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英飞凌推出EiceDRIVER 125 V高侧闸极驱动器 故障即时保护电池 (2024.11.07)
在电机驱动和开关模式电源（SMPS）等电池供电应用中，电源架构通常要求在模组发生故障时能够断开该模组与主电源轨的连接。为实现这一功能，往往会采用MOSFET等高侧断开开关，以防止负载短路影响电池 |
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英飞凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定义 AI 伺服器电源功效 (2024.06.26)
随着人工智慧（AI）处理器对功率的要求日益提高，伺服器电源（PSU）必须在不超出伺服器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，因为高阶 GPU 的能源需求激增。至2030 年，每颗高阶 GPU 晶片的能耗可能达到 2千瓦或以上 |
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STM32WBA系列推动物联网发展 多协定无线连接成效率关键 (2024.05.27)
ST新推出的STM32WBA系列无线MCU备受业界瞩目。这款创新产品支援多种无线协议，高度整合并强调低功耗，有??为物联网应用带来全新的发展动能。 |
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数位电源控制好帮手：PowerSmart™ Development Suite 使开发过程更Smart (2024.02.24)
於当今日新月异的时代，数位化智能产品应用频繁出现在人们的生活周遭，其中智能与高效的数位电源更是重要的区块之一。然而，数位电源的开发需具备许多关键技术的开发能力 |
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Bourns全新大功率电流检测电阻为电力电子设计节省能源 (2023.12.19)
美商柏恩（Bourns）推出四款全新大功率、极低欧姆电流检测电阻系列，可在电力电子设计中节省能源，同时最大化感测性能。该系列具有低温度系数（TCR），可在广泛的温度范围内提供操作精度和长期稳定性 |
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CGD、群光电能与剑桥大学技术服务部共组GaN生态系统 (2023.11.06)
英商剑桥氮化??元件有限公司（Cambridge GaN Devices；CGD）是一家专注於研发高效能氮化??（GaN）功率元件的半导体公司，致力於打造更环保的电子元件。近日与台湾的电力电子系统整合方案供应商群光电能（Chicony Power Technology）、英国剑桥大学技术服务部（CUTS）签署一项三方协议 |
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Littelfuse新款800V N沟道耗尽型MOSFET采用改进型SOT-223-2L封装 (2023.10.17)
Littelfuse公司推出一款800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET新品CPC3981Z。
与标准SOT-223封装相比，这款新产品的SOT-223-2L封装移除中间引脚，将漏极与闸极之间的引脚间距，从1.386毫米增加到超过4毫米间距增加简化宽输入电压电源的隔离管理，实现精巧的印刷电路板布局 |
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英飞凌推出静态开关用的全新工业级和车规级高压超接面MOSFET (2023.07.31)
在静态开关应用中，电源设计着重於得以降低导通损耗、优化热性能、实现精简轻便的系统设计；英飞凌科技（Infineon）正扩大其CoolMOS S7 系列高压超接面（SJ）MOSFET 的产品阵容因应所需 |
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ST：以全面解决方案 为工业市场激发智慧并永续创新 (2023.07.17)
意法半导体透过2023年工业巡??论坛，更进一步在不同城市，为不同客户延伸和展现工业解决方案、技术和产品。 透过「激发智慧 永续创新」的主轴，与会者能透过各种技术和产品以及解决方案的介绍，亲身体验前沿技术和激发智慧的应用 |
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ST：提供全面系统解决方案 为工业激发智慧并永续创新 (2023.07.17)
利用意法半导体2023年工业巡??论坛的机会，CTIMES零组件杂志也特别专访了意法半导体亚太区功率离散和类比产品部行销和应用??总裁 Francesco Muggeri，详细阐述ST在工业领域的技术创新 |
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意法半导体100W和65W VIPerGaN功率转换晶片 可节省空间 (2023.05.26)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）之高压宽能隙功率转换晶片系列新增VIPerGaN100和VIPerGaN65两款产品，适合最大功率100W和65W的单开关准谐振（Quasi-Resonant，QR）返驰式转换器 |
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英飞凌推出新双通道电气隔离EiceDRIVER闸极驱动器IC (2023.05.24)
如今，3.3 kW的开关式电源（SMPS）透过采用图腾柱PFC级中的超接面（SJ矽）功率MOSFET和碳化矽（SiC）功率MOSFET，以及能够满足高压DC-DC功率转换要求的氮化??（GaN）功率开关等最新技术，使得功率密度可以达到100 W/inch3 |
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CGD推出ICeGaN 650 V氮化??HEMT系列产品 (2023.05.12)
Cambridge GaN Devices（CGD）今日宣布推出第二代的 ICeGaN 650 V氮化?? HEMT 系列产品，提供领先业界的耐用性、易於使用及最高效率等特色。H2 系列 ICeGaN HEMT 采用 CGD 的智慧闸极介面，几??消除一般 E 模式 GaN 的各种弱点，大幅加强过电压耐用性、提供更高的抗杂讯??值，以及提升 dV/dt 抑制和 ESD 保护效果 |
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新系列STM32H微控制器 提升下一代智慧应用性能和安全性 (2023.03.17)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）宣布推出STM32H5系列高性能微控制器（MCU）。新系列产品导入了STM32Trust TEE管理器安全技术，为智慧物联网装置提供先进的安全功能。
新STM32H5 MCU系列搭载Arm的Cortex-M33嵌入式内核心 |
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2022年MCU年度新品喜好度总票选 (2023.02.24)
MCU市场发展，客户的需求主要都来自於供需的考量。从8位元到32位元市场，厂商持续推出新产品的态势不变。在MCU市场欧美品牌依然是使用者最为主流的选择。 |
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英飞凌推出950 V CoolMOS PFD7系列 大幅提高功率密度 (2022.11.09)
英飞凌推出全新CoolMOS PFD7高压MOSFET系列，为950 V超接面（SJ）技术树立新标竿。全新950 V系列具有出色的效能与易用性，采用整合的快速二极体，确保元件坚固耐用，同时降低了BOM（物料清单）成本 |
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ST新推出PFC升压转换器 有效简化应用设计与提升设计灵活度 (2022.10.14)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）新推出之L4985A／B和L4986A／B功率因数校正（power-factor correction，简称PFC）升压转换器整合800V启动电路以及意法独有的辅助工具，有效简化应用设计、提升设计灵活度 |
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无桥图腾柱功率因数校正控制器 实现AC-DC 功率转换效益 (2022.06.25)
随着电源开关频率不断提高的发展趋势，开关器件中的动态损耗会产生更大的影响。本文举例说明如何使用无桥图腾柱功率因数校正控制器，进而实现出色的 AC-DC 功率转换效率 |
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ST发表全新MDmesh MOSFET 提升功率密度与效能 (2022.06.08)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）新推出之STPOWER MDmesh M9和DM9矽基N通道超接面多汲极功率MOSFET电晶体适用於设计资料中心服务器、5G基础建设、平面电视的交换式电源供应器（Switched-Mode Power Supply，SMPS） |
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安森美推出TOLL封装SiC MOSFET小尺寸封装高性能低损耗 (2022.05.11)
安森美（onsemi）， 在PCIM Europe展会发布全球首款To-Leadless（TOLL）封装的碳化矽（SiC）MOSFET。该电晶体满足了对适合高功率密度设计的高性能开关元件迅速增长的需求。直到最近，SiC元件一直采用明显需要更大空间的D2PAK 7接脚封装 |
