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进入High-NA EUV微影时代 (2024.09.19)
比利时微电子研究中心（imec）运算技术及系统／运算系统微缩研究计画的资深??总裁（SVP）Steven Scheer探讨imec与艾司摩尔（ASML）合建的High-NA EUV微影实验室对半导体业的重要性 |
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跨过半导体极限高墙 奈米片推动摩尔定律发展 (2024.08.21)
奈米片技术在推动摩尔定律的进一步发展中扮演着关键角色。
尽管面临图案化与蚀刻、热处理、材料选择和短通道效应等挑战，
然而，透过先进的技术和创新，这些挑战正在逐步被克服 |
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imec采用High-NA EUV技术 展示逻辑与DRAM架构 (2024.08.11)
比利时微电子研究中心（imec），在荷兰费尔德霍温与艾司摩尔（ASML）合作建立的高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）微影实验室中，利用数值孔径0.55的极紫外光曝光机，发表了曝光後的图形化元件结构 |
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科林研发推出Lam Cryo 3.0低温蚀刻技术 加速3D NAND在AI时代的微缩 (2024.08.06)
Lam Research 科林研发推出 Lam Cryo 3.0，这是该公司经过生产验证的第三代低温介电层蚀刻技术，扩大了在 3D NAND 快闪记忆体蚀刻领域的领先地位。随着生成式人工智慧（AI）的普及不断推动更大容量和更高效能记忆体的需求，Lam Cryo 3.0 为未来先进 3D NAND 的制造提供了至关重要的蚀刻能力 |
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Lam Research以Lam Cryo 3.0 低温蚀刻技术加速实现3D NAND目标 (2024.08.06)
随着生成式人工智慧（AI）普及推升更大容量和更高效能记忆体的需求，Lam Research科林研发推出第三代低温介电层蚀刻技术Lam Cryo 3.0，已经过生产验证，扩大在3D NAND快闪记忆体蚀刻领域的地位 |
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ASML与imec成立High-NA EUV微影实验室 (2024.06.05)
比利时微电子研究中心（imec）与艾司摩尔（ASML）共同宣布，双方於荷兰费尔德霍温合作开设的高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）微影实验室正式启用，为尖端的逻辑、记忆体晶片商以及先进的材料、设备商提供第一部高数值孔径（high-NA）极紫外光（EUV）曝光机原型TWINSCAN EXE:5000以及相关的制程和量测工具 |
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应材Sculpta图案化解决方案 拓展埃米时代晶片制造能力 (2024.02.29)
随着台湾晶圆代工大厂持续向外扩充版图，并将制程推进至2nm以下，正加速驱动晶片制造厂商进入埃米时代，也越来越受惠於新材料工程和量测技术。美商应用材料公司则透过开发出越来越多采用Sculpta图案成形应用技术，与创新的CVD图案化薄膜、蚀刻系统和量测解决方案 |
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矽光子发展关键：突破封装与材料障碍 (2023.08.21)
最终的光电融合是3D共封装光学，即三维整合。可以毫不夸张地说，基於矽光子的光电子融合，将会是未来计算机系统和资讯网路的关键技术。 |
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imec观点：微影图形化技术的创新与挑战 (2023.05.15)
此篇访谈中，比利时微电子研究中心（imec）先进图形化制程与材料研究计画的高级研发SVP Steven Scheer以近期及长期发展的观点，聚焦图形化技术所面临的研发挑战与创新。 |
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imec开发虚拟晶圆厂 巩固微影蚀刻制程的减碳策略 (2023.03.19)
由国际光学工程学会（SPIE）举办的2023年先进微影成形技术会议（2023 Advanced Lithography and Patterning Conference）上，比利时微电子研究中心（imec）展示了一套先进IC图形化制程的环境影响量化评估方案 |
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看好晶片微缩进展 imec提出五大挑战 (2023.03.13)
面对当代的重大挑战时，人工智慧应用越来越广泛，未来的运算需求预计会每半年翻涨一倍。为了在处理暴增的巨量资料的同时维持永续性，需要经过改良的高性能半导体技术 |
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探索埃米世代导线材料 金属化合物会击败铜吗？ (2023.01.19)
大约5年前，imec研究团队开始探索二元与三元化合物作为未来金属导线材料的可能性，藉此取代金属铜。他们设计一套独特方法，为评估各种潜在的替代材料提供指引。 |
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评比奈米片、叉型片与CFET架构 (2022.04.21)
imec将於本文回顾奈米片电晶体的早期发展历程，并展??其新世代架构，包含叉型片（forksheet）与互补式场效电晶体（CFET）。 |
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冠橙科技光罩基板具有清洗、溅镀和光阻涂布技术特色 (2022.01.26)
随着电子产品趋於轻薄短小，加工尺寸也相应的微小化，各种创新加工技术和各式各样的微细制造模具也因应而生。由早期的印刷雕刻模具到半导体的微影曝光光罩，以及穿戴装置产业需要更小的图案、更大的尺寸及软性模具等 |
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为台湾嵌入式记忆体技术奠基 国研院发表SOT-MRAM研发平台 (2021.11.09)
国研院半导体中心，今日举行次世代嵌入式记忆体技术，「自旋轨道力矩式磁性记忆体（SOT-MRAM）」研究成果发表会。该记忆体采用垂直异向性的结构，不仅电耗更低、体积更小，同时读写的速度也更快，能够整合至高性能的逻辑IC之中，进一步实现下世代的处理器晶片 |
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工研院携手英商牛津仪器 共同研究化合物半导体 (2021.09.27)
在经济部技术处的见证下，工研院携手英商牛津仪器，签署研究计划共同合作，将链结双方研发能量，建构台湾化合物半导体产业链发展，抢攻全球市场。
经济部技术处表示 |
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突破行动OLED显示器量产瓶颈 (2021.06.16)
OLED在显示器市场炙手可热，在行动显示与微显示方面也浮现了一些技术挑战。爱美科证实了光刻技术可??克服目前OLED显示器主要制程的生产瓶颈，作为未来的首选解决方案 |
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用蚀刻改造二维材料物理特性 成大团队创新研发石墨烯的崭新结构 (2021.03.31)
半导体的开发与材料的物理特性紧密相连，但随着人工智慧与5G应用对元件在高功率、低延迟等性能的要求越来越高，材料的物理特性逐渐成为挑战甚至是限制。用人造方式来调整材料的原子间距与排列 |
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科林研发打造革命性新蚀刻技术 推动下一代3D记忆体制造 (2021.01.29)
晶片制造商为智慧型手机、绘图卡、和固态硬碟等应用所建构的3D 记忆体元件，促使业界持续透过垂直增加元件尺寸和横向减小关键尺寸（CD）来降低每世代制程节点间的单位位元成本 |
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Manz推进大板级扇出型封装建设 助力FOPLP产业化 (2020.03.16)
高科技设备制造商亚智科技（Manz），交付大板级扇出型封装解决方案於广东佛智芯微电子技术研究有限公司（佛智芯），推进国内首个大板级扇出型封装示范线建设，是佛智芯成立工艺开发中心至关重要的一个环节，同时也为板级扇出型封装装备奠定了验证基础，从而推进整个扇出型封装（FOPLP）行业的产业化发展 |
