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威世科技推出新款8 mm x 8 mm x 1.8 mm PowerPAK 8x8L封装 (2015.08.04)
威世科技（VISHAY）推出新款8 mm x 8 mm x 1.8 mm PowerPAK 8x8L 封装，旨在针对汽车应用常用的D2PAK 及DPAK 器件提供节省空间又节能的高电流替代方案。威世Siliconix SQJQ402E 40 V TrenchFET功率MOSFET 是业界首款通过AEC-Q101 认证且尺寸为8 mm x 8 mm 的MOSFET，也是首款采用海鸥脚引线，来消除机械应力的8 mm x 8 mm 封装 |
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威世科技VRPower整合DrMOS提供多相于高功率密度调节器POL (2014.12.25)
威世科技（Vishay）推出新型VRPower整合型DrMOS功率级解决方案，提供三种PowerPAK封装尺寸，以应对高功率高效率多相POL应用领域。威世Siliconix SiC789与SiC788采用MLP66-40L封装，为Intel 4.0 DrMOS 标准（6 mm x 6 mm）脚位，而SiC620及SiC620R则采用全新的5 mm x 5 mm MLP55-31L封装，SiC521则是4.5 mm x 3.5 mm的MLP4535-22L封装 |
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Mouser 供应 Vishay Siliconix TrenchFET 功率 MOSFET (2012.11.23)
Mouser 日前开始供应 Vishay Siliconix的芯片级封装，并将导通电阻降至 1.2V 的 MOSFET。 Vishay Siliconix 的 Si8802 TrenchFet 功率 MOSFET 是采用最小的 0.8mm x 0.8mm 芯片级封装，亦即 Vishay 的 MICRO FOOT，将导通电阻降至 1.2V 的 N 信道组件 |
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Vishay推出新款p信道功率MOSFET系列 (2008.08.21)
Vishay推出采用PowerPAK SC-75封装的p信道功率MOSFET系列，该系列包括额定电压介于8V～30V的多个器件，这些是采用此封装类型的首批具有上述额定电压的器件。
日前推出的这些器件包括首款采用PowerPAK SC-75封装的-12V(SiB419DK)及-30V(SiB415DK)单p信道功率MOSFET |
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Vishay推出新型Siliconix功率MOSFET (2008.06.05)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出15款采用2 mm×2 mm的PowerPAK SC-70封装、浓度为0.8 mm的新型功率MOSFET。
新产品包括用于不同应用的各种配置及额定电压，除了n信道及p信道的互补对外，还包括n信道及p信道的单路、单路带肖特基二极管的及双路的器件 |
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Vishay推出20V p信道TrenchFET功率MOSFET (2008.04.10)
日前，为满足对可携式设备中更小组件的需求，Vishay推出20V p信道TrenchFET功率MOSFET，该组件采用MICRO FOOT芯片级封装，具有此类组件中最薄厚度及最低导通电阻。
Vishay Siliconix Si8441DB具有0.59mm的超薄厚度，以及1.5mm×1mm的占位面积 |
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Vishay新型控制器IC 针对中间总线转换器应用 (2008.03.02)
Vishay推出针对中间总线转换器（IBC）应用的两款新型控制器IC，这两款器件是率先将高压（75V）半桥 MOSFET驱动器与1.6A峰值电流驱动功能以及各种电流监控功能整合在一起的单芯片器件 |
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Vishay推出新系列汽车用TrenchFET功率MOSFET (2007.11.15)
Vishay推出已通过AEC-Q101认证的新系列汽车用TrenchFET功率MOSFET，该系列包含两款采用PowerPAK 1212-8封装且额定结温为175°C的60V组件。日前推出的组件为在10V栅极驱动时导通电阻为25毫欧的Vishay Siliconix n信道SQ7414EN以及额定导通电阻为65毫欧的p信道SQ7415EN |
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VSH推出三款面向OR-ing应用的功率MOSFET (2007.11.08)
Vishay Intertechnology, Inc.(VSH)推出三款面向OR-ing应用的功率MOSFET，这些器件具有三种封装选择，可提供最佳的导通电阻性能，凭借这三款器件，公司将有助于提升固定电信网络的效率 |
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Vishay推出新系列P信道MOSFET (2007.10.11)
