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RFMD推出GaN高功率晶体管系列产品 (2006.06.15)
针对趋动行动通讯，设计及制造高效能无线电系统及解决方案的厂商RFMD发表其Gallium Nitride (GaN)高电子移动率晶体管(High Electron Mobility Transistor HEMT)高功率晶体管产品系列，并宣布提供样品予手机厂商及WiMAX基地台客户
RFMD单阶RF3807和RF3809预驱动功率放大器问世 (2005.03.29)
无线通信应用領域的領先专用射频积体电路(RFIC)供货商RF Micro Devices,Inc.公司推出兩款针对蜂窝基地台应用的新型砷化镓異质结构双极晶体管(GaAsHBT)预驱动功率放大器(PA)


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