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应材发表新晶片布线技术 实现AI更节能运算 (2024.07.09)
基於现今人工智慧（AI）时代需要更节能的运算，尤其是在晶片布线和堆叠方式对於效能和能耗至关重要。应用材料公司今（9）日於美国SEMICON WEST 2024展会，发表两项新材料工程创新技术，旨在将铜互联电网布线微缩到2奈米及以下的逻辑节点，以协助晶片制造商扩展到埃米时代，来提高电脑系统的每瓦效能
应材创新混合键合与矽穿孔技术 精进异质晶片整合能力 (2023.07.13)
面对当前国际半导体市场竞争加剧，应用材料公司也趁势推出新式材料、技术和系统，将协助晶片制造商运用混合键合（hybrid bonding）及矽穿孔（TSV）技术，将小晶片整合至先进2.5D和3D封装中，既提高其效能和可靠性，也扩大了应材在异质整合（heterogeneous integration, HI）领域领先业界的技术范畴
imec矽光子平台整合SiN波导 迎击高频宽元件的整合挑战 (2023.01.31)
比利时微电子研究中心（imec）今日受邀至国际光电工程学会（SPIE）美西光电展（Photonics West）举行讲座，同时也宣布其开发之氮化矽（SiN）波导技术与矽光子平台成功进行共整合，且无损高频宽主动元件的性能
工研院创新展永续技术能量 翻转零碳电力产业 (2021.10.14)
随着疫情降温，今（2021）年TIE台湾创新技术博览会同步以线上加实体展览的形式亮相，其中以绿能科技为主题的「永续发展馆」，就透过「净零碳排、绿能永续」为展出主轴，彰显节能、创能、储能及智慧系统整合4大面向成果，展现提前布局低碳科技的技术策略，协助相关绿能产业，在面对净零碳排浪潮时进行绿色转型
DKSH大昌华嘉引进Kolzer顶尖真空镀膜解决方案到台湾和日本 (2019.10.08)
专注在亚洲的市场拓展服务供应商大昌华嘉，其科技事业单位专为寻求在亚洲发展业务的科技企业提供服务，日前已与领导业界的真空镀膜设备制造商Kolzer签属在台湾和日本的合作，大昌华嘉将在这两地为Kolzer提供产品销售、行销、应用工程和售後服务
科林研发新增3D NAND微缩产品组合的全晶圆应力管理解决方案 (2019.08.14)
科林研发公司(Lam Research Corp.)宣布，推出可协助客户提高记忆体晶片密度的全新解决方案，以满足人工智慧和机器学习等应用的需求。透过导入晶背沉积用的VECTOR DT以及晶背和晶边薄膜去除用的EOS GS湿式蚀刻系统，科林研发进一步扩展了其应力管理产品组合
轻薄且可挠 薄膜封装备受OLED面板厂注目 (2017.08.15)
薄膜封装（Thin Film Encapsulation，TFE）商机炽热，根据市调机构UBI Research 2017 OLED封装年度报告指出，约至2021年将有70％的OLED面板采用薄膜封装技术。 UBI Research分析师Jang Hyunjun表示，预计TFE封装适用於窄边框，以及全萤幕无边框的可挠式OLED显示面板技术中，相关制造设备与材料市场也将持续发展
意法加强在射频功率的市场占有率，推新款防潮射频功率产品 (2013.12.20)
意法半导体推出两款新的防潮射频（radio-frequency，RF）功率晶体管，藉此提升目标应用在高潮湿环境内的可靠性和耐用性。 这两款50V RF DMOS组件的封装内被填充凝胶，以防止裸片发生电迁移现象，例如银枝晶（silver dendrite）迁移
低温式 PECVD SiNx 薄膜包装的 OLED 应用-低温式 PECVD SiNx 薄膜包装的 OLED 应用 (2012.04.11)
低温式 PECVD SiNx 薄膜包装的 OLED 应用
底层网关薄膜晶体管脉冲的 PECVD 沉积-底层网关薄膜晶体管脉冲的 PECVD 沉积 (2012.03.01)
底层网关薄膜晶体管脉冲的 PECVD 沉积
mc-Si:H 的结构，光学和电学表征：薄膜沉积由PECVD-mc-Si:H 的结构，光学和电学表征：薄膜沉积由PECVD (2011.10.20)
mc-Si:H 的结构，光学和电学表征：薄膜沉积由PECVD
高流动性底栅微晶硅 TFT VHF PECVD 沉积-高流动性底栅微晶硅 TFT VHF PECVD 沉积 (2011.10.17)
高流动性底栅微晶硅 TFT VHF PECVD 沉积
设计多孔硅/ PECVD氧化硅防反射涂层的硅太阳能电池-设计多孔硅/ PECVD氧化硅防反射涂层的硅太阳能电池 (2011.07.19)
设计多孔硅/ PECVD氧化硅防反射涂层的硅太阳能电池
散装和表面钝化的硅太阳能电池的既遂由氮化硅沉积在工业规模微波PECVD-散装和表面钝化的硅太阳能电池的既遂由氮化硅沉积在工业规模微波PECVD (2011.07.15)
散装和表面钝化的硅太阳能电池的既遂由氮化硅沉积在工业规模微波PECVD
微晶硅太阳电池制备13.56兆赫 PECVD 反应-微晶硅太阳电池制备13.56兆赫 PECVD 反应 (2011.05.13)
微晶硅太阳电池制备13.56兆赫 PECVD 反应
PECVD 和超级电容器碳奈米管的生产及其应用-PECVD 和超级电容器碳奈米管的生产及其应用 (2011.04.11)
PECVD 和超级电容器碳奈米管的生产及其应用
发展等离子增强化学气相沉积(PECVD)的TFT栅介质应用-发展等离子增强化学气相沉积(PECVD)的TFT栅介质应用 (2010.10.18)
发展等离子增强化学气相沉积(PECVD)的TFT栅介质应用
非晶硅薄膜PECVD反应细胞的诱导以期建立柔性衬底-非晶硅薄膜PECVD反应细胞的诱导以期建立柔性衬底 (2010.09.23)
非晶硅薄膜PECVD反应细胞的诱导以期建立柔性衬底
诺发系统推出晶圆级封装系列产品 (2010.09.14)
诺发系统近日宣布，推出VECTOR PECVD, INOVA PVD和GxT photoresist strip systems的新机型，这些新机型可以和诺发系统的先进金属联机技术相辅相成，并且展开晶圆级封装技术（WLP）的需求及市场
诺发发表新一代电浆化学气相沉积制程 (2010.05.05)
诺发系统日前宣布，已在VECTOR PECVD平台上开发出，具有晶圆对晶圆间膜厚变异小于2埃的精密抗反射层薄膜（ARL）。这种新制程采用VECTOR特有的多重平台序列式沉积工艺技术架构（MSSP），以达成沉积的ARL薄膜具有格外均匀的薄膜厚度，折射率（n）和消光系数（K）


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