Vishay推出新系列P信道MOSFET，这些组件建立了每单位面积最低导通电阻的新记录。基于新一代TrenchFET芯片技术的新型Vishay Siliconix组件采用PowerPAK SC-70封装（2.05 mm×2.05 mm）时最大导通电阻额定值为29毫欧，采用标准SC-70封装（2.0 mm ×2.1 mm）时为80毫欧，采用SC-89封装（1.6 mm×1.6 mm）时为130毫欧 |
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Vishay的MOSFET帮助设计人员简化电源管理电路 (2007.08.16)
Vishay宣布推出业界首批在1.2V栅源电压时具有额定导通电阻值的功率MOSFET，这一进步将帮助设计人员简化电源管理电路，同时延长可擕式电子系统中的电池运行时间。
额定电压为1.2V的这些新型Vishay Siliconix TrenchFET器件使MOSFET导通电压与移动电子设备中使用的数字IC的1.2V～1.3V工作电压保持一致，从而可实现更安全、更可靠的设计 |
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Vishay增添四款新型 Siliconix PolarPAK组件 (2007.01.23)
Vishay在具有双面冷却功能的PolarPAK功率MOSFET系列中增添了新型n信道20V、30V及40V组件，从而为设计人员提供了通过更出色的MOSFET散热性能减小系统尺寸及成本的新方式。
这四款新型Vishay Siliconix PolarPAK组件面向电信及数据通信系统中的同步整流、负载点转换器及OR-ing应用 |
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Vishay提供免费在线MOSFET热仿真工具 (2006.12.12)
Vishay Intertechnology, Inc.在其网站上推出一款网上工具，可供设计人员详细仿真在各种应用中Vishay Siliconix MOSFET在运行时的热效应情况及其受邻近组件的影响如何。Vishay新推出的ThermaSim（可从http://www.vishay.com/thermal-modelling下载）是一款免费的工具，通过在原型设计前进行详细的热仿真，有助于设计人员缩短产品上市时间 |
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Analogic与Siliconix专利侵权诉讼达成和解 (2006.10.23)
专为行动消费性电子组件提供电源管理半导体之开发厂商Analogic，日前与Vishay子公司Siliconix针对专利侵害诉讼达成和解协议，该诉讼系Siliconix于2004年1月向美国加州北区联邦地方法院提出关于侵犯trench DMOS技术之三项美国专利 |
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Vishay新型双光电MOSFET驱动器问世 (2006.02.27)
Vishay Intertechnology,Inc.宣布推出一款新型固体继电器——双光电MOSFET驱动，该器件实现了断路电压与短路电流组合。与等同的电机械继电器设计相比，当与Vishay Siliconix MOSFET相结合时，这款新型VO1263AB可实现更长的产品使用寿命、更高的可靠性及更快速的切换 |
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Vishay新型模拟开关实现直接电池运行 (2005.05.26)
Vishay推出一系列可在可擕式应用中实现直接电池运行的新型模拟开关。这些新型开关在1.6V～4.3V的整个电压范围内具有低导通电阻和低电平逻辑控制，它们主要面向终端产品，包括手机、机顶盒、PDA及媒体播放器 |
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Siliconix incorporated首款n信道MOSFET问世 (2005.04.21)
日前，拥有80.4%股份的Vishay Intertechnology,Inc.子公司Siliconix incorporated宣布推出将3.4V高阈值电压与2.7毫欧低导通电阻相结合的首款n信道MOSFET。具有40V和60V版本的这10款新型MOSFET主要用于汽车、工业及固定电信行业中具有电感负载的高温、高电流应用，例如高端开关、电机驱动及12V板网 |
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ST与Siliconix就双面冷却型MOSFET封装技术达成授权 (2005.03.14)
ST与Siliconix宣布达成一项合作协议，ST将由Siliconix获得最新功率MOSFET封装技术的授权，这项技术使用强制性空气冷却方法，透过组件顶端与底部的散热路径供了更优良的热效能 |
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法商艾希隆选择台湾 力图攻下亚太版块 (2005.03.01)
法商Epsilon Ingénierie(法商艾希隆公司)乃是电子组件散热设计厂商，无论是在系统稳定性、板载系统以及组件领域已拥有12年充分经验。艾希隆业务涵盖高科技产业制造链中种种环节，不但可确保电子组件和组件的可靠性、更能提高原有的性能 |
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VISHAY SILICONIX推出新型高速半桥式N信道MOSFET驱动器IC (2005.02.01)
拥有80.4%股份的Vishay Intertechnology,Inc.子公司Siliconix incorporated宣布推出四款新型高速半桥式N信道MOSFET驱动器IC，这些器件主要用于高频率、高电流、单相及多相直流到直流开关电源，它还包括一个具有面向无刷电机控制应用所需制动功能的驱动器 |
