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半导体业界持续革命性创新 有助於实现兆级电晶体时代微缩需求 (2024.12.09)
随着人工智慧（AI）应用迅速崛起，从生成式AI到自动驾驶和边缘运算，对半导体晶片的需求也随之激增。这些应用要求更高效能、更低功耗以及更高的设计灵活性。尤其在2030年实现单晶片容纳1兆个电晶体的目标下，半导体产业面临着重大挑战：电晶体和晶片内互连的持续微缩、材料创新以突破传统设计的限制，以及先进封装技术的提升
英特尔展示下世代电晶体微缩技术突破 将应用於未来制程节点 (2023.12.12)
英特尔公开多项技术突破，为公司未来的制程蓝图保留了创新发展，凸显摩尔定律的延续和进化。在今年 IEEE 国际电子元件会议（IEDM）上，英特尔研究人员展示了结合晶片背部供电和直接背部接触的3D堆叠 CMOS（互补金属氧化物半导体）电晶体的最新进展
英特尔於类产品测试晶片实作背部供电 实现90％单元利用率 (2023.06.06)
英特尔是首家在类产品的测试晶片上实作背部供电的公司，达成推动世界进入下个运算时代所需的效能。英特尔领先业界的晶片背部供电解决方案━PowerVia，将於2024上半年在Intel 20A制程节点推出


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