意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）之高压宽能隙功率转换晶片系列新增VIPerGaN100和VIPerGaN65两款产品，适合最大功率100W和65W的单开关准谐振（Quasi-Resonant，QR）返驰式转换器。

意法半导体100W和65W VIPerGaN功率转换晶片可节省空间，并提升消费电子和工业应用的效能

此小尺寸与高整合度之产品的设计目标应用包括USB-PD充电器、家电、智慧建筑控制器、照明、空调、智慧量表和其他工业应用的开关式电源（Switched-Mode power Supply，SMPS）。

每个元件均整合了脉宽调制（Pulse-Width Modulation，PWM）控制器和650V增强型GaN功率电晶体，可以利用一个标准光耦合器达到二次侧稳压功能。改产品采用5mm x 6mm QFN封装，结合高整合度，确保电晶体具有非常出色的功率密度，并节省物料清单（BoM）成本。宽能隙电晶体技术还能够提升效能，简化热管理设计。

这些转换器晶片采用先进的电源管理技术，静态电流低，在自我调整突波模式下，待机功耗低於30mW。每款产品配有准谐振模式，并具动态消隐时间和谷底同步功能，能够降低开关损耗，在所有输入线路和负载条件下最大限度地提升效能。这些效能优势有助於降低目标应用之耗能，满足全球生态设计规范的节能和净零碳排放目标。

晶片亦整合了安全保护和可靠性功能，例如，输出过压保护、电流感测、输入过压保护、上电保护、掉电保护和热关断，以及用於抑制EMI频率抖动技术，其中，输入电压前??补偿可以最大限度地缩小值功率变化。

VIPerGaN100 和VIPerGaN65现已量产，两者皆采用5mm x 6mm QFN封装。