动器的 GaN 场效应电晶体 (FET) 整体产品组合，可解决常见的散热设计挑战，让供应器维持低温，同时以更小的体积推动更大功率 |
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Transphorm新款TOLT封装形式的SuperGaN FET提供更灵活的热管理 (2023.11.29)
Transphorm继近期推出三款新型TOLL FET後，推出一款TOLT封装形式的SuperGaN FET，新品TP65H070G4RS电晶体的导通电阻为72毫欧，为采用JEDEC标准（MO-332）TOLT封装的顶部散热型表面贴装氮化??元件 |
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Transphorm新三款TOLL封装SuperGaN FET 支援高功率能耗AI应用 (2023.11.07)
全球氮化??（GaN）功率半导体供应商Transphorm公司近日推出三款TOLL封装的SuperGaN FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准，可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件 |
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Transphorm氮化??元件助力DAH Solar微型逆变器光伏系统 (2023.10.12)
世界首个整合型光伏（PV）系统采用Transphorm氮化??平台，DAH Solar是安徽大恒新能源技术公司子公司。该整合型光伏系统已应用在大恒能源的最新SolarUnit 产品。DAH Solar认为系统中所使用的Transphorm的GaN FET元件，能够生产出更小、更轻、更可靠的太阳能电池板系统，同时还能以更低的能耗提供更高的总发电量，关键在於使用Transphorm的功率元件 |
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Transphorm推出新款TOLL FET 可支援高功率AI应用 (2023.10.11)
Transphorm推出三款采用TOLL封装的SuperGaN氮化??场效应管（FET），导通电阻分别为35、50和72毫欧姆。Transphorm的TOLL封装配置符合业界标准，意即SuperGaN TOLL FET可直接替代任何E模式TOLL解决方案 |
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氮化??在采用图腾柱 PFC 的电源设计中达到高效率 (2023.08.04)
世界各地的政府法规要求在交流/直流电源中使用 PFC 级，藉以促进从电网获得洁净电力。PFC 对交流输入电流进行调整以遵循与交流输入电压相同的形状... |
