比利时微电子研究中心（imec）与艾司摩尔（ASML）共同宣布，双方於荷兰费尔德霍温合作开设的高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）微影实验室正式启用，为尖端的逻辑、记忆体晶片商以及先进的材料、设备商提供第一部高数值孔径（high-NA）极紫外光（EUV）曝光机原型TWINSCAN EXE:5000以及相关的制程和量测工具。

High NA实验室内的TWINSCAN EXE:5000高数值孔径极紫外光曝光机首次展示一次曝光完成超高密度的10奈米导线图形。

这座由ASML与imec共同成立的High-NA EUV实验室宣布正式启用，象徵着高数值孔径极紫外光制程预备投入量产的里程碑预计将於2025~2026年实现。imec与ASML把high-NA EUV原型机与相关工具（包含光阻涂布与显影机、量测工具、晶圆与光罩处理系统）开放给尖端的逻辑和记忆体晶片制造商使用，藉此协助他们在晶圆厂启用high-NA EUV曝光机之前，先降低该技术的开发风险，并开发自有的应用案例。这些资源也会开放给材料商及设备商的广泛生态系统，以及imec的高数值孔径图形化研究计画。

为了让0.55数值孔径的EUV曝光机及基础设施顺利启用，随之而来的准备工作早在2018年展开积极部署。这段期间，ASML与蔡司（ZEISS）成功开发了high-NA EUV曝光机的专用解决方案，包含曝光源、光学元件、镜头变形、光罩场域拼接、缩短焦点深度、边界放置误差及叠对准确性。同时，imec与其广泛的供应网络紧密合作来筹备图形化生态系统，包含开发了先进的光阻剂与涂料底层材料、光罩、量测及检测技术、（变形）成像技术、光学邻近修正（OPC）、整合光罩图样及蚀刻技术。

最近，这项筹备工作完成了首次曝光显影，第一次成功在荷兰费尔德霍温利用0.55数值孔径EUV曝光机原型，在金属氧化物光阻剂（MOR）上形成排列密集（间距为20奈米）的10奈米导线图形。

imec执行长Luc Van den hov表示：「高数值孔径极紫外光技术是光学显影技术的下一个里程碑，可??一次曝光就能完成间距为20奈米的金属导线或间隔图样，并有助於打造出新世代的动态随机存取记忆体（DRAM）。相较於目前采用多重图形化的0.33数值孔径EUV制程，这将能改良产量，并缩短生产周期，甚至是二氧化碳排放量。因此，这项最新的显影技术会是推动摩尔定律迈向埃米（angstrom）世代的关键推手。运用这台high-NA EUV曝光机原型，我们迫不及待想要在现实生活中探索这些性能。对imec及我们的夥伴来说，这座High NA EUV显影实验室将成为我们比利时鲁汶12寸晶圆无尘室的虚拟延伸，让我们进一步改良图形化生态系统，并提升高数值孔径极紫外光技术的解析度极限。」

ASML执行长Christophe Fouquet表示：「由ASML与imec共同建立的High NA EUV微影实验室提供我们极紫外光设备的客户、夥伴及供应商使用高数值孔径极紫外光系统的机会，让他们在等待自家系统於厂房启用时可以先行开发制程。这种尽早投入生态系统的作法独一无二，还可能大幅加速这项技术的学习进度，并协助将其顺利导入制造阶段。在这段过程中，我们致力以高数值孔径极紫外光技术与客户建立合作并提供协助。